4M ×32位的动态内存模块
HYM 324020S / GS -50 / -60
先进的信息
4 194 304字×32位组织（可选8 388 608字×16位）
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
90 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
快页模式功能
35 ns的周期时间（ -50版）
40 ns的周期时间（ -60版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 5280毫瓦活性（ HYM 324020S / GS -50）
最大。 4840毫瓦活性（ HYM 324020S / GS- 60）
CMOS - 44 mW的待机
TTL
-88 mW的待机
CAS先于RAS刷新
RAS -只刷新
隐藏刷新
8去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
72脚单列直插式内存模块与22.86毫米（ 900万）的高度
采用8 4Mx4 -的DRAM在300MIL宽SOJ包装
2048刷新周期/ 32毫秒
优化使用字节写非奇偶校验的应用
锡铅接触垫（S - 版）
金触点垫（ GS - 版）
半导体集团
1
12.95
HYM 324020S / GS -50 / -60
4M ×32位
该HYM 324020S / GS - 50 / -60是组织为4 194 304字由16兆字节的DRAM模块
在一个72引脚单列直插式封装，包括在300 8 HYB 5117400BJ 4M ×4的DRAM 32位
万宽SOJ -包安装有8 0.2在一起
F
在PC机上的陶瓷去耦电容
板。
该HYM 324020S / GS -50 / -60也可以用来作为一个8 388 608字由16位动态RAM
通过连接DQ0和DQ16 ， DQ1与DQ17 ， DQ2和DQ18的装置模块，...， DQ15和
DQ31 ，分别。
每个HYB 5117400BJ是在数据表中所描述的，完全的电气测试和处理
根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到
板，另一组的电气测试执行。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 324020S / GS - 50 / -60的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
订购信息
TYPE
HYM 324020S -50
HYM 324020S -60
HYM 324020GS -50
HYM 324020GS -60
订购代码
根据要求
Q67100-Q979
根据要求
Q67100-Q2005
包
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
L-SIM-72-12
描述
DRAM模块
（存取时间为50ns ）
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
DRAM模块
（存取时间为50ns ）
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
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2
HYM 324020S / GS -50 / -60
4M ×32位
引脚配置
引脚名称
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
北卡罗来纳州
A1
A3
A5
A10
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
北卡罗来纳州
A8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
VSS
CAS2
CAS1
北卡罗来纳州
WE
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
VCC
DQ13
DQ14
DQ15
PD0
PD2
北卡罗来纳州
1 DQ0 2
3 DQ1 4
5 DQ2 6
7 DQ3 8
9 VCC 10
11 A0
12
13 A2
14
15 A4 16
17 A6 18
19 DQ4 20
21 DQ5 22
23 DQ6 24
25 DQ7 26
27 A7
28
29 VCC 30
31 A9
32
33 RAS2 34
北卡罗来纳州35 36
北卡罗来纳州37 38
39 CAS0 40
41 CAS3 42
43 RAS0 44
北卡罗来纳州45 46
北卡罗来纳州47 48
49 DQ24 50
51 DQ25 52
53 DQ26 54
55 DQ27 56
57 DQ28 58
59 DQ29 60
61 DQ30 62
63 DQ31 64
北卡罗来纳州65 66
67 PD1 68
69 PD3 70
71 VSS 72
A0-A10
DQ0-DQ31
CAS0 - CAS3
RAS0 ， RAS2
WE
地址输入
HYM 324020S / GS
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
地
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
存在检测引脚
-50
PD0
PD1
PD2
PD3
-60
V
SS
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
V
SS
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3
HYM 324020S / GS -50 / -60
4M ×32位
RAS0
CAS0
DQ0-DQ3
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D0
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D1
DQ4-DQ7
CAS1
DQ8-DQ11
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D2
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D3
DQ12-DQ15
RAS2
CAS2
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D4
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D5
DQ16-DQ19
DQ20-DQ23
CAS3
CAS RAS
I/O1-I/O4
OE
D6
CAS RAS
I/O1-I/O4
D7
OE
D0 - D7
D0 - D7
C0 - C7
VSS
DQ24-DQ27
DQ28-DQ31
A0 - A10
WE
VCC
框图
半导体集团
4
HYM 324020S / GS -50 / -60
4M ×32位
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃
输入/输出电压.............................................. ..............................- 0.5V至MIN（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................... 6.72 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 5 V
±
10 %;
t
T
= 5纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
(0 V
≤
V
IH
≤
VCC + 0.3V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V
≤
V
OUT
≤
VCC + 0.3V ）
平均
V
CC
电源电流：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车：
t
RC
=
t
RC
分）
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
20
10
2.4
– 0.5
2.4
–
– 20
– 10
单元测试
条件
V
V
V
V
A
A
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
1)
–
–
960
880
16
mA
mA
mA
2) 3) 4)
2) 3) 4)
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
平均
V
CC
供电电流，在RAS-只
更新周期：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS骑自行车， CAS =
V
I，H，
t
RC
=
t
RC
分）
I
CC2
I
CC3
–
–
–
–
960
880
mA
mA
2) 4)
2) 4)
平均
V
CC
电源电流，
I
CC4
在快页模式：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS =
V
IL
中国科学院，解决循环：吨
PC
=
t
PC
分）
–
–
320
280
mA
mA
2) 3) 4)
2) 3) 4)
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
