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ICS601-01
L
OW
P
HASE
N
OISE
C
LOCK
M
ULTIPLIER
描述
该ICS601-01是一种低成本,低相位噪声,
高性能时钟合成器的应用
需要低相位噪声和低抖动。这是ICS “
最低相位噪声乘数,并且还最低
CMOS器件的产业。使用ICS的专利
analong和数字锁相环(PLL)的
技术,芯片接受10 - 27 MHz的晶振或
时钟输入,并且产生输出时钟高达156兆赫
在3.3 V.
该产品是用于时钟生成。它具有低
输出抖动(变化在输出期间),但输入
输出偏移和抖动都没有定义,也没有
保证。对于需要definted应用
输入到输出的定时,使用ICS670-01 。
特点
封装采用16引脚SOIC和TSSOP
可在Pb(铅)免费包装
使用基本的10 - 27 MHz的晶振或时钟
专利PLL最低相位噪声
输出时钟高达156 MHz的3.3 V
低相位噪声: -132 dBc的/赫兹在10千赫
低抖动 - 18 ps的1西格玛(典型值) 。
25 mA驱动能力如火如荼CMOS输出
在TTL电平
先进的低功率,亚微米CMOS工艺
提供工业级温度范围
3.3V或5V的工作电压
框图
VDD
3
参考
分频器
比较
收费
滤波器
VCO
CLK
X1/ICLK
晶体或
时钟输入
水晶
振荡器
X2
基于ROM
REFOUT
VCO
DIVIDE
4
S3:0
3
GND
OE
REFEN
MDS 601-01 L
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
1
525赛STRE等,圣乔本身, CA 9 5126
修订版111204
TE L( 40 8 ) 2 97-12 01
W W瓦特I C ST 。 C 0米
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L
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引脚分配
CLK
REFEN
VDD
VDD
VDD
X2
S1
X1/ICLK
1
2
3
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5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
GND
GND
GND
REFOUT
OE
S0
S3
S2
倍频器选择表
S3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
S2
0
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1
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1
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0
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0
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0
1
0
1
CLK (见注2下页)
TEST
TEST
输入X1
输入X3
输入X4
输入X5
输入5233
输入X8
TEST
晶振。通过(无PLL )
输入X2
TEST
输入X8
输入X10
输入X12
输入X16
16引脚( 150 mil)的TSSOP和SOIC
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14 - 16
名字
CLK
REFEN
VDD
VDD
VDD
X2
S1
X1/ICLK
S2
S3
S0
OE
REFOUT
GND
TYPE
产量
输入
动力
动力
动力
XO
输入
XI
输入
输入
输入
输入
产量
动力
0 =直接连接到接地
1 =直接连接到VDD
引脚说明
从VCO时钟输出。输出频率等于输入频率乘以倍频。
参考时钟使能。关闭缓冲的晶振时钟(停止低)时低。
连接到+ 3.3V或+ 5V 。必须匹配其他VDDS 。
连接到+ 3.3V或+ 5V 。必须匹配其他VDDS 。
连接到+ 3.3V或+ 5V 。必须匹配其他VDDS 。
水晶连接。连接到10 - 27 MHz的基本并行模式晶振。
离开断开连接外部时钟输入。
乘数选择引脚1确定CLK输出每桌上面。内部上拉。
水晶连接。连接到10 - 27 MHz的基本并行模式晶振或时钟。
乘数选择引脚2.确定CLK输出每桌上面。内部上拉。
乘数选择引脚3.确定CLK输出每桌上面。内部上拉。
乘数选择引脚0确定CLK输出每桌上面。内部上拉。
输出使能。三态两个输出时钟时低。内部上拉。
缓冲晶体振荡器的时钟输出。受控于REFIN 。
连接到地面。
MDS 601-01 L
在TE碎电路系统
2
525镭CE街,加利福尼亚州圣何塞, 9512 6
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电话:( 08 4 ) 297-1 201
W W瓦特I C S T 。 C 0米
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C
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ULTIPLIER
实现低相位噪声
图1示出了在125 MHz的系统的典型相位噪声测量。 Therea几个简单的步骤
可以采取从ICS601-01实现这些水平相位噪声。在VDD将变化
增加HASE噪声,所以有在该装置的稳定,低噪声的电源电压是重要的。利用
与并联0.01μF 0.1μF的去耦电容器。有这些电容尽量靠近,因为它是重要的
可以将ICS601-01电源引脚。
禁用REFOUT时钟也是实现低相位噪声很重要;实验室试验已经表明,这种
可以由多达10 dBc的/ Hz的降低相位噪声。
0
-20
相位噪声( dBc的/赫兹)
-40
-60
-80
-100
-120
-140
1.00E
+01
1.00E
+02
1.00E
+03
1.00E
+04
1.00E
+05
1.00E
+06
1.00E+07
O
ffset fromC
arrier (H
z)
IC图1. N相
OISE
S601-01为125微米Z输出,25米晶振输入。
H
H
VD = 3.3 V ,R UTdisabled 。
D
EFO
外部元件/晶体选择
该ICS601-01需要的外部元件正常工作的最小数目。脱钩
0.01μF和0.1μF的电容应连接在VDD和GND之间,尽量靠近部分作为
可能。也可以使用为每个时钟输出33Ω的串联端接电阻器。晶体必须是
连接成靠近芯片越好。水晶应该是基本模式,并联谐振。办
不使用第三个泛音。对于精确调整使用晶体时,电容应beconnected从引脚X1
到地和X2接地。在一般情况下,这些电容的值由下式给出
其中, CL为晶体负载电容:水晶瓶盖(PF ) = ( CL - 5 )× 2,因此,对于具有16 pF负载晶体
电容, 2 22 pF的帽都可以使用。对于任何给定电路板布局, ICS可以测量板
电容和推荐的精确电容值来使用。
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OISE
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ULTIPLIER
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS601-01永久性损坏。这些评价,
这对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度,商业版
工作环境温度,工业版
储存温度
结温
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+70
°C
-40至+85
°C
-65到+150
°C
125
°C
260
°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
-40
+3.0
典型值。
马克斯。
+85
+5.5
单位
°C
V
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 10 %
,环境温度-40 + 85°C
参数
工作电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
符号
VDD
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
条件
只有X1 / ICLK引脚
注1
只有X1 / ICLK引脚
注1
分钟。
3.0
VDD/2+1
典型值。
马克斯。
5.5
单位
V
V
VDD/2-1
2
0.8
V
V
V
V
CMOS电平
I
OH
= -4mA
I
OH
= -12mA
I
OL
= 12毫安
VDD-0.4
2.4
0.4
输出低电压
V
OL
V
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OISE
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LOCK
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ULTIPLIER
参数
工作电源电流
短路电流
输入电容
符号
国际直拨电话
C
IN
条件
无负载, 125 MHz的
每路输出
OE ,选择引脚
分钟。
±40
典型值。
22
±60
5
马克斯。
30
单位
mA
mA
pF
注1 :名义上是发生在VDD / 2切换
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 10 %
,环境温度-40 + 85°C
参数
输入频率
输出频率
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
最大绝对抖动,短路
来看, 125 MHz的
最大抖动, 1西格玛,
125兆赫( X5 )
相位噪声,相对于载体,
125兆赫( X5 )
相位噪声,相对于载体,
125兆赫( X5 )
相位噪声,相对于载体,
125兆赫( X5 )
相位噪声,相对于载体,
125兆赫( X5 )
t
OR
t
OF
符号
条件
在3.3V或5V
0.8 2.0V空载
0.8 2.0V ,无负载
在VDD / 2
空载
空载
100 Hz的偏移
1千赫
10 kHz偏置
100 kHz偏置
分钟。
10
典型值。
马克斯。
27
156
1.5
1.5
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
%
ps
ps
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
45
50
±50
12
55
±75
20
-90
-116
-118
-115
-94
-120
-122
-119
注2 :输入频率受限于最大输出频率和倍频系数( IE浏览器的16倍,
最大输入频率为13.75兆赫) 。
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C
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M
ULTIPLIER
描述
该ICS601-01是一种低成本,低相位噪声,
高性能时钟合成器的应用
需要低相位噪声和低抖动。这是ICS “
最低相位噪声乘数,并且还最低
CMOS器件的产业。使用ICS的专利
analong和数字锁相环(PLL)的
技术,芯片接受10 - 27 MHz的晶振或
时钟输入,并且产生输出时钟高达156兆赫
在3.3 V.
该产品是用于时钟生成。它具有低
输出抖动(变化在输出期间),但输入
输出偏移和抖动都没有定义,也没有
保证。对于需要definted应用
输入到输出的定时,使用ICS670-01 。
特点
封装采用16引脚SOIC和TSSOP
可在Pb(铅)免费包装
使用基本的10 - 27 MHz的晶振或时钟
专利PLL最低相位噪声
输出时钟高达156 MHz的3.3 V
低相位噪声: -132 dBc的/赫兹在10千赫
低抖动 - 18 ps的1西格玛(典型值) 。
25 mA驱动能力如火如荼CMOS输出
在TTL电平
先进的低功率,亚微米CMOS工艺
提供工业级温度范围
3.3V或5V的工作电压
框图
VDD
3
参考
分频器
比较
收费
滤波器
VCO
CLK
X1/ICLK
晶体或
时钟输入
水晶
振荡器
X2
基于ROM
REFOUT
VCO
DIVIDE
4
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GND
OE
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引脚分配
CLK
REFEN
VDD
VDD
VDD
X2
S1
X1/ICLK
1
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14
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GND
GND
GND
REFOUT
OE
S0
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倍频器选择表
S3
0
0
0
0
0
0
0
0
1
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1
1
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S1
0
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1
CLK (见注2下页)
TEST
TEST
输入X1
输入X3
输入X4
输入X5
输入5233
输入X8
TEST
晶振。通过(无PLL )
输入X2
TEST
输入X8
输入X10
输入X12
输入X16
16引脚( 150 mil)的TSSOP和SOIC
引脚说明
1
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名字
CLK
REFEN
VDD
VDD
VDD
X2
S1
X1/ICLK
S2
S3
S0
OE
REFOUT
GND
TYPE
产量
输入
动力
动力
动力
XO
输入
XI
输入
输入
输入
输入
产量
动力
0 =直接连接到接地
1 =直接连接到VDD
引脚说明
从VCO时钟输出。输出频率等于输入频率乘以倍频。
参考时钟使能。关闭缓冲的晶振时钟(停止低)时低。
连接到+ 3.3V或+ 5V 。必须匹配其他VDDS 。
连接到+ 3.3V或+ 5V 。必须匹配其他VDDS 。
连接到+ 3.3V或+ 5V 。必须匹配其他VDDS 。
水晶连接。连接到10 - 27 MHz的基本并行模式晶振。
离开断开连接外部时钟输入。
乘数选择引脚1确定CLK输出每桌上面。内部上拉。
水晶连接。连接到10 - 27 MHz的基本并行模式晶振或时钟。
乘数选择引脚2.确定CLK输出每桌上面。内部上拉。
乘数选择引脚3.确定CLK输出每桌上面。内部上拉。
乘数选择引脚0确定CLK输出每桌上面。内部上拉。
输出使能。三态两个输出时钟时低。内部上拉。
缓冲晶体振荡器的时钟输出。受控于REFIN 。
连接到地面。
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实现低相位噪声
图1示出了在125 MHz的系统的典型相位噪声测量。 Therea几个简单的步骤
可以采取从ICS601-01实现这些水平相位噪声。在VDD将变化
增加HASE噪声,所以有在该装置的稳定,低噪声的电源电压是重要的。利用
与并联0.01μF 0.1μF的去耦电容器。有这些电容尽量靠近,因为它是重要的
可以将ICS601-01电源引脚。
禁用REFOUT时钟也是实现低相位噪声很重要;实验室试验已经表明,这种
可以由多达10 dBc的/ Hz的降低相位噪声。
0
-20
相位噪声( dBc的/赫兹)
-40
-60
-80
-100
-120
-140
1.00E
+01
1.00E
+02
1.00E
+03
1.00E
+04
1.00E
+05
1.00E
+06
1.00E+07
O
ffset fromC
arrier (H
z)
IC图1. N相
OISE
S601-01为125微米Z输出,25米晶振输入。
H
H
VD = 3.3 V ,R UTdisabled 。
D
EFO
外部元件/晶体选择
该ICS601-01需要的外部元件正常工作的最小数目。脱钩
0.01μF和0.1μF的电容应连接在VDD和GND之间,尽量靠近部分作为
可能。也可以使用为每个时钟输出33Ω的串联端接电阻器。晶体必须是
连接成靠近芯片越好。水晶应该是基本模式,并联谐振。办
不使用第三个泛音。对于精确调整使用晶体时,电容应beconnected从引脚X1
到地和X2接地。在一般情况下,这些电容的值由下式给出
其中, CL为晶体负载电容:水晶瓶盖(PF ) = ( CL - 5 )× 2,因此,对于具有16 pF负载晶体
电容, 2 22 pF的帽都可以使用。对于任何给定电路板布局, ICS可以测量板
电容和推荐的精确电容值来使用。
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绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致该ICS601-01永久性损坏。这些评价,
这对于ICS商业额定零件标准值,只是应力额定值。功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
电源电压(VDD)
所有输入和输出
工作环境温度,商业版
工作环境温度,工业版
储存温度
结温
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
0至+70
°C
-40至+85
°C
-65到+150
°C
125
°C
260
°C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压(相对于GND测量)
分钟。
-40
+3.0
典型值。
马克斯。
+85
+5.5
单位
°C
V
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 10 %
,环境温度-40 + 85°C
参数
工作电压
输入高电压
输入低电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
符号
VDD
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
条件
只有X1 / ICLK引脚
注1
只有X1 / ICLK引脚
注1
分钟。
3.0
VDD/2+1
典型值。
马克斯。
5.5
单位
V
V
VDD/2-1
2
0.8
V
V
V
V
CMOS电平
I
OH
= -4mA
I
OH
= -12mA
I
OL
= 12毫安
VDD-0.4
2.4
0.4
输出低电压
V
OL
V
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在TE碎电路系统
4
525镭CE街,加利福尼亚州圣何塞, 9512 6
修订版111204
电话:( 08 4 ) 297-1 201
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS601-01
L
OW
P
HASE
N
OISE
C
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M
ULTIPLIER
参数
工作电源电流
短路电流
输入电容
符号
国际直拨电话
C
IN
条件
无负载, 125 MHz的
每路输出
OE ,选择引脚
分钟。
±40
典型值。
22
±60
5
马克斯。
30
单位
mA
mA
pF
注1 :名义上是发生在VDD / 2切换
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 10 %
,环境温度-40 + 85°C
参数
输入频率
输出频率
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
最大绝对抖动,短路
来看, 125 MHz的
最大抖动, 1西格玛,
125兆赫( X5 )
相位噪声,相对于载体,
125兆赫( X5 )
相位噪声,相对于载体,
125兆赫( X5 )
相位噪声,相对于载体,
125兆赫( X5 )
相位噪声,相对于载体,
125兆赫( X5 )
t
OR
t
OF
符号
条件
在3.3V或5V
0.8 2.0V空载
0.8 2.0V ,无负载
在VDD / 2
空载
空载
100 Hz的偏移
1千赫
10 kHz偏置
100 kHz偏置
分钟。
10
典型值。
马克斯。
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单位
兆赫
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dBc的/赫兹
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注2 :输入频率受限于最大输出频率和倍频系数( IE浏览器的16倍,
最大输入频率为13.75兆赫) 。
MDS 601-01 L
在TE碎电路系统
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525镭CE街,加利福尼亚州圣何塞, 9512 6
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