IC62LV25616L
IC62LV25616LL
文档标题
256Kx16位低电压和超低功耗CMOS静态RAM
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版本号
0A
0B
历史
最初的草案
草案日期
1,2001五月
备注
初步
1.更改为吨
PWE
： 45 40纳秒55纳秒产品
八月21,2001
： 60 40纳秒70纳秒产品
2.更改为V
CC
： 2.2-3.6V到2.7-3.6V
3.1更改为我
CC
测试conditiomn ： V
CC
=最大。到3V
3.2改变了我
CC
： 35至40mA为55 ns的商业产品
30 35mA的电流为70 ns的商业首页=产品
25 30毫安电流为100 ns商用产品
4.更改了我
SB1
试验条件：用
CE
只有控制
5.1更改为V
DR
分钟。 ： 1.2 1.5V
5.2更改为我
DR
测试条件： V
CC
= 1.2 1.5V
一月29,2002
1.更改了我
CC
40 mA至25毫安为55纳秒
35毫安到20 mA为70纳秒
30毫安至15mA为100纳秒
2.Change了我
DR
： 4μA至5 μA商业/ LL产品
6μA 9 μA工业/ LL产品
9,2002十月
更改V
OH
： 2.0V至2.4V
0C
0D
所附的说明书是由ICSI提供。集成电路解决方案公司保留更改规格的权利和
产品。 ICSI会回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系ICSI办事处。
集成电路解决方案公司
LPSR013-0D 2002年10月11日
1
IC62LV25616L
IC62LV25616LL
256K ×16低电压，超低
低功耗CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 55 ， 70 ， 100纳秒
CMOS低功耗运行
- 60毫瓦（典型值）的操作
- 3 μW （典型值） CMOS待机
TTL兼容接口电平
??单2.7V - 3.6V的Vcc电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
提供44引脚TSOP -2和48引脚
6 * 8毫米TF -BGA
描述
该
ICSI
IC62LV25616L和IC62LV25616LL是低功耗的，
4.194,304位静态RAM， 16组织为262,144字
位。他们使用的是制造
ICSI
的高性能CMOS
技术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，产量高的性能和
低功耗设备。
当
CE
为高（取消）或两者
LB
和
UB
高，
器件处于待机模式，在该功率
耗散可以通过使用CMOS输入电平被减少。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IC62LV25616L和IC62LV25616LL封装在
JEDEC standare 44针TSOP -2和48引脚6 * 8毫米TF -BGA 。
功能框图
A0-A17
解码器
256K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2001年，集成电路解决方案公司
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IC62LV25616L
IC62LV25616LL
销刀豆网络gurations
44引脚TSOP- 2
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A16
A15
A14
A13
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
A17
48引脚TF- BGA （俯视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
VCC
I / O
14
I / O
15
NC
2
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
6
N / C
I / O
0
I / O
2
VCC
GND
I / O
6
I / O
7
NC
引脚说明
A0-A17
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
VCC
GND
低字节控制（L / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ L / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
输出DISAB
X
读
WE
X
X
X
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
高-Z
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
H
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
H
高-Z
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0/-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
活跃
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
动力
支持
支持
支持
活跃
写
活跃
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IC62LV25616L
IC62LV25616LL
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V- 3.6V
2.7V - 3.6V
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
V
CC
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
在偏置温度
相关的Vcc与GND
储存温度
功耗
价值
-0.5 VCC + 0.5
-40至+85
-0.3到+4.0
-65到+150
1.0
单位
V
°C
V
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
(1)
V
IL
(2)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
测试条件
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
, O
UTPUTS
D
ISABLED
注意事项：
1. V
IH
（最大值） - V
CC
+ 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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IC62LV25616L
IC62LV25616LL
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入参考电平
输出参考电平
输出负载
单位
0.4V至2.2V
5纳秒
1.3V
1.5V
见图1
AC测试负载
1 TTL
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
图1
IC62LV25616L电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
1
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
OR
ULB控制
测试条件
V
CC
= 3V,
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-55
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
25
25
0.2
0.3
35
50
-70
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
20
20
0.2
0.3
35
50
-100
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
15
15
0.2
0.3
35
50
单位
mA
mA
I
SB
2
A
V
CC
=最大，V
IN
≥V
CC
-0.2V或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ，
UB
/
LB
≥
V
CC
– 0.2V
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
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QQ：2881677436 复制
