8M
×
72位动态RAM模块
（ ECC - 模块）
168引脚缓冲DIMM模块
HYM 72V8020GS -50 / -60
HYM 72V8030GS -50 / -60
168引脚JEDEC标准，缓冲8字节双列直插式内存模块
用于PC的主存储器的应用
1银行8的M× 72组织
优化的ECC应用
快速页模式操作
性能：
-50
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
50
18
30
90
35
-60
60
20
35
110
40
ns
ns
ns
ns
ns
+ 3.3V单
±
0.3 V电源
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全LVTTL & LVCMOS兼容
4字节交织启用，双地址输入（ A0 / B0 ）
缓冲输入excepts RAS和DQ
并行存在检测
利用9 8M
×
8 -DRAMs和BiCMOS缓冲器/线路驱动器VT244A
两个版本： HYM 72V8030GS与SOJ组件（ 9毫米模块厚度）
HYM 72V8020GS用TSOPII组件（直径4 mm模块厚度）
4048刷新周期/ 64毫秒， 12月11日解决
金触点垫
与25.35毫米（1000万）的高度双面模块
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1
6.96
HYM72V8020/30GS-50/-60
8M X 72 - ECC模块
该HYM 72V8020 / 30GS - 50 / -60是72-组织为8 388 608字的64兆字节的DRAM模块
在一个168针，双读出的比特，单列直插式封装包括九HYB3165800AJ / AT 8M
×
8
DRAM的在400万宽SOJ或TSOPII - 包安装有陶瓷去耦在一起
电容在PC板上。除了RAS和DQ所有的输入都是采用BiCMOS工艺缓冲区缓存/
线路驱动器。
每个HYB3165800AJ / AT在数据表中描述并完全电测试，
根据对模块组装之前西门子质量标准的程序进行处理。后
装配到电路板上时，进行另一组的电测试。
模块的密度和速度可通过使用存在来检测检测引脚。
订购信息
TYPE
HYM 72V8020GS -50
HYM 72V8020GS -60
HYM 72V8030GS -50
HYM 72V8030GS -60
订购代码
包
L-DIM-168-3
L-DIM-168-3
L-DIM-168-3
L-DIM-168-3
说明
DRAM模块（存取时间为50ns ）
DRAM模块（存取时间为60ns ）
DRAM模块（存取时间为50ns ）
DRAM模块（存取时间为60ns ）
引脚名称
A0-A12,B0
A0-A11,B0
DQ0 - DQ71
RAS0 ， RAS2
CAS0 ， CAS2
WE0 ， WE2
OE0 ， OE2
VCC
VSS
PD1 - PD8
PDE
ID0 ， ID1
北卡罗来纳州
在线检测和ID引脚真值表：
模块
HYM 728020 / 30GS -50
HYM 728020 / 30GS -60
ID0
VSS
VSS
ID1
VSS
VSS
PD1
1
1
PD2
0
0
PD3
1
1
PD4
1
1
PD5
0
0
PD6
0
1
PD7
0
1
PD8
0
0
行地址输入
列地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
功率（ 3.3伏）
地
存在检测引脚
设备检测启用
ID辨识位
无连接
注意：
1 =高电平（驱动器输出） ， 0 =低电平（驱动器输出）的磷酸二酯酶的活性（地） 。对于PDE在高
所有等级PD终端处于三态。
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2
HYM72V8020/30GS-50/-60
8M X 72 - ECC模块
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70°C
存储温度范围............................................... ....................................... - 55至+ 125°C
输入/输出电压.............................................. ................................. -0.5到MIN（ VCC + 0.5 ， 4.6 ）V
电源voltage................................................................................................. - 0.5V至4.6V的
动力dissipation.................................................................................................................... 5,8 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
损坏设备。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0 70 ×C ;
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（ LVTTL ）
输出“，”电平电压（
I
OUT
= - 2 mA）的
H
输出低电压（ LVTTL ）
输出“，”电平电压（
I
OUT
= + 2 mA）的
L
输出高电压（ LVCMOS ）
输出“，”电平电压（
I
OUT
= – 100
A)
H
输出低电压（ LVCMOS ）
输出“，”电平电压（
I
OUT
= + 100
A)
L
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
<的Vcc ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< VCC ）
平均
V
CC
电源电流：
-50版
-60版
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
待机
V
CC
电源电流
（ RAS = CAS = 2.4V ，
在15,6地址变更
s
TRC ）
符号
限值
分钟。
马克斯。
VCC + 0.3 V
0.8
–
0.4
–
0.2
20
20
V
V
V
V
V
A
A
2.0
– 0.3
2.4
–
Vcc-0.2
–
– 20
– 20
单位
TEST
条件
1)
1)
1)
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
–
–
1260
1080
mA
mA
2) 3) 4)
I
CC2
–
50
mA
–
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