MOSFET
金属氧化物半导体场效应晶体管
的CoolMOS E6
650V的CoolMOS E6功率晶体管
IPx65R280E6
数据表
2.0版本, 2010-04-26
最终科幻
在D美国TR保险业监督升& M ü升TI米R·K (E T)
650V的CoolMOS E6功率晶体管
IPA65R280E6 , IPB65R280E6
IPI65R280E6 , IPP65R280E6
IPW65R280E6
1
描述
的CoolMOS 是一项革命性的技术,用于高压功率
的MOSFET ,根据超结( SJ )原理而设计
并率先通过英飞凌科技。的CoolMOS C6系列
结合了领先SJ MOSFET供应商与经验
高级的创新。所提供的设备提供的所有好处
快速开关SJ MOSFET ,同时不牺牲易用性。
极低的开关损耗和传导损耗使开关
应用更高效,更紧凑,更轻,冷却。
特点
极低造成的损失非常低的FOM
DSON
*Q
g
与ê
OSS
极高的耐用性减刑
易于使用/驱动器
JEDEC
1)
合格的无铅电镀,无卤素
门
销1
漏
销2
应用范围:
适配器
来源
3脚
请注意:对于并联的MOSFET上使用铁氧体磁珠
栅或单独的图腾柱通常建议。
表1
参数
主要性能参数
价值
700
0.28
45
39
3.7
500
包
PG-TO247
PG-TO263
PG-TO262
PG-TO220
PG- TO220 FULLPAK
65E6280
单位
V
Ω
nC
A
J
A / μs的
记号
相关链接
IFX的CoolMOS网页
IFX设计工具
V
DS
@
T
, MAX
R
DS ( ON) ,最大
Q
克,典型值
I
D,脉冲
E
OSS
@ 400V
体二极管D
i
/d
t
类型/订货代码
IPW65R280E6
IPB65R280E6
IPI65R280E6
IPP65R280E6
IPA65R280E6
1 ) J- STD20和JESD22
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650V的CoolMOS E6功率晶体管
IPx65R280E6
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描述
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
目录
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2
3
4
5
6
7
8
最大额定值
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
热特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
电气特性
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
电气特性图
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
包装纲要
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
修订历史
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
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IPx65R280E6
最大额定值
2
最大额定值
at
T
j
= 25℃,除非另有规定。
表2
参数
连续漏电流
1)
漏电流脉冲
2)
雪崩能量,单脉冲
雪崩能量,重复
雪崩电流,重复性
MOSFET的dv / dt坚固
门源电压
功耗
的TO-220 ,TO- 247 ,TO- 262 ,TO- 263
功耗
的TO-220 FULLPAK
工作和存储温度
安装力矩
的TO-220 ,TO- 247
安装力矩
的TO-220 FULLPAK
连续二极管的正向电流
二极管脉冲电流
2)
反向二极管的dv / dt
3)
I
S
I
S,脉冲
dv / dt的
-
-
-
-
-
-
最大额定值
符号
分钟。
I
D
I
D,脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
V
GS
P
合计
P
合计
T
j
,T
英镑
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-
-55
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
13.8
8.7
39
290
0.44
2.4
50
20
30
104
32
150
60
50
12
39
15
A
A
V / ns的
°C
NCM
M3和M3.5螺丝
M2.5螺丝
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
V
DS
= 0 ... 400 V,I
SD
≤
I
D
,
T
j
=25 °C
(见表22 )
W
A
V / ns的
V
V
DS
=0...480 V
STATIC
AC( f>1赫兹)
T
C
=25 °C
A
mJ
A
T
C
= 25 °C
T
C
= 100°C
T
C
=25 °C
I
D
= 2.4 A,V
DD
=50 V
(见表21)
I
D
= 2.4 A,V
DD
=50 V
单位
注/测试条件
di
f
/ DT
最大的二极管整流
3)
速度
1 )通过有限
T
,最大值
最大占空比D = 0.75
2 )脉冲宽度
t
p
受
T
, MAX
3 )相同的偏低和具有相同的高边开关
R
G
500
A / μs的
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IPx65R280E6
热特性
3
热特性
表3
参数
TO- 220 ( IPP65R280E6 )热特性, TO- 247 ( IPW65R280E6 ) , TO- 262 ( IPI65R280E6 )
符号
分钟。
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
1.2
62
260
°C
° C / W
含铅
1.6毫米( 0.063英寸)
从案例10秒
单位
注意: /
测试条件
热阻,结 - 案
R
thJC
热阻,结 -
环境
焊接温度,
波峰焊只允许在
LEADS
表4
参数
R
thJA
T
出售
TO- 220FullPAK热特性( IPA65R280E6 )
符号
分钟。
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
3.9
80
260
°C
° C / W
含铅
1.6毫米( 0.063英寸)
从案例10秒
单位
注意: /
测试条件
热阻,结 - 案
R
thJC
热阻,结 -
环境
焊接温度,
波峰焊只允许在
LEADS
表5
参数
R
thJA
T
出售
TO- 263热特性( IPB65R280E6 )
符号
分钟。
-
-
-
-
值
典型值。
马克斯。
1.2
62
° C / W
SMD版本,设备
在PCB上,最小的
脚印
SMD版本,设备
在PCB上, 6厘米
2
冷却
区域
1)
°C
回流焊MSL1
单位
注意: /
测试条件
热阻,结 - 案
R
thJC
热阻,结 -
环境
R
thJA
-
35
-
焊接温度,
波&回流焊允许
T
出售
-
-
260
1 )设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米一层环氧树脂FR4 PCB与6厘米
2
铜面积(厚度为70μm )的漏极连接点。
PCB是垂直的无气流冷却。
最终数据手册
5
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