HY5DV651622T
4库x 1米x 16Bit的双倍数据速率SDRAM
描述
海力士HY5DV651622是67108864位CMOS双数据速率（ DDR ）同步DRAM ，非常适合
在点对点应用中需要高带宽。 HY5DV651622组织成4银行1,048,576x16 。
HY5DV651622充分提供参考时钟的上升沿和下降沿同步操作。虽然所有
地址和控制输入锁存时钟的上升沿（在CLK的下降沿） ，数据（DQ ），数据
选通（ LDQS / UDQS ）和写数据的面具（ LDM / UDM ）输入采样，它的上升沿和下降沿。该
数据路径内部流水线和2位预取，以达到非常高的带宽。所有的输入和输出电压
水平与SSTL_2兼容。
模式寄存器设置选项包括管道的长度（ 2/3的CAS等待时间） ，连续读出的数目或
写由一个单一的控制命令（ 2 /4/8的突发长度）启动周期，突发计数序列（顺序
或交织） 。由于数据传输速率是在时钟的上升沿和下降沿通过阅读和写作一倍，
2X更高的数据带宽可以比传统的（单数据速率）同步DRAM的实现。
特点
3.3V为V
DD
和2.5V的V
DDQ
电源
所有输入和输出都与SSTL_2兼容
接口
JEDEC标准400mil 66pin TSOP- II与0.65毫米
引脚间距
全差分时钟的操作（ CLK & CLK ）
所有的地址和控制输入，除了数据，数据
选通和数据锁存口罩的上升沿
时钟
数据（ DQ ）和写口罩（ LDM / UDM ）锁存
上升和下降的数据选通的边缘
在LDQS数据输出/ UDQS边读时
（边DQ ）
在LDQS / UDQS数据输入中心的时候写
（居中DQ ）
数据选通脉冲与输出数据的读同步
并写入输入数据
延迟锁定环（DLL ）以复位DLL装
模式
通过LDM和UDM写掩码字节控制
可编程CAS延时三分之二支持
写操作与1时钟写入延迟
可编程的突发长度2 /4/8既
顺序和交错模式
内置4组操作与单脉冲RAS
自动刷新和自刷新支持
订购信息
产品型号
HY5DV651622TC-G55
HY5DV651622TC-G6
HY5DV651622TC-G7
V
DD
=3.3V
V
DDQ
=2.5V
电源
时钟
频率
183MHz
166MHz
143MHz
组织
接口
包
4Banks X为1Mbit ×16
SSTL_2
400mil 66pin
TSOP II
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版1.1 / Apr.01
HY5DV651622T
引脚配置
V
DD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
NC
V
DDQ
LDQS
NC
V
DD
NC
LDM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
顶视图
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15 400mil X 875mil
16 66针TSOP -II
17 0.65毫米引脚节距
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
V
SS
DQ15
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
NC
V
SSQ
UDQS
NC
V
REF
V
SS
UDM
/ CLK
CLK
CKE
NC
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚说明
针
CLK ， CLK
CKE
CS
BA0 ， BA1
A0 ~ A11
引脚名称
差分时钟输入
时钟使能
芯片选择
银行选择地址
地址
行地址选通，
列地址选通，
写使能
写面膜
数据输入/输出选通
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
参考电压
无连接
描述
系统时钟输入。所有的输入被锁存的上升沿
除了DQI ， LDQS / UDQS和LDM / UDM时钟采样的两个。
控制内部时钟信号。当停用时， DDR SDRAM会
1间掉电或自动自刷新的状态。
启用或禁用除CLK / CLK ， CKE ， LDQS / UDQS和所有输入
LDM / UDM 。
选择银行要么RAS或CAS活动期间被激活。
选择银行进行读/或者RAS或CAS活动期间写的。
行地址： A0 A11 ，列地址： A0 A7
自动预充电标志： A10
RAS ， CAS和WE定义所发出的命令。
请参阅功能真值表细节。
在写入模式口罩的输入数据。
主动对数据输入和输出的两个边缘。
双向数据的输入/输出引脚。
电源为内部电路和输入缓冲器。
电源的输出缓冲器，可抗噪性能。
参考电压输入端SSTL接口。
无连接。
RAS ， CAS ， WE
LDM ， UDM
LDQS ， UDQS
DQ0 DQ15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
V
REF
NC
修订版1.1 / Apr.01
2
HY5DV651622T
功能框图
4banks X为1Mbit ×16 I / O的双数据速率同步DRAM
写数据寄存器
2位预取单元
32
CLK
/ CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
LDM
UDM
银行
控制
命令
解码器
1Mx16/Bank0
SENSE AMP
1Mx16/Bank1
1Mx16/Bank2
1Mx16/Bank3
模式
注册
ROW
解码器
32
16
输入缓冲器
DS
2位预取单元
输出缓冲器
16
DQ [ 0:15 ]
列解码器
A0 ~ A11
BA0 ， BA1
LDQS ， UDQS
地址
卜FF器
列地址
计数器
CLK_DLL
DS
CLK
DLL
块
数据选通
发射机
数据选通
接收器
模式
注册
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HY5DV651622T
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
在V电压
DDQ
相对于V
SS
输出短路电流
功耗
焊接温度，时间
符号
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
等级
0 ~ 70
-55 ~ 125
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 4.6
-0.5 ~ 3.6
50
1
260, 10
o
单位
o
o
C
C
V
V
V
mA
W
C,
美国证券交易委员会
注意：
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响。
直流工作条件
（ TA = 0 70
o
C,
电压参考V
SS
= 0V)
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
终止电压
参考电压
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
TT
V
REF
民
3.15
2.3
V
REF
+ 0.18
-0.3
V
REF
- 0.04
1.15
典型值。
3.3
2.5
-
-
V
REF
1.25
最大
3.6
2.7
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.18
V
REF
+ 0.04
1.35
单位
V
V
V
V
V
V
3
2
1
记
注意：
1. V
DDQ
一定不能超过V的电平
DD
.
2. V
IL
（分钟）是可以接受的-1.5V交流脉冲宽度
≤
持续时间为5ns 。
3. V的值
REF
约等于0.5 * V
DDQ
.
AC运行试验条件
（ TA = 0 70
o
C,
电压参考V
SS
= 0V)
参数
参考电压
终止电压
AC输入高电平电压（V
IH
，分）
AC输入低电平电压（V
IL
，最大值）
输入定时测量参考电平电压
输出时序测量参考电平电压
价值
V
DDQ
x 0.5
V
DDQ
x 0.5
V
REF
+ 0.35
V
REF
- 0.35
V
REF
V
TT
单位
V
V
V
V
V
V
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HY5DV651622T
AC运行试验条件
（ TA = 0 70
o
C,
电压参考V
SS
= 0V)
参数
输入信号的最大峰值摆幅
最小输入信号斜率
端接电阻器（R
T
)
输出负载电容的访问时间测量（C
L
)
价值
1.5
1
50
30
- 续
单位
V
V / ns的
pF
电容
(T
A
=25
o
C,
f=1MHz)
参数
输入电容
时钟电容
数据输入/输出电容
针
A0 A11 ， BA0 BA1 ， CKE ， CS ， RAS ， CAS，WE
CLK ， CLK
DQ0 DQ15 ， LDQS ， UDQS ， LDM ， UDM
符号
C
IN
C
CLK
C
IO
民
2.5
2.5
4.0
最大
3.5
3.5
5.5
单位
pF
pF
pF
输出负载电路
V
TT
R
T
=50
产量
Zo=50
V
REF
C
L
=30pF
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QQ：2881677436 复制
