【IDP04E120IDB04E120快速开关EMCON二极管特征1200 V EMCON技术快速恢复】,IC型号IDB04E120,IDB04E120 PDF资料,IDB04E120经销商,ic,电子元器件-51电子网

IDP04E120

IDB04E120

快速开关EMCON二极管

特征

1200 V EMCON技术

快速恢复

软开关

低反向恢复电荷

低正向电压

简单的并联

产品概述

V

RRM

I

F

V

F

T

JMAX

P-TO220-3.SMD

1200

4

1.65

150

P-TO220-2-2.

V

A

V

°C

TYPE

IDP04E120

IDB04E120

包

P-TO220-2-2.

订购代码

Q67040-S4388

记号

D04E120

销1

C

NC

销2

A

C

3脚

-

A

P- TO220-3.SMD Q67040 - S4386

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

反向重复峰值电压

连续正向电流

T

C

=25°C

T

C

=90°C

符号

V

RRM

I

F

价值

1200

11.2

7.1

单位

V

A

浪涌不重复正向电流

T

C

=25°C,

t

p

= 10毫秒，正弦半波

I

FSM

I

FRM

P

合计

28

16.5

W

43.1

20.6

最大重复正向电流

T

C

=25°C,

t

p

受

T

JMAX

,

D=0.5

功耗

T

C

=25°C

T

C

=90°C

工作和存储温度

焊接温度

1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

T

j ,

T

英镑

T

S

-55...+150

260

°C

Rev.2

第1页

2003-07-31

IDP04E120

IDB04E120

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

值

典型值。

-

35

马克斯。

2.9

62

-

单位

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

反向漏电流

V

R

=1200V,

T

j

=25°C

V

R

=1200V,

T

j

=150°C

符号

分钟。

I

R

-

V

F

-

值

典型值。

马克斯。

单位

A

-

1.65

1.7

100

350

V

2.15

-

正向电压降

I

F

=4A,

T

j

=25°C

I

F

=4A,

T

j

=150°C

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

Rev.2

第2页

2003-07-31

IDP04E120

IDB04E120

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

反向恢复时间

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

符号

分钟。

t

rr

-

I

RRM

-

Q

rr

-

S

-

值

典型值。

马克斯。

单位

ns

115

180

185

7.15

8

8.1

330

575

630

6

7.8

-

A

-

nC

-

峰值反向电流

V

R

=800V,

I

F

= 4的，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

反向恢复电荷

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

反向恢复软度因子

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

Rev.2

第3页

2003-07-31

IDP04E120

IDB04E120

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

参数： TJ

≤

150°C

45

2二极管的正向电流

I

F

= F （T

C

)

参数：

T

j

≤

150°C

12

W

35

A

10

9

8

P

合计

30

I

F

25

20

15

10

5

0

25

7

6

5

4

3

2

1

50

75

100

150

0

25

°C

T

C

50

75

100

°C

T

C

150

3典型。二极管的正向电流

I

F

=

f

(V

F

)

12

4典型。二极管的正向电压

V

F

=

f

(T

j

)

2.4

A

10

9

8

-55°C

25°C

100°C

150°C

V

8A

2

7

6

5

4

3

2

1

0

0.5

1

1.5

2

V

F

1.8

I

F

4A

1.6

2A

1.4

1.2

V

F

3

1

-60

-20

20

60

100

160

°C

T

j

Rev.2

第4页

2003-07-31

IDP04E120

IDB04E120

5典型。反向恢复时间

t

rr

=

f

（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125°C

500

6典型。反向恢复电荷

Q

rr

= F（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125 °C

900

ns

400

350

nC

800

8A

300

250

200

150

100

50

0

200

Q

rr

t

rr

8A

4A

2A

750

700

650

600

550

500

450

400

200

4A

2A

300

400

500

600

700

800

A / μs的

1000

di

F

/ DT

300

400

500

600

700

800

A / μs的

1000

di

F

/ DT

7典型。反向恢复电流

I

rr

=

f

（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125°C

12

8典型。反向恢复软度因子

S = F（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125°C

20

A

8A

4A

2A

16

14

10

8A

4A

2A

S

300

400

500

600

700

800

9

I

rr

12

10

8

6

8

7

6

4

5

2

0

200

4

200

A / μs的

1000

di

F

/ DT

300

400

500

600

700

800

A / μs的

1000

di

F

/ DT

Rev.2

第5页

2003-07-31

初步数据

IDP04E120

IDB04E120

产品概述

V

RRM

I

F

V

F

T

JMAX

1200

4

1.65

150

P-TO220-2-2.

特征

快速恢复

软开关

1200 V EMCON

技术

低反向恢复电荷

低正向电压

简单的并联

TYPE

IDP04E120

IDB04E120

包

P-TO220-2-2.

P- TO220-3.SMD Q67040 - S4386

最大额定值，在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

反向重复峰值电压

连续正向电流

T

C

=25°C

T

C

=90°C

浪涌不重复正向电流

T

C

=25°C,

t

p

= 10毫秒，正弦半波

最大重复正向电流

T

C

=25°C,

t

p

受

T

JMAX

,

D=0.5

功耗

T

C

=25°C

T

C

=90°C

工作和存储温度

焊接温度

1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

快速开关EMCON

二极管

V

A

V

°C

P-TO220-3.SMD

订购代码

Q67040-S4388

记号

D04E120

销1

C

NC

销2

A

C

3脚

-

A

符号

V

RRM

I

F

价值

1200

11.2

7.1

单位

V

A

I

FSM

I

FRM

P

合计

28

16.5

W

43.1

20.6

T

j ,

T

英镑

T

S

-55...+150

260

°C

第1页

2001-12-12

初步数据

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

IDP04E120

IDB04E120

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

值

典型值。

-

35

马克斯。

2.9

62

-

单位

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

反向漏电流

V

R

=1200V,

T

j

=25°C

V

R

=1200V,

T

j

=150°C

符号

分钟。

I

R

-

V

F

-

值

典型值。

马克斯。

单位

A

-

1.65

1.7

100

350

V

2.15

-

正向电压降

I

F

=4A,

T

j

=25°C

I

F

=4A,

T

j

=150°C

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

第2页

2001-12-12

初步数据

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

反向恢复时间

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

IDP04E120

IDB04E120

符号

分钟。

t

rr

-

I

RRM

-

Q

rr

-

S

-

值

典型值。

马克斯。

单位

ns

115

180

185

7.15

8

8.1

330

575

630

6

7.8

-

A

-

nC

-

峰值反向电流

V

R

=800V,

I

F

= 4 A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

反向恢复电荷

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

反向恢复软度因子

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

=4A,

di

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

第3页

2001-12-12

初步数据

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

45

IDP04E120

IDB04E120

2二极管的正向电流

I

F

= F （T

C

)

12

参数： TJ

W

150°C

参数：

T

j

150°C

A

10

35

9

8

P

合计

30

I

F

25

20

15

10

5

0

25

7

6

5

4

3

2

1

50

75

100

°C

T

C

150

0

25

50

75

100

°C

T

C

150

3典型。二极管的正向电流

I

F

=

f

(V

F

)

12

4典型。二极管的正向电压

V

F

=

f

(T

j

)

2.4

A

10

9

-55°C

25°C

100°C

150°C

V

8A

2

7

6

5

4

3

2

1

0

0.5

1

1.5

2

V

F

1.8

I

F

8

4A

1.6

2A

1.4

1.2

V

F

3

1

-60

-20

20

60

100

°C

160

T

j

第4页

2001-12-12

初步数据

5典型。反向恢复时间

t

rr

=

f

（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125°C

500

IDP04E120

IDB04E120

6典型。反向恢复电荷

Q

rr

= F（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125 °C

900

ns

400

350

nC

800

8A

300

250

200

150

100

50

0

200

Q

rr

t

rr

8A

4A

2A

750

700

650

600

550

500

450

400

200

4A

2A

300

400

500

600

700

800

A / μs的

1000

di

F

/ DT

300

400

500

600

700

800

A / μs的

1000

di

F

/ DT

7典型。反向恢复电流

I

rr

=

f

（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125°C

12

8典型。反向恢复软度因子

S = F（ 800 ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125°C

20

A

10

8A

4A

2A

16

14

I

rr

8A

4A

2A

S

A / μs的

1000

di

F

/ DT

9

12

10

8

6

8

7

6

4

5

2

0

200

4

200

300

400

500

600

700

800

300

400

500

600

700

800

A / μs的

1000

di

F

/ DT

第5页

2001-12-12

IDB04E120

快速开关EMCON二极管

特征

1200 V EMCON技术

快速恢复

软开关

低反向恢复电荷

低正向电压

简单的并联

*符合RoHS标准

1

产品概述

V

RRM

I

F

V

F

T

JMAX

1200

4

1.65

150

V

A

V

°C

PG-TO263-3-2

2

3

TYPE

IDB04E120

包

PG-TO263-3-2

订购代码

-

记号

D04E120

销1

NC

销2

C

3脚

A

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

反向重复峰值电压

连续正向电流

T

C

=25°C

T

C

=90°C

符号

V

RRM

I

F

价值

1200

11.2

7.1

单位

V

A

浪涌不重复正向电流

T

C

=25°C,

t

p

= 10毫秒，正弦半波

I

FSM

I

FRM

P

合计

28

16.5

W

43.1

20.6

最大重复正向电流

T

C

=25°C,

t

p

受

T

JMAX

,

D=0.5

功耗

T

C

=25°C

T

C

=90°C

工作和存储温度

焊接温度

回流焊， MSL1

T

j ,

T

英镑

T

S

-55...+150

245

°C

Rev.2.2

第1页

2007-09-01

IDB04E120

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

值

典型值。

-

35

马克斯。

2.9

62

-

单位

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

反向漏电流

V

R

=1200V,

T

j

=25°C

V

R

=1200V,

T

j

=150°C

符号

分钟。

I

R

-

V

F

-

值

典型值。

马克斯。

单位

A

-

1.65

1.7

100

350

V

2.15

-

正向电压降

I

F

=4A,

T

j

=25°C

I

F

=4A,

T

j

=150°C

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

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2007-09-01

IDB04E120

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

反向恢复时间

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

符号

分钟。

t

rr

-

I

RRM

-

Q

rr

-

S

-

值

典型值。

马克斯。

单位

ns

115

180

185

-

A

7.15

8

8.1

-

nC

330

575

630

-

峰值反向电流

V

R

=800V,

I

F

= 4的，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

反向恢复电荷

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

反向恢复软度因子

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=25°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=125°C

V

R

=800V,

I

F

= 4A ，二

F

/dt=750A/s,

T

j

=150°C

6

7.8

-

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IDB04E120

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

参数： TJ

≤

150°C

45

2二极管的正向电流

I

F

= F （T

C

)

参数：

T

j

≤

150°C

12

W

A

10

35

9

8

P

合计

30

I

F

25

20

15

10

5

0

25

7

6

5

4

3

2

1

50

75

100

150

0

25

°C

T

C

50

75

100

°C

T

C

150

3典型。二极管的正向电流

I

F

=

f

(V

F

)

12

4典型。二极管的正向电压

V

F

=

f

(T

j

)

2.4

8A

A

10

9

8

-55°C

25°C

100°C

150°C

V

2

7

6

5

4

V

F

1.8

I

F

4A

1.6

2A

1.4

3

2

1

0

0.5

1

1.5

2

1.2

V

F

3

1

-60

-20

20

60

100

160

°C

T

j

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IDB04E120

5典型。反向恢复时间

t

rr

=

f

（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125°C

500

6典型。反向恢复电荷

Q

rr

= F（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125 °C

900

ns

400

350

nC

800

8A

300

250

200

150

100

50

0

200

Q

rr

t

rr

8A

4A

2A

750

700

650

600

550

500

450

400

200

4A

2A

300

400

500

600

700

800

A / μs的

1000

di

F

/ DT

300

400

500

600

700

800

A / μs的

1000

di

F

/ DT

7典型。反向恢复电流

I

rr

=

f

（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125°C

12

8典型。反向恢复软度因子

S = F（二

F

/ DT ）

参数：

V

R

= 800V,

T

j

= 125°C

20

A

8A

4A

2A

16

14

10

8A

4A

2A

I

rr

S

300

400

500

600

700

800

9

12

10

8

6

8

7

6

4

5

2

0

200

4

200

A / μs的

1000

di

F

/ DT

300

400

500

600

700

800

A / μs的

1000

di

F

/ DT

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