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IRF10N40

P

OWER

MOSFET

概述

这种高电压MOSFET采用先进的终止

方案以提供增强的电压阻断能力

在不降低性能随着时间的推移。另外，该

先进的MOSFET被设计成能承受高能量的

雪崩和减刑模式。新能源

高效的设计还提供了一个漏极至源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高转速

电源供应器，转换器，开关和应用

PWM电机控制，这些设备是特别好

适用于桥式电路中的二极管速度和

换向安全工作区域是至关重要的，并提供

针对突发的额外电压和安全边际

瞬变。

特点

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管恢复时间等同于

离散快速恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

I

DSS

和V

DS

（上）指定高温

引脚配置

TO-220

符号

D

顶视图

摹吃

SOU RCE

漏

G

S

1

2

3

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

等级

漏电流

连续

脉冲

栅极 - 源极电压

总功耗

减免上述25

工作和存储温度范围

单脉冲漏极至源雪崩能源

热阻

结到外壳

结到环境

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

T

J

= 25

(V

DD

= 100V, V

GS

= 10V ，我

L

= 10A ，L = 6mH中，R

G

= 25 )

JC

JA

符号

I

D

I

DM

V

GS

V

GSM

P

D

T

J

, T

英镑

E

AS

价值

10

40

±20

±40

125

1.0

-55到150

300

1.7

62.5

260

单位

A

V

V

W

W/

mJ

/W

CONTINUE

不重复

T

L

第1页

IRF10N40

P

OWER

MOSFET

订购信息

产品型号

包

...................IRF10N40..............................................TO-220

电气特性

除非另有规定，T

J

= 25

.

IRF10N40

特征

漏源击穿电压

(V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A)

漏极 - 源极漏电流

(V

DS

= 400 V, V

GS

= 0 V)

(V

DS

= 400 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125 )

门源漏电流，正向

(V

GSF

= 20 V, V

DS

= 0 V)

门源漏电流，反向

(V

GSR

= 20 V, V

DS

= 0 V)

栅极阈值电压

(V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A)

静态漏源导通电阻（V

GS

= 10 V，I

D

= 5.0A) *

漏源电压（V

GS

= 10 V)

(I

D

= 5.0 A)

正向跨导（V

DS

= 50 V，I

D

= 5.0A) *

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

(V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0兆赫）

(V

DD

= 200 V，I

D

= 10.0 A,

V

GS

= 10 V,

R

G

= 10 ) *

(V

DS

= 320 V，I

D

= 10.0 A,

V

GS

= 10 V)*

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

0.25

1.0

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

L

D

L

S

2.0

100

...............-100

4.0

nA

nA

V

民

400

典型值

最大

单位

V

mA

................0.4...............

0.55

6.0

..4.0................

1570

230

55

25

37

75

31

46

10

23

4.5

7.5

63

V

姆欧

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

nH

nH

内部排水电感

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部排水电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

源极 - 漏极二极管的特性

正向导通电压（ 1）

向前开启时间

反向恢复时间

(I

S

= 10.0 A，V

GS

= 0 V,

d

IS

/d

t

= 100A / μs）内

V

SD

t

on

t

rr

.................2.0..................

V

**

250

ns

ns

*脉冲测试：脉冲宽度300μS ，占空比

**忽略不计，占主导地位的电路中电感

2%

第2页

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典型电气特性

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