集成
电路
系统公司
ICS843004I-04
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
/ LVCMOS-
TO
-
3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
F
EATURES
四个LVPECL输出
可选的晶体振荡器接口
或LVCMOS / LVTTL单端输入
支持以下应用： SONET / SDH ， SATA ，
或10Gb以太网
输出频率范围： 140MHz的 - 170MHz的，
为560MHz - 680MHz的
VCO范围：为560MHz - 680MHz的
晶体振荡器和CLK范围： 17.5MHz - 21.25MHz
RMS相位抖动@ 622.08MHz的输出，采用了19.44MHz
水晶（ 12kHz的 - 为20MHz ） ： 0.82ps （典型值）
RMS相位抖动@ 156.25MHz输出，使用19.53125MHz
水晶（ 1.875MHz - 20MHz的） ： 0.57ps （典型值）
RMS相位抖动@ 155.52MHz输出，采用了19.44MHz
水晶（ 12kHz的 - 为20MHz ） ： 0.94ps （典型值）
全3.3V供电模式
-40 ° C至85°C的工作环境温度
提供标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS843004I -04是一款4输出LVPECL
合成优化，产生时钟
HiPerClockS
频率为各种高性能
应用程序，并且是在一个构件
HiPerClockS
TM
系列高perfor曼斯
时钟解决方案，从ICS 。该设备可以选择其输入
由晶体输入或单基准时钟
端时钟信号。它可以被配置成生成4
与单独选择分频的一种或输出
经过4个频率选择引脚除以四功能
（F _性S E L [ 3 ： 0 ] ） 。吨他ICS 8 4 3 0 0 4 I - 0 4使用ICS ' 3
rd
代低相位噪声VCO技术，可以
实现1PS或更低的典型毫秒相位抖动。这
确保将轻松满足超频需求
对于SDH（ STM-1 / STM-4 / STM-16 ）和SONET （ OC-3 /
OC12 / OC- 48 ） 。此装置适用于多速率和
多端口线路卡应用。该ICS843004I -04
交通便利，封装在一个小型24引脚TSSOP
封装。
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
XTAL_IN
P
IN
A
SSIGNMENT
÷1
相
探测器
VCO
÷4
0
1
OSC
XTAL_OUT
CLK
下拉
INPUT_SEL
下拉
0
Q0
nQ0
1
M = ÷32
MR
下拉
F_SEL0
上拉
0
1
Q1
nQ1
nQ1
Q1
V
CC
o
Q0
nQ0
MR
F_SEL3
nc
V
CCA
F_SEL0
V
CC
F_SEL1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
nQ2
Q2
V
CCO
Q3
nQ3
V
EE
F_SEL2
INPUT_SEL
CLK
V
EE
XTAL_IN
XTAL_OUT
F_SEL1
上拉
0
1
ICS843004I-04
Q2
nQ2
F_SEL2
上拉
24引脚TSSOP
4.40毫米X 7.8毫米X 0.92毫米
包体
G封装
顶视图
0
1
Q3
nQ3
F_SEL3
上拉
843004AGI-04
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1
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电路
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ICS843004I-04
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
/ LVCMOS-
TO
-
3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
TYPE
描述
差分输出对。 LVPECL接口电平。
输出电源引脚。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
高电平有效复位硕士。当逻辑高电平时，内部分隔为
复位造成真正的输出QX走低， INVER泰德输出nQx
下拉
变高。当逻辑低电平时，内部分隔和输出是
启用。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
上拉
频率选择引脚。 LVCMOS / LVTTL接口电平。见表3 。
无连接。
模拟电源引脚。
核心供电引脚。
并联谐振CR石英晶体界面。 XTAL_OUT是输出，
XTAL_IN是输入。
负电源引脚。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入。
CR石英晶体或CLK输入作为PLL的参考源之间进行选择。
下拉选择LOW时， XTAL输入。选择HIGH，当CLK 。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
差分输出对。 LVPECL接口电平。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2
3, 22
4, 5
6
7,
10,
12,
18
8
9
11
13, 14
15, 19
16
17
20, 21
23, 24
名字
NQ1 ， Q1
V
CCO
Q0 ， nQ0
MR
F_SEL3,
F_SEL0,
F_SEL1,
F_SEL2
nc
V
CCA
V
CC
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
V
EE
CLK
INPUT_SEL
nQ3 ， Q3
Q2 ， NQ2
产量
动力
OUPUT
输入
输入
未使用
动力
动力
输入
动力
输入
输入
产量
产量
注意：
下拉和上拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
下拉
R
上拉
参数
输入电容
输入下拉电阻
输入上拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
T
ABLE
3. O
安输出
C
ONFIGURATION
输入
F_SELx
0
1
0
1
0
1
0
1
XTAL （兆赫）
19.44
19.44
18.75
18.75
19.53125
19.53125
20.141601
20.141601
和
F
Characteristic低频
R
ANGE
F
油膏
T
ABLE
分频值
÷1
÷4
÷1
÷4
÷1
÷4
÷1
÷4
输出频率（ MHz）的
Q0 / nQ0 ： Q3 / nQ3
622.08
155.52
60 0
150
625
156.25
644.5312
161.13
应用
SONET / SDH的
SATA
10千兆以太网
10千兆以太网
66B / 64B FEC
VCO
（兆赫）
622.08
622.08
600
600
625
625
644.5312
644.5312
843004AGI-04
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2
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EMTO
C
锁
C
RYSTAL
/ LVCMOS-
TO
-
3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
贮藏温度，T
英镑
封装的热阻抗，
θ
JA
70 ℃/ W（ 0 MPS ）
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO
I
EE
I
CCA
I
CCO
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
3.465
120
10
120
单位
V
V
V
mA
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
CLK ，
MR， INPUT_SEL
F_SEL0 ： F_SEL3
I
IL
输入低电平电流
CLK ，
MR， INPUT_SEL
F_SEL0 ： F_SEL3
V
CC
= V
IN
= 3.465
V
CC
= V
IN
= 3.465
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
-150
测试条件
最小典型
2
-0.3
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
150
5
单位
V
V
A
A
A
A
T
ABLE
4C 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
0.6
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
CCO
- 2V.
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锁
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3.3V LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
17.5
典型
最大
21.25
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
基本
T
ABLE
6. AC - C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
t
SK （ O）
参数
输出频率
输出偏斜;注1 ，2，3
155.52MHz,
积分范围： 12kHz的 - 20MHz的
156.25MHz,
积分范围： 1.875MHz - 20MHz的
622.08MHz,
积分范围： 12kHz的 - 20MHz的
20 ％至80％
0.94
0.57
82
175
675
52
60
测试条件
输出分= 1 ÷
输出分频器= ÷ 4
最低
560
14 0
典型
最大
680
170
75
单位
兆赫
MH
ps
ps
ps
ps
ps
%
%
t
JIT （ φ ）
RMS相位抖动（随机） ;
注4
t
R
/ t
F
ODC
输出上升/下降时间
输出占空比
输出分频器= ÷ 4
48
输出分= 1 ÷
40
注1 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
CCO
/2.
注2 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
注3 ：用在同一分频配置中的所有输出作出输出偏斜的测量。
注4 ：请参考相位噪声图。
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YNTHESIZER
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
2V
V
CCA
= 2V
nQx
Qx
V
CC
,
V
CCO
Qx
范围
NQY
Qy
TSK （ O）
LVPECL
V
EE
nQx
-1.3V±0.165V
3.3V
矿
/3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
相位噪声图
O
安输出
S
KEW
噪声功率
相位噪声面膜
80%
时钟
输出
80%
V
SW I N G -
20%
t
R
t
F
20%
f
1
偏移频率
f
2
RMS抖动=面积根据假面相位噪声叠加
RMS P
HASE
J
伊特尔
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
nQ0 ： nQ3
Q0:Q3
t
PW
t
期
ODC =
t
PW
t
期
x 100%
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
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