ICS728
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
描述
该ICS728使用VCXO的功能
（压控晶体振荡器）和PLL （相位
锁相环）频率倍增到单一芯片上。
用于与一个外部可牵引的石英
水晶，这种单片集成电路取代更多
昂贵的混合动力（罐头）， VCXO器件。该ICS728是
主要设计用于数据和时钟恢复
例如机顶盒的终端产品中的应用
接收器。
该ICS728具有110中等VCXO增益
PPM / V的典型，与外部高品质的使用时，
可牵引的石英晶体。
片上VCXO的频率由一个调节
外部控制电压输入引脚VIN 。因为
VIN是高阻抗输入端，它可以直接驱动
从PWM RC积分电路。频率输出
增加了与VIN电压输入。可使用范围的
VIN为0 3.3 V.
特点
非常适合使用13.5 MHz的机顶盒应用
外部可牵引晶振来产生锁定27兆赫
时钟传输视频时钟
片上VCXO具有± 110的保拉范围
ppm的最小
VCXO输入调谐电压0 3.3 V
封装采用8引脚SOIC （ 150密耳宽）
可在Pb（铅）免费包装
框图
VIN
13.5兆赫
可牵引
水晶
X1
X2
电压
控制
水晶
振荡器
PLL
频率
倍
27兆赫
（2个晶振频率）
MDS 728 B
集成电路系统
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1
5月25日赛街，美国加州圣何塞9 512 6
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C
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3.3 V
OLT
VCXO
引脚分配
X1
VDD
六
GN
1
2
3
4
8
7
6
5
X2
GND
DC
CLK
8 - PI N（ 1 5 0英里L） SOI
引脚说明
针
数
1
2
3
4
5
6
7
8
针
名字
XI
VDD
VIN
GND
CLK
DC
GND
X2
针
TYPE
输入
动力
输入
动力
产量
__
动力
输入
引脚说明
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
连接到+ 3.3V （ 0.01uF的去耦电容推荐） 。
电压输入VCXO 。零至3.3 V模拟输入用于控制
VCXO的振荡频率。
连接到地面。
时钟输出。
不要连接到该引脚
连接到地面。
水晶连接。连接到外部可牵引的晶体。
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外部元件的选择
该ICS728需要外部的最小数量
组件正常工作。
水晶和所有马刺队的第三个泛音模式
必须是3倍的根本>100 ppm的遥远
共振带14 pF的物理负荷进行测量。
外部晶体连接在尽量靠近
芯片如可能，应是对在同一侧
PCB作为ICS728 。应之间没有通孔
晶体引脚和X1和X2的管脚。那里
应无信号迹线的下方或接近
水晶。
去耦电容
0.01μF的去耦电容必须连接
VDD （ 2脚）和GND之间（引脚4 ） ，尽量靠近
这些引脚越好。为确保最佳的设备
性能，去耦电容应
安装在印刷电路板的元件侧。避免
使用在去耦电路的通孔。
水晶调节负载电容
该晶体的痕迹应该包括垫小的固定
电容器， 1 X 1和地之间，和另一
之间的X2和地面。这些电容器的馅
在PCB上是可选的。需要对这些电容器是
在系统原型评估确定的，并且是
由所使用的特定晶体和由印刷电路板的影响
布局。所要求的典型电容值为1 4 pF的。
来确定晶体的必要性和值
调整电容，则需要一台PC板
你的最终布局，频率计数器，能够为1ppm
分辨率和准确度，两个电源，以及一些
您计划使用的晶体样品
生产，连同测得的初始精度为
每个晶体在特定的晶体负载电容，
CL 。
确定晶体电容的值：
该ICS728 1.连接到VDD 3.3 V连接引脚3
的ICS728到第二电源。调整
电压引脚3为0V。测量并记录
频率CLK输出。
2.调整至3.3 V.测量引脚3上的电压和
记录相同的输出频率。
为了计算为中心的错误：
其中：
6
(
f
3.0V
–
f
吨精氨酸等
)
+
(
f
0V
–
f
吨精氨酸等
)
错误
=
10
x
------------------------------------------------------------------------------
–
错误
XTAL
f
吨精氨酸等
系列终端电阻
当时钟输出之间的PCB走线（ CLK ，
脚5）和所述负荷超过1英寸，系列终止
应该被使用。以系列终止50Ω迹线（一
常用的走线阻抗）放置一个33Ω的电阻
串联在时钟线，尽量靠近时钟输出
销越好。时钟的标称阻抗
输出为20Ω 。
石英晶体
该ICS728 VCXO功能包括外部的
晶体和集成压控振荡器电路。对
确保最佳的系统性能（频率拉
范围）和可靠性，一个液晶装置用
推荐的参数（如下所示）必须
使用和布局指南中讨论
显示下面的部分必须遵循。
石英晶体振荡的频率是
其“切割”，并通过负载电容确定
连接到它。该ICS728带有片上
可变负载电容的“拉” （改变）
频率的晶体。使用指定的结晶
与ICS728被设计为具有零频率
误差时的片+杂散电容的总量为14
pF的。
推荐的晶体参数：
在25初始精度
°
C
温度稳定性
老化
负载电容
并联电容C0
C0 / C1比
等效串联电阻
f
目标
=标称晶振频率
± 20 ppm的
± 30 ppm的
± 20 ppm的
14 pF的
7 pF的最大
250最大
35
最大
错误
XTAL
晶体=实际的初始精度（单位：ppm ）
被测量
如果所述定心误差小于± 25ppm的，无
需要调整。如果定心误差更
高于25ppm否定的，则PC板具有过度
杂散电容和一个新的PCB布局应
考虑到减少寄生电容。 （或者，
该晶体可以被重新指定为一个较高的载荷
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VCXO
电容。联系ICS的详细信息。 ）如果定心
误差大于25ppm的正，添加相同的固定
从每个晶体引脚中心电容到地。
对于每个盖（单位为pF ）的值由下式给出：
外部电容= 2× （中误差） / （微调
灵敏度）
修剪灵敏度是其可通过提供一个参数
你的水晶供应商。如果你不知道的价值，
假设它是30 PPM / PF 。经过任何改动，重复
测量，以验证该剩余误差
可接受的低（通常小于± 25ppm的） 。
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS728永久性损坏。这些评价，其中
对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
所有输入和输出
储存温度
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-65到+ 150°C
260°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
参考晶体参数
分钟。
0
+3.15
典型值。
马克斯。
+70
+3.45
单位
°C
V
请参阅第3页
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DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
工作电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压（ CMOS
级）
工作电源电流
短路电流
VIN ， VCXO控制电压
符号
VDD
V
OH
V
OL
V
OH
国际直拨电话
I
OS
V
IA
条件
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
输出= 27 MHz时，
空载
分钟。
3.15
2.4
典型值。
马克斯。
3.45
0.4
单位
V
V
V
V
VDD-0.4
12
±50
0
3.3
mA
mA
V
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％ ，
环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
输出频率
水晶Pullability
VCXO增益
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
最大输出抖动，
短期
符号
F
O
F
P
t
OR
t
OF
t
D
t
J
条件
0V< VIN < 3.3V，注1
VIN = VDD / 2 + 1 V，注1
0.8 2.0 V ，C
L
= 15 pF的
2.0 0.8 V ，C
L
= 15 pF的
测得为1.4 V ，C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
分钟。
+ 110
典型值。
27
120
MAX 。单位
兆赫
PPM
PPM / V
1.5
1.5
ns
ns
%
ps
40
50
100
60
注1：外部晶体的设备必须与第3页上列出的可牵引晶体规格相符。
热特性
参数
热阻结到
环境
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
条件
静止的空气中
为1m / s的空气流
3米/秒的空气流
分钟。
典型值。
150
140
120
40
MAX 。单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
热阻结到外壳
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l
修订版012505
TE L（ 4 08 ） 297 201 -1
l
W W瓦特I C ST 。 C 0米
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