IGC18T120T6L
IGBT4低功耗芯片
产品特点：
1200V沟道+场站技术
低开关损耗
正温度系数
简单的并联
该芯片被用于：
低/中功率模块
C
应用范围：
低/中功率驱动器
G
E
芯片型号
IGC18T120T6L
V
CE
1200V
I
Cn
15A
模具尺寸
4.16 X 4.34毫米
2
包
锯成薄片上
机械参数
栅格尺寸
发射极焊盘尺寸
门焊盘尺寸
总面积/主动
厚度
晶圆尺寸
平位置
每片晶圆的芯片Max.possible
钝化前端
金属垫
背面金属
DIE BOND
引线键合
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
4.16 x 4.34
2.652 x 2.246
1.185 x 0.702
18.1 / 10.3
115
150
0
822
Photoimide
3200 nm的AlSiCu
倪银 - 系统
适用于环氧树脂和软钎焊接模具
导电胶水或焊料
人， <500μm
0.65毫米;最大1.2毫米
储存于原装容器中，在干燥的氮气，
< 6个月在23 ℃的环境温度下
m
mm
GRD
mm
2
通过在FINEON技术， AIM PMD CID CLS ， L7633C ，第1版， 2007年10月31日编辑
IGC18T120T6L
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压，
T
j=25
°C
DC集电极电流限制T
JMAX
集电极电流脉冲，T
p
限制T
JMAX
门发射极电压
工作结温
短路数据
2 )
V
GE
= 15V, V
CC
= 800V,
TVJ = 150℃
反向偏置安全工作区
2 )
（ RBSOA ）
1)
2)
符号
V
权证
I
C
I
中c p ü升s
V
摹ê
T
j
tp
价值
1200
1)
单位
V
A
A
V
°C
s
45
±20
-40 ... +175
10
I
C（最大值）
= 30 A，V
CE MAX
= 1200V ， TVJ最大值= 150℃
根据装配的热性能
不受生产测试 - 已经过设计/特性验证
静态特性（晶圆测试） ，
T
j =25
°C
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
门发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
门发射极漏电流
集成门极电阻
符号
V
（ BR ） CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
R
GINT
条件
分钟。
V
GE
= 0V时，我
C
= 0.5米
V
GE
= 15V ，我
C
=15 A
I
C
= 0.5毫安，V
GE
= V
权证
V
CE
=1200V , V
GE
=0V
V
权证
=0V , V
GE
=20V
-
1200
1.6
5.0
1.85
5.8
2.1
6.5
2
120
A
nA
V
价值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性
（不受生产测试 - 已经过设计/特性验证）
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
条件
V
权证
= 2 5 V ,
V
GE
=0V,
f=1MHz
价值
分钟。
典型值。
900
80
55
pF
马克斯。
单位
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IGC18T120T6L
开关特性
感性负载（不受生产测试 - 设计验证
/特性）
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
1)
符号
t
（O N）
t
r
t
（O F F ）
t
f
条件
1)
T
j
= 1 2 5°C
V
C C
=600V,
I
C
=15 A,
V
GE
=- 1 5 / 1 5 V ,
R
G
= - - -
价值
分钟。
典型值。
待定
待定
马克斯。
单位
ns
待定
待定
值也由寄生L-和C-在测量和包装的影响。
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IGC18T120T6L
绘图芯片
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IGC18T120T6L
而且电气特性
该芯片数据手册指
器件的数据手册
待定
描述
AQL的目视检查0,65根据故障目录
根据MIL -STD 883静电放电敏感设备
测试 - 诺门菲拉赫/ Prüffeld
出版
英飞凌科技股份公司
81726慕尼黑，德国
英飞凌科技股份公司2007
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的特点。
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信息
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警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关类型的信息
有问题请联系距离您最近的英飞凌科技办公室。
英飞凌组件只能用于生命 - 支持设备或系统与快递
英飞凌科技的书面批准，如果有这样的组件故障可以合理预期
造成生命-support设备或系统的故障，或影响该设备的安全性或有效性或
系统。生命支持设备或系统的目的是要植入在人体内，或者以支持
和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该
用户或其他人的健康可能受到威胁。
通过在FINEON技术， AIM PMD CID CLS ， L7633C ，第1版， 2007年10月31日编辑
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