高动态范围FET混频器
HMJ5
通信EDGE
TM
产品信息
工作原理图
RF
LO
产品特点
x
+35 dBm的IIP3
x
无需外部匹配元件
需要
x
RF 40 - 1000兆赫
x
LO 30 - 900兆赫
x
如果在5 - 250兆赫
产品说明
该HMJ5是高动态范围的砷化镓场效应管
混频器。这种有源FET混频器实现了一个典型的
+35 dBm的以LO三阶截点
推动+17 dBm的水平。该HMJ5采用的是
成本低，J引脚封装。典型应用
包括
频率
上/下
转换，
调制和解调的接收机和
在通信系统中使用的发射机。
x
+17 dBm的LO驱动电平
+3Vdc
IF
x
+ 3V的35毫安直流电源
x
低成本表面贴装J引线
包
功能
IF
LO
RF
+3V
地
PIN号
2
13
21
10
所有其他引脚
特定网络阳离子
(1)
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
SSB变频损耗
噪声系数
LO-RF隔离
LO- IF隔离
输入IP3
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
民
典型值
40 – 1000
30 – 900
5 – 250
7.5
9.5
28
30
35
11.7
6.0
10.9
+23
+17
35
最大
条件
9.0
20
24
31
RF = 900 MHz的@ 0 dBm的
60
注意事项：
1.测试条件除非另有说明： 25 C ， RF = 905 MHz的@ -10 dBm时， LO = 900MHz的@ +17 dBm时， IF = 5兆赫。
2.测在一个50欧姆的系统以额定的LO驱动器中仅除非另外指明，下变频器的应用程序。
F | 3. LO频率必须从IF频率由至少2兆赫（即分开
LO =
F
IF
|
绝对最大额定值
工作温度
储存温度
最大输入功率
参数
-40至+85
qC
-65到+100
qC
+25 dBm的
等级
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率的总和不得超过25 dBm的。
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
§
¨ ¤
订购信息
HMJ5
HMJ5-PCB
产品型号
高动态范围FET混频器
完全组装的应用电路
描述
网站： www.wj.com
第1页3 2006年3月
高动态范围FET混频器
HMJ5
通信EDGE
TM
产品信息
外形绘图
产品标识
该组件将被标有
“ HMJ7 ”标志用一个四位数
字母数字批号XXXX 。
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
ESD信息
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
2级
通过在2000 V
人体模型（ HBM ）
JEDEC标准JESD22- A114
IV级
通过在2000 V
带电器件模型（ CDM）
JEDEC标准JESD22- C101
尺寸均以英寸。
公差.XXX [ 0.015 .XX [ 0.02
图纸在最大尺寸的说明。
安装配置。笔记
盘图形/安装配置
1.接地过孔是热和射频接地关键
注意事项。
2.所需的14万最少36接地过孔
FR4板。
3.如果您的PCB设计规则允许，接地过孔应
划归用地模式更好的RF和热
性能。否则，接地过孔应放置
尽量靠近陆地的模式成为可能。
4.
迹宽度取决于PCB材料。
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
网站： www.wj.com
第3页3 2006年3月
高动态范围FET混频器
HMJ5
通信EDGE
产品特点
+35 dBm的IIP3
无需外部匹配元件
产品说明
该HMJ5是一种高动态范围，砷化镓场效应管
混频器。这种有源FET混频器实现了一个典型的
+35 dBm的以三阶截点
+17 dBm的LO驱动电平。该HMJ5来
在一个低成本， J引线封装。典型应用
系统蒸发散包括频率上/下变频，
调制和解调的接收机和
在通信系统中使用的发射机。
工作原理图
22 21 2019 18171615 1413 12
需要
RF 40-1000兆赫
LO 30-900兆赫
IF 5-250 MHz的
+17 dBm的LO驱动电平
+ 3V以35mA的直流电源
低成本表面贴装J引线
包
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
B
7d
+1
特定网络阳离子
参数
频率范围：
RF
LO
IF
SSB变频损耗
SSB噪声系数
隔离：
LO至RF
LO至IF
IIP3
回波损耗：
RF端口
LO端口
如果port
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
最低
40
30
5
ED
RIVE
T
PDA
LO
U
m
功能引脚号功能引脚号
地
1
地
12
IF
2
LO
13
地
3-9
地面14-20
+ 3V直流
10
RF
21
地
11
地
22
典型
最大
1000
900
250
9.0
条件
7.5
9.5
20
24
31
28
30
35
11.7
6.0
10.9
23
17
35
RF = 900兆赫（ 0 dBm的）
60
注意事项：
1， RF = 905兆赫（ -10 dBm的） LO 900 （ 17分贝） IF = 5在25 ℃。
2.测在一个50欧姆的系统以额定的LO驱动器中仅除非另外指明，下变频器的应用程序。
F | 3. LO频率必须从IF频率由至少2兆赫（即分开
LO
- F
IF
|
≥
2兆赫） 。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
等级
-40至+ 85°C
-65到+ 100°C
+25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ5
HMJ5-PCB
描述
高动态范围FET混频器
（可在磁带和卷轴）
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的。
WJ通讯公司
电话： 1-800 - WJ1-4401 传真： 408-433-5649 电子邮件： sales@wj.com网站： www.wj.com
2000年9月
HMJ5
性能图表
IP3与RF频率
50
转换损耗与频率的射频
9
45
IP3 （ dBm的）
转换损耗（dB ）
8
IF = 250 MHz的
40
IF = 250 MHz的
35
IF = 5兆赫
30
0
300
600
射频频率（ MHz）的
900
7
IF = 5兆赫
IF = 100 MHz的
6
5
0
200
400
600
800
1000
射频频率（ MHz）的
LO至RF隔离
60
50
L-R隔离度（ dB）的
L-1隔离度（dB ）
40
30
20
10
0
300
600
LO频率（MHz）
900
30
0
50
60
LO至IF隔离
40
300
600
900
射频频率（ MHz）的
RF端口回波损耗
5
5
LO端口回波损耗与LO频率
5
如果返回损耗与IF频率
LO = 750 MHz的
LO = 850 MHz的
15
LO = 450 MHz的
20
LO = 250 MHz的
LO = 350 MHz的
回波损耗（分贝）
15
15
20
20
25
0
200
400
600
射频频率（ MHz）的
800
1000
25
0
200
400
600
LO频率（MHz）
800
1000
回波损耗（分贝）
10
LO回波损耗
10
10
LO = 550 MHz的
25
50
100
150
IF频率（MHz ）
200
250
WJ通讯公司
电话： 1-800 - WJ1-4401 传真： 408-433-5649 电子邮件： sales@wj.com网站： www.wj.com
2000年9月
HMJ5
外形绘图
土地模式
安装配置
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
注意！
ESD敏感器件。
WJ通讯公司
电话： 1-800 - WJ1-4401 传真： 408-433-5649 电子邮件： sales@wj.com网站： www.wj.com
2000年9月
WJ通讯公司
电话： 1-800 - WJ1-4401 传真： 408-433-5649 电子邮件： sales@wj.com网站： www.wj.com
高动态范围FET混频器
HMJ5
通信EDGE
产品特点
+35 dBm的IIP3
无需外部匹配元件
产品说明
该HMJ5是一种高动态范围，砷化镓场效应管
混频器。这种有源FET混频器实现了一个典型的
+35 dBm的以三阶截点
+17 dBm的LO驱动电平。该HMJ5来
在一个低成本， J引线封装。典型应用
系统蒸发散包括频率上/下变频，
调制和解调的接收机和
在通信系统中使用的发射机。
工作原理图
22 21 2019 18171615 1413 12
需要
RF 40-1000兆赫
LO 30-900兆赫
IF 5-250 MHz的
+17 dBm的LO驱动电平
+ 3V以35mA的直流电源
低成本表面贴装J引线
包
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
B
7d
+1
特定网络阳离子
参数
频率范围：
RF
LO
IF
SSB变频损耗
SSB噪声系数
隔离：
LO至RF
LO至IF
IIP3
回波损耗：
RF端口
LO端口
如果port
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
最低
40
30
5
ED
RIVE
T
PDA
LO
U
m
功能引脚号功能引脚号
地
1
地
12
IF
2
LO
13
地
3-9
地面14-20
+ 3V直流
10
RF
21
地
11
地
22
典型
最大
1000
900
250
9.0
条件
7.5
9.5
20
24
31
28
30
35
11.7
6.0
10.9
23
17
35
RF = 900兆赫（ 0 dBm的）
60
注意事项：
1， RF = 905兆赫（ -10 dBm的） LO 900 （ 17分贝） IF = 5在25 ℃。
2.测在一个50欧姆的系统以额定的LO驱动器中仅除非另外指明，下变频器的应用程序。
F | 3. LO频率必须从IF频率由至少2兆赫（即分开
LO
- F
IF
|
≥
2兆赫） 。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
等级
-40至+ 85°C
-65到+ 100°C
+25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ5
HMJ5-PCB
描述
高动态范围FET混频器
（可在磁带和卷轴）
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的。
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电话： 1-800 - WJ1-4401 传真： 408-433-5649 电子邮件： sales@wj.com网站： www.wj.com
2000年9月
HMJ5
性能图表
IP3与RF频率
50
转换损耗与频率的射频
9
45
IP3 （ dBm的）
转换损耗（dB ）
8
IF = 250 MHz的
40
IF = 250 MHz的
35
IF = 5兆赫
30
0
300
600
射频频率（ MHz）的
900
7
IF = 5兆赫
IF = 100 MHz的
6
5
0
200
400
600
800
1000
射频频率（ MHz）的
LO至RF隔离
60
50
L-R隔离度（ dB）的
L-1隔离度（dB ）
40
30
20
10
0
300
600
LO频率（MHz）
900
30
0
50
60
LO至IF隔离
40
300
600
900
射频频率（ MHz）的
RF端口回波损耗
5
5
LO端口回波损耗与LO频率
5
如果返回损耗与IF频率
LO = 750 MHz的
LO = 850 MHz的
15
LO = 450 MHz的
20
LO = 250 MHz的
LO = 350 MHz的
回波损耗（分贝）
15
15
20
20
25
0
200
400
600
射频频率（ MHz）的
800
1000
25
0
200
400
600
LO频率（MHz）
800
1000
回波损耗（分贝）
10
LO回波损耗
10
10
LO = 550 MHz的
25
50
100
150
IF频率（MHz ）
200
250
WJ通讯公司
电话： 1-800 - WJ1-4401 传真： 408-433-5649 电子邮件： sales@wj.com网站： www.wj.com
2000年9月
HMJ5
外形绘图
土地模式
安装配置
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
注意！
ESD敏感器件。
WJ通讯公司
电话： 1-800 - WJ1-4401 传真： 408-433-5649 电子邮件： sales@wj.com网站： www.wj.com
2000年9月
WJ通讯公司
电话： 1-800 - WJ1-4401 传真： 408-433-5649 电子邮件： sales@wj.com网站： www.wj.com
QQ：2880707522 复制
