HIP6601B ， HIP6603B ， HIP6604B
绝对最大额定值
电源电压（ VCC） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .15V
电源电压（ PVCC ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VCC + 0.3V
BOOT电压（V
BOOT
- V
相
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
输入电压（V
PWM
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至7V
UGATE 。 。 。 。 。 。 .V
相
- 5V（ <400ns脉冲宽度）到V
BOOT
+ 0.3V
. . . . . . . . . . . .V
相
-0.3V （ >400ns脉冲宽度）到V
BOOT
+ 0.3V
LGATE 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 5V （ <400ns脉冲宽度）到V
PVCC
+ 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V （ >400ns脉冲宽度）到V
PVCC
+ 0.3V
相。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -5V （ <400ns脉冲宽度）为15V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .GND -0.3V （ >400ns脉冲宽度）为15V
ESD额定值
人体模型（每MIL -STD- 883方法3015.7 ） 。 。 。 。 .3kV
机器型号（每EIAJ ED- 4701方法C - 111 ） 。 。 。 。 。 。 .200V
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
97
不适用
EPSOIC套餐（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
38
不适用
QFN封装（注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
48
10
最高结温（塑料封装） 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
工作条件
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至85°C
最大工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V
±10%
电源电压范围， PVCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5V至12V
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ，
该
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
偏置电源电流
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
VCC
I
PVCC
HIP6601B ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
HIP6603B ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
HIP6601B ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
HIP6603B ，女
PWM
= 1MHz时， V
PVCC
= 12V
-
-
-
-
4.4
2.5
200
1.8
6.2
3.6
430
3.3
mA
mA
A
mA
上栅偏置电流
上电复位
VCC上升阈值
VCC下降阈值
PWM输入
输入电流
PWM上升阈值
PWM下降阈值
UGATE上升时间
LGATE上升时间
UGATE下降时间
LGATE下降时间
UGATE关断传播延迟
LGATE关断传播延迟
关闭窗口
关闭释抑时间
产量
上驱动源阻抗
R
UGATE
R
UGATE
I
LGATE
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 12V
上驱动吸收阻抗
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 12V
降低驱动源电流
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 12V
等效驱动源阻抗
下驱动水槽阻抗
R
LGATE
R
LGATE
V
PVCC
= 5V
V
PVCC
= 5V或12V
-
-
-
-
400
500
-
-
1.7
3.0
2.3
1.1
580
730
9
1.6
3.0
5.0
4.0
2.0
-
-
-
4.0
mA
mA
t
的Rugate
t
RLGATE
t
富盖特
t
FLGATE
t
pdlUGATE
t
pdlLGATE
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
V
PVCC
= 12V， 3nF的负载
I
PWM
V
PWM
= 0V或5V （见
框图）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.4
-
500
3.6
1.45
20
50
20
20
30
20
-
230
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.6
-
A
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
ns
9.7
7.3
9.95
7.6
10.4
8.0
V
V
4
FN9072.7
2005年7月20日
QQ：2881677436 复制
