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RIMM
TM
模块
与256 / 288MB RDRAMs初步
修订历史
*版本0.95
日期： 2001年7月23日
1，第2页， 7 ， 8 ， 10 ， 12 ：添加二维RIMM部分
牧师0.95 / July.01
1
RIMM
概观
TM
模块
与256 / 288MB RDRAMs初步
关键时序参数/部件号
下面的表列出了频率和延迟箱
从RIMM模块。
表1：按频率和延迟部件号
I / O频率。
组织
兆赫
吨RAC （
ROW
ACCESS
时间
） NS
‘
Rambus公司
RIMM
TM
模块是一个通用
适合用于高性能内存子系统
在范围广泛的应用，包括计算机
存储器，个人计算机，工作站和其他
应用中的高带宽和低延迟的
所需。
Rambus公司RIMM模块组成256 / 288MB
直接Rambus DRAM器件。这些是非常
组织为16M字的高速CMOS DRAM的
由16/18位。采用RAMBUS信号电平的
（ RSL ）技术允许的600MHz ， 711MHz或
而使用传统的800MHz的传输速率
系统和电路板设计技术。 RDRAM
器件能够持续数据传输在1.25
每两个字节NS （每16个字节为10ns ） 。
在RDRAM架构，可实现最高
持续的带宽为多，同时
随机寻址的存储器事务。该
单独的控制和数据总线具有独立的行
和列控收益率超过95 ％，公交车的效率。该
直接RDRAM的32银行架构，支持最多
每个设备四个同步交易。
产品型号
HYMR23216(18)H-653
HYMR23216(18)H-745
HYMR23216(18)H-845
HYMR23216(18)H-840
HYMR26416(18)H-653
HYMR26416(18)H-745
HYMR26416(18)H-845
HYMR26416(18)H-840
HYMR212816(18)H-653
HYMR212816(18)H-745
HYMR212816(18)H-845
HYMR212816(18)H-840
HYMR225616(18)H-653
HYMR225616(18)H-745
HYMR225616(18)H-845
HYMR225616(18)H-840
32M X 16/18
32M X 16/18
32M X 16/18
32M X 16/18
64M X 16/18
64M X 16/18
64M X 16/18
64M X 16/18
128M X 16/18
128M X 16/18
128M X 16/18
128M X 16/18
256M X 16/18
256M X 16/18
256M X 16/18
256M X 16/18
600
711
800
800
600
711
800
800
600
711
800
800
600
711
800
800
53
45
45
40
53
45
45
40
53
45
45
40
53
45
45
40
特点
w
高速800711和600 MHz的RDRAM存储
w
184边缘连接器垫1毫米焊盘间距
w
最大模块PCB尺寸： 133.5毫米X 34.93毫米X
1.37毫米（ 5.21 “× 1.375 ” ×0.05 “ ）
w
镀金边缘连接器触点垫
w
串行存在检测（ SPD ）的支持
w
从2.5伏电源供电（ ± 5 ％ ）
w
掉电自刷新模式
w
μBGA
包装（ 92球）
w
单独的行和列客车更高
效率
外形
Rambus公司RIMM模块提供了184片
从适合的因素1毫米边缘连接焊盘间距
无论是184还是168的接触RIMM连接器。该
RIMM模块适用于台式机和其他系统
应用程序。如图1所示，显示了八个设备
Rambus公司RIMM模块，无需散热器。
图1 ：无散热器的Rambus RIMM模块
牧师0.95 / July.01
2
RIMM
表2 ：模块垫数量和信号名称
TM
模块
与256 / 288MB RDRAMs初步
针
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
A20
A21
A22
A23
A24
A25
A26
A27
A28
A29
A30
A31
A32
A33
A34
A35
A36
A37
A38
A39
A40
A41
A42
A43
A44
A45
A46
引脚名称
GND
LDQA8
GND
LDQA6
GND
LDQA4
GND
LDQA2
GND
LDQA0
GND
LCTMN
GND
LCTM
GND
NC
GND
LROW1
GND
LCOL4
GND
LCOL2
GND
LCOL0
GND
LDQB1
GND
LDQB3
GND
LDQB5
GND
LDQB7
GND
LSCK
Vcmos
SOUT
Vcmos
NC
GND
NC
VDD
VDD
NC
NC
NC
NC
针
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
B13
B14
B15
B16
B17
B18
B19
B20
B21
B22
B23
B24
B25
B26
B27
B28
B29
B30
B31
B32
B33
B34
B35
B36
B37
B38
B39
B40
B41
B42
B43
B44
B45
B46
引脚名称
GND
LDQA7
GND
LDQA5
GND
LDQA3
GND
LDQA1
GND
LCFM
GND
LCFMN
GND
NC
GND
LROW2
GND
LROW0
GND
LCOL3
GND
LCOL1
GND
LDQB0
GND
LDQB2
GND
LDQB4
GND
LDQB6
GND
LDQB8
GND
LCMD
Vcmos
罪
Vcmos
NC
GND
NC
VDD
VDD
NC
NC
NC
NC
针
A47
A48
A49
A50
A51
A52
A53
A54
A55
A56
A57
A58
A59
A60
A61
A62
A63
A64
A65
A66
A67
A68
A69
A70
A71
A72
A73
A74
A75
A76
A77
A78
A79
A80
A81
A82
A83
A84
A85
A86
A87
A88
A89
A90
A91
A92
引脚名称
NC
NC
NC
NC
VREF
GND
SCL
VDD
SDA
SVDD
SWP
VDD
RSCK
GND
RDQB7
GND
RDQB5
GND
RDQB3
GND
RDQB1
GND
RCOL0
GND
RCOL2
GND
RCOL4
GND
RROW1
GND
NC
GND
RCTM
GND
RCTMN
GND
RDQA0
GND
RDQA2
GND
RDQA4
GND
RDQA6
GND
RDQA8
GND
针
B47
B48
B49
B50
B51
B52
B53
B54
B55
B56
B57
B58
B59
B60
B61
B62
B63
B64
B65
B66
B67
B68
B69
B70
B71
B72
B73
B74
B75
B76
B77
B78
B79
B80
B81
B82
B83
B84
B85
B86
B87
B88
B89
B90
B91
B92
引脚名称
NC
NC
NC
NC
VREF
GND
SA0
VDD
SA1
SVDD
SA2
VDD
RCMD
GND
RDQB8
GND
RDQB6
GND
RDQB4
GND
RDQB2
GND
RDQB0
GND
RCOL1
GND
RCOL3
GND
RROW0
GND
RROW2
GND
NC
GND
RCFMN
GND
RCFM
GND
RDQA1
GND
RDQA3
GND
RDQA5
GND
RDQA7
GND
3
牧师0.95 / July.01
RIMM
表3 ：模块连接器垫说明
信号
GND
模块连接器垫
A1, A3, A5, A7, A9, A11, A13, A15,
A17, A19, A21, A23, A25, A27, A29,
A31, A33, A39, A52, A60, A62, A64,
A66, A68, A70, A72, A74, A76, A78,
A80, A82, A84, A86, A88, A90, A92,
B1, B3, B5, B7, B9, B11, B13, B15,
B17, B19, B21, B23, B25, B27, B29,
B31, B33, B39, B52, B60, B62, B64,
B66, B68, B70, B72, B74, B76, B78,
B80, B82, B84, B86, B88, B90, B92
B10
B12
B34
A20 ， B20 ， A22 ， B22 ， A24
A14
A12
A2，B2， A4，B4 ，A6 ，B6， A8 ，B8， A10
TM
模块
与256 / 288MB RDRAMs初步
I / O
TYPE
描述
对RDRAM的核心和接口的参考地。
72 PCB连接器垫。
LCFM
LCFMN
LCMD
LCOL4..
LCOL0
LCTM
LCTMN
LDQA8..
LDQA0
LDQB8..
LDQB0
I
I
I
I
I
I
RSL
RSL
时钟的主。接口时钟用于接收
从通道RSL信号。正极性
.
时钟的主。接口时钟用于接收
从通道RSL信号。负极性。
serial命令用来读取和写入
V
CMOS
控制寄存器。也可用于电源管理。
RSL
RSL
RSL
列巴。含有控制和地址的5位总线
信息栏访问。
时钟掌握。接口时钟使用和Transmit
婷RSL信号通道。正极性。
时钟掌握。接口时钟使用和Transmit
婷RSL信号通道。负极性。
数据总线答： 9 - bit总线携带的读取一个字节或
写的信道和RDRAM之间的数据。
LDQA8是x16的RDRAM设备不起作用。
数据总线B. 9位一辆载有读取一个字节或
写的信道和RDRAM之间的数据。
LDQB8是x16的RDRAM设备不起作用。
行总线。含有控制和地址3位总线
信息行的访问。
串行时钟输入。时钟源用于读
这些焊盘是不连接。这8个连接器
垫是为将来使用而保留的。
这些焊盘是不连接。这些16connector
垫技术对于将来使用而保留的。 168接触
RIMM连接器没有连接到这些印刷电路板
垫。
I / O
B32 ， A32 ， B30 ， A30 ， B28 ， A28 ， B26 ，
A26 ， B24
RSL
I / O
RSL
LROW2..
B16 ， A18 ， B18
LROW0
LSCK
NC
NC
A34
A16 ， B14 ， A38 ， B38 ， A40 ， B40 ， A77 ，
B79
A43 ， B43 ， A44 ， B44 ， A45 ， B45 ， A46 ，
B46 ， A47 ， B47 ， A48 ， B48 ， A49 ， B49 ，
A50 ， B50
I
I
RSL
V
CMOS
并写入到RDRAM的控制寄存器。
RCFM
RCFMN
B83
B81
I
RSL
时钟的主。接口时钟用于receiv-
荷兰国际集团从通道RSL信号。正极性。
时钟的主。接口时钟用于receiv-
荷兰国际集团从通道RSL信号。负polar-
性。
4
I
RSL
牧师0.95 / July.01
RIMM
信号
RCMD
模块连接器垫
B59
TM
模块
与256 / 288MB RDRAMs初步
I / O
TYPE
描述
使用串行指令输入读取和写入
到控制寄存器。也可用于电源
管理。
列巴。含控制5位总线和
地址信息栏访问。
时钟掌握。接口时钟使用和Transmit
婷RSL信号通道。正极性。
时钟掌握。接口时钟使用和Transmit
婷RSL信号通道。负极性。
数据总线答： 9 - bit总线携带的读取一个字节或
写的信道和RDRAM之间的数据。
RDQA8是x16的RDRAM设备不起作用。
数据总线B. 9位一辆载有读取一个字节或
写的信道和RDRAM之间的数据。
RDQB8是x16的RDRAM设备不起作用。
行总线。含有控制和地址3位总线
信息行的访问。
串行时钟输入。时钟源用于读
并写入到RDRAM的控制寄存器。
串行存在检测地址0 。
串行存在检测地址1 。
串行存在检测报告2 。
串行存在检测时钟。
串行存在检测数据（集电极开路I / O）
串行I / O的读取和写入控制
寄存器。重视第一RDRAM的SIO0上
该模块。
串行I / O的读取和写入控制
寄存器。重视最后的RDRAM的SIO1上
该模块。
SPD的电压。用于信号SCL ， SDA ，瑞典，
SA0 ， SA1和SA2 。
I
RCOL4..
RCOL0
RCTM
RCTMN
A73 ， B73 ， A71 ， B71 ， A69
A79
A81
V
CMOS
I
I
I
RSL
RSL
RSL
RDQA8..
A91 ， B91 ， A89 ， B89 ， A87 ， B87 ， A85 ，
B85 ， A83
RDQA0
RDQB8..
B61 ， A61 ， B63 ， A63 ， B65 ， A65 ， B67 ，
A67 ， B69
RDQB0
RROW2..
B77 ， A75 ， B75
RROW0
RSCK
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
罪
A59
B53
B55
B57
A53
A55
B36
I / O
RSL
I / O
RSL
I
I
I
I
I
I
I / O
I / O
RSL
V
CMOS
SV
DD
SV
DD
SV
DD
SV
DD
SV
DD
V
CMOS
SOUT
A36
I / O
SV
DD
SWP
V
CMOS
VDD
VREF
A56 ， B56
A57
A35 ， B35 ， A37 ， B37
A41 ， A42 ， A54 ， A58 ， B41 ， B42 ， B54 ，
B58
A51 ， B51
V
CMOS
I
SV
DD
串行存在检测写保护（高电平有效） 。
当低，则SPD可写以及读出。
CMOS I / O电压。用于信号CMD ， SCK ，
SIN ， SOUT 。
I
电源电压为RDRAM的核心和接口
逻辑。
逻辑阈值参考电压为RSL的信号。
牧师0.95 / July.01
5
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