HWS332
2004年3月V2
特点
低插入损耗：
0.6分贝@ 2 GHz的
高隔离：
33分贝@ 2 GHz的
P1dB为：
+30 dBm的典型-5V @
IP3 ：
48 dBm的
低DC功耗
低成本SOP- 8塑料包装
SOP-8
描述
该HWS332是GaAs MMIC SPDT终止
切换在一个低成本的SOP -8塑料包装。该
HWS332具有低插入损耗和高
隔离非常低DC功耗。
典型的应用包括无线和蜂窝
设备。
0 ， -5V控制电压电气规格在25 °
C
参数
插入损耗
测试条件
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
DC- 2.5 GHz的
0.5-2.5 GHz的
+5 dBm的每音@ 0.5-2.5 GHz的
36
30
分钟。
典型值。
0.5
0.6
0.7
42
33
27
20
30
48
50
30
200
马克斯。
0.7
0.8
0.9
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
ns
uA
隔离
回波损耗
输入电源一分贝压缩
输入三阶互调
截取点
开关时间
控制电流
注意：在一个50欧姆的系统进行的所有测量值与0 / -5V控制电压时，除非另有规定。
Hexawave公司2繁荣路二，科技园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
http://www.hw.com.tw
所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
HWS332
2004年3月V2
典型性能数据@ + 25 °
C
插入损耗与频率
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0.5
1.0
1.5
2.0
频率（GHz ）
2.5
3.0
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
0.5-2.5 GHz的
控制电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+34 dBm的
+0.2V, -8.5V
-40 °C至+ 85°C
C
-65 ℃至+ 150 ℃
C
C
插入损耗（dB ）
引脚输出（顶视图）
＆ QUOT ;
!
隔离与频率
-20
-25
隔离度（dB ）
＆ QUOT ; ！
#
$
!
-30
-35
-40
-45
-50
0.5
1.0
1.5
2.0
频率（GHz ）
2.5
3.0
对于开关导通路径的逻辑表
VC1
1
0
VC2
0
1
RFC-RF1
插入损耗
隔离
RFC-RF2
隔离
插入损耗
' 0 ' = 0 -0.2V @ 20 uA的最大值。
' 1 ' = -5V @ 30微安的典型，以-8V @ 700 uA的最大值。
回波损耗与频率
-10
-15
回波损耗（分贝）
-20
-25
-30
-35
-40
0.5
1.0
1.5
2.0
频率（GHz ）
2.5
3.0
Hexawave公司2繁荣路二，科技园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
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