【HN4G01J东芝多芯片Discrece设备HN4G01J音频通用放大器应用Q1小型封装（双型）高电】,IC型号HN4G01J,HN4G01J PDF资料,HN4G01J经销商,ic,电子元器件-51电子网

HN4G01J

东芝多芯片Discrece设备

HN4G01J

音频通用放大器应用

小型封装（双型）

高电压和高电流

: V

首席执行官

= 50V ，我

= 150毫安（最大值）

高

: h

= 120~400

优秀

线性

: h

= 0.1毫安） /小时

= 2毫安） = 0.95 （典型值）。

单位：mm

结合偏置电阻变成晶体管减少了部件数量。

减少元件数量实现了前所未有的制造

紧凑型设备，节省组装成本。

Q1 ： 2SC4837F

Q2 ： RN1103F

Q1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

符号

CBO

首席执行官

EBO

等级

150

单位

1.BASE1

2.EMITTER

3.BASE2

4.COLLECTOR2

5.COLLECTOR1

(B1)

(E)

(B2)

(C2)

(C1)

JEDEC

―

JEITA

―

东芝

2-3L1A

重量： 0.014克（典型值）。

Q2绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

CBO

首席执行官

EBO

等级

100

单位

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ， Q2Common ）

特征

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

英镑

等级

300

150

55~150

单位

°C

注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

*总评分。

2007-11-01

HN4G01J

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

CBO

EBO

CE （SAT）

测试条件

60 V，I

5 V，I

6 V，I

2毫安

百毫安，我

10毫安

10 V，I

1毫安

10 V，I

0, f

1兆赫

民

120

典型值。

0.1

2.0

最大

0.1

400

0.25

兆赫

单位

μA

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ Q2 ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入电压（ ON）的

输入电压（OFF）的

跃迁频率

集电极输出电容

输入电阻

电阻率

符号

CBO

首席执行官

EBO

CE （SAT）

我（上）

我（关闭）

R1/R2

测试条件

50 V，I

10 V，I

5 V，I

10毫安

5毫安，我

0.25毫安

0.2 V，I

5毫安

5 V，I

0.1毫安

10 V，I

5毫安

10 V，I

0, f

1兆赫

民

0.17

120

1.3

1.0

15.4

0.9

典型值。

0.1

250

1.0

最大

100

500

0.33

0.3

3.0

1.5

28.6

1.1

兆赫

kΩ

单位

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

2007-11-01

HN4G01J

2007-11-01

HN4G01J

2007-11-01

HN4G01J

Q1 ， Q2通用

- TA

400

（ mW）的

功耗P

300

200

100

125

150

175

环境温度

的Ta （℃）

*：总分

2007-11-01

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2019

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原装正品钻石品质假一赔十

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