【16M ×4位动态RAM（ 4K & 8K刷新）HYB 3164400J / T -50 /】,IC型号HYB3164400J-60,HYB3164400J-60 PDF资料,HYB3164400J-60经销商,ic,电子元器件-51电子网

16M ×4位动态RAM

（ 4K & 8K刷新）

HYB 3164400J / T -50 / -60

HYB 3165400J / T -50 / -60

初步信息

16 777 216字由4位组织

0 70 ° C的工作温度

快速访问和周期时间

RAS访问时间：

50纳秒（ -50版）

60纳秒（ -60版）

周期时间：

90纳秒（ -50版）

110纳秒（ -60版）

CAS访问时间：

13纳秒（ -50版）

15纳秒（ -60版）

快速页模式周期时间

35纳秒（ -50版）

40纳秒（ -60版）

单+ 3.3V（ ± 0.3V ）电源

低功耗

最大。 396主动兆瓦（ HYB 3164400J / T - 50 ）

最大。 360主动兆瓦（ HYB 3164400J / T - 60 ）

最大。 504主动兆瓦（ HYB 3165400J / T - 50 ）

最大。 432主动兆瓦（ HYB 3165400J / T - 60 ）

7.2 mW的待机（ TTL ）

720 W待机（ MOS ）

读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新（ CBR ），

RAS-只刷新，隐藏的刷新和自刷新模式

快页模式功能

8192刷新周期/ 128毫秒， 13 R / 11C地址（ HYB 3164400J / T ）

4096刷新周期/ 64毫秒， 12 R / 12C地址（ HYB 3165400J / T ）

塑料包装：

P-SOJ-34-1

500万

HYB 3164 （ 5 ） 400J

P- TSOPII - 34-1 500万

HYB 3164 （ 5 ） 400T

半导体集团

HYB 3164 （ 5 ） 400J / T - 50 / -60

16M ×4 -DRAM

这个装置是一个64兆位动态RAM举办16 777 216 4位。该装置被制造在

SIEMENS / IBM最先进的第一代64Mbit的CMOS硅栅工艺技术。该

电路和工艺设计，使得该器件实现了高性能和低功耗。

这DRAM采用单3.3 +/- 0.3V的电源和接口两种或LVTTL

LVCMOS电平。复用地址输入允许HYB 3164 （ 5 ） 400J / T在一个被包装

500mil宽SOJ - 34或TSOP- 34塑料封装。这些软件包提供高系统位

密度，并且与通常使用的自动检测和插入设备兼容。

订购信息

TYPE

HYB 3164400J -50

HYB 3164400J -60

HYB 3164400T -50

HYB 3164400T -60

HYB 3165400J -50

HYB 3165400J -60

HYB 3165400T -50

HYB 3165400T -60

引脚名称

A0-A12

A0-A11

RAS

I/O1-I/O4

CAS

写

VCC

VSS

地址输入HYB 3164400J / T

地址输入HYB 3165400J / T

行地址选通

OUTPUT ENABLE

数据输入/输出

列地址选通

读/写输入

电源（ + 3.3V ）

地

订购

CODE

根据要求

包

P-SOJ-34-1

P-TSOPII-34-1

P-SOJ-34-1

P-TSOPII-34-1

说明

500万DRAM（存取时间为50ns ）

500万DRAM（存取时间为60ns ）

500万DRAM（存取时间为50ns ）

500万DRAM（存取时间为60ns ）

500万DRAM（存取时间为50ns ）

500万DRAM（存取时间为60ns ）

500万DRAM（存取时间为50ns ）

500万DRAM（存取时间为60ns ）

半导体集团

HYB 3164 （ 5 ） 400J / T - 50 / -60

16M ×4 -DRAM

P- SOJ - 34-1 （ 500万）

P- TSOPII - 34-1 （ 500万）

引脚配置

半导体集团

HYB 3164 （ 5 ） 400J / T - 50 / -60

16M ×4 -DRAM

真值表

功能

待机

读

早期写

延迟 - 写入

读 - 修改 - 写

快速页模式阅读

第一个周期

第二个周期

快速页模式早

写

第一个周期

第二个周期

快速页面模式RMW

第一个周期

2ST周期

RAS只刷新

CAS先于RAS刷新

测试模式进入

隐藏刷新

读

写

RAS

H-L

L-H -L

CAS

H-X-

H-L

写

H-L

L-H

ROW

ADDR

ROW

不适用

ROW

不适用

ROW

不适用

ROW

COL

ADDR

COL

不适用

COL

I/O1-

I/O4

高阻抗

数据输出

DATA IN

数据输出，数据在

数据输出

DATA IN

数据输出，数据在

高阻抗

数据输出

DATA IN

半导体集团

HYB 3164 （ 5 ） 400J / T - 50 / -60

16M ×4 -DRAM

框图HYB 3164400J / T

半导体集团

查看更多HYB3164400J-60PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

QQ：2880707522 复制

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

HYB3164400J-60

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

QQ：2881677436 复制

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

HYB3164400J-60

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市恒达亿科技有限公司

QQ：

QQ：3004390991 复制

QQ：3004390992 复制

QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

HYB3164400J-60

SIEMENS

25+

4500

SOP-16

全新原装现货特价销售！

北京元坤国际科技有限公司

QQ：

QQ：1584878981 复制

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

HYB3164400J-60

SIEMENS

21+

12000

原装价格优惠！长期现货供应！欢迎来电咨询13480105089 QQ：2320849089

全新原装正品/质量有保证

深圳市金泽顺电子有限公司

QQ：

QQ：1101329890 复制

QQ：1803862608 复制

电话：0755-８２７８９２９６

联系人：朱先生／公司可以开13％的税

地址：深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。

HYB3164400J-60

SIMENS

1545+

12400

SOJ-34

一级代理原装现货热卖!

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

QQ：

QQ：2885134554 复制

QQ：2885134398 复制

电话：0755-22669259 83214703

联系人：李先生，夏小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华强北路上步工业区102栋618室

HYB3164400J-60

SIEMENS

2116+

44500

SOJ-34

原装正品

北京人上科技有限公司

QQ：

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室

HYB3164400J-60

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8869

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

深圳市向鸿伟业电子有限公司

QQ：

QQ：2110158237 复制

QQ：316279873 复制

QQ：1298863740 复制

QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519

联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

HYB3164400J-60

SIEMENS/西门子

2402+

8324

SOJ-34

原装正品！实单价优！

查询更多HYB3164400J-60供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司