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HIP4082
数据表
2006年1月3日
FN3676.4
80V ， 1.25A峰值电流H桥
FET驱动器
的HIP4082是一个中频，中压
H桥N沟道MOSFET驱动器IC ，以16引脚可用
塑料SOIC （ N）和DIP封装。
专门针对PWM电机控制和UPS
应用，桥梁基础的设计变得简单和
灵活的HIP4082 H桥驱动器。具有操作起来
到80V ，该装置是最适合的中等应用
功率电平。
类似的HIP4081 ，它有一个灵活的输入协议
除了驾驶者每一个可能的开关组合
这将导致一个直通状态。该
HIP4082的降低了驱动电流允许使用更小的包装
它有一个更广泛的可编程死区时间
（ 0.1 4.5μs ），使其成为理想的开关频率高达
为200kHz 。的HIP4082不包含一个内部充
泵，但不包含非闩锁的电平转换
翻译控制上部驱动器电路。
这套功能和规格的优化
应用场合的尺寸和成本是非常重要的。为
应用程序需要更高的驱动能力HIP4080A
和HIP4081A建议。
特点
独立驱动4 N沟道场效应管半桥或
全桥刀豆网络gurations
自举电源最大电压为95VDC
驱动1000pF的负载在自由空气中，在50℃与兴衰
通常为15ns的时间
用户可编程死区时间（ 0.1 4.5μs ）
DIS （禁用）覆盖输入控制，并刷新
当拉低自举电容
兼容5V至15V逻辑输入逻辑阈值
水平
贯通保护
欠压保护
无铅加退火有（符合RoHS ）
应用
UPS系统
DC电机控制
全桥电源
开关功率放大器
噪音消除系统
订购信息
部分
数
HIP4082IB*
部分
温度。
打标范围大（ ° C）
HIP4082IB
包
PKG 。
DWG 。 ＃
电池的电动车
外设
中/大音圈马达
相关文献
- TB363 ，准则处理和加工
水分敏感表面贴装器件（ SMD器件）
-55到+125 16 Ld的SOIC （N ） M16.15
-55到+125 16 Ld的SOIC （N ） M16.15
（无铅）
-55到+125 16 Ld的PDIP
E16.3
E16.3
HIP4082IBZ * 4082IBZ
（注）
HIP4082IP
HIP4082IP
HIP4082IPZ HIP4082IPZ -55 + 125 16 Ld的PDIP **
（注）
（无铅）
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
引脚
HIP4082
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
BHB
1
BHI
2
BLI
3
ALI
4
DEL
5
V
SS
6
16
BHO
15
BHS
14
BLO
13
ALO
12
V
DD
11
AHS
10
AHO
9
AHB
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准，
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
温度达到或超过IPC的无铅要求/
JEDEC J STD- 020 。
**无铅PDIPs可用于通孔波峰焊
处理而已。它们不用于回流焊使用
处理应用。
AHI
7
DIS
8
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有哈里斯公司1995年版权所有Intersil公司美洲2003-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP4082
应用框图
80V
12V
BHO
BHS
BHI
BLI
HIP4082
ALI
AHI
ALO
AHS
AHO
BLO
负载
GND
GND
功能框图
9
U / V
BHI
2
水平
移
司机
10 AHO BHO 16
AHB BHB
1
司机
水平
移
U / V
11 AHS
BHS 15
AHI
7
开启
延迟
开启
延迟
DIS
8
V
DD
V
DD
12
探测器
欠压
司机
开启
延迟
13 ALO
BLO 14
司机
开启
延迟
ALI
DEL
BLI
V
SS
4
5
3
6
2
FN3676.4
2006年1月3日
HIP4082
典型应用（ PWM模式切换）
80V
1
BHB
12V
PWM
输入
延时电阻
2
BHI
3
BLI
4
ALI
5
DEL
6
V
SS
7
AHI
DIS
8
DIS
BHO
16
BHS
15
BLO
14
ALO
13
V
DD
12
AHS
11
AHO
10
AHB
9
12V
负载
从
可选
过电流
LATCH
GND
R
DIS
要选购
电流控制器或
过流LATCH
+
-
R
SH
GND
3
FN3676.4
2006年1月3日
HIP4082
绝对最大额定值
电源电压，V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
逻辑I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+0.3V
电压AHS ， BHS 。 。 。 。 。 -6V （瞬态）至80V （ 25 ° C至150° C）
电压AHS ， BHS 。 。 。 。 。 -6V （瞬态）到70V （ -55°C至150 ° C）
电压AHB ， BHB 。 。 。 。 。 。 。 。 V
AHS ， BHS
-0.3V到V
AHS ， BHS
+V
DD
电压ALO ， BLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
电压AHO ， BHO 。 。 。 V
AHS ， BHS
-0.3V到V
AHB ， BHB
+ 0.3V输入
目前， DEL 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5mA到0毫安
相压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V / ns的
注：所有电压均V
SS
除非另有规定ED 。
热信息
热阻
θ
JA
（ ° C / W）
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。看到曲线
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
操作最大。结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
（对于SOIC - 导线头只） ）
工作条件
电源电压，V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.5V至+ 15V
在V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V至+ 1.0V
电压AHB ， BHB 。 。 。 。 。 。 。 。 V
AHS ， BHS
+ 7.5V至V
AHS ， BHS
+V
DD
输入电流， DEL 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -4mA到-100μA
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
电气规格
V
DD
= V
AHB
= V
BHB
= 12V, V
SS
= V
AHS
= V
BHS
= 0V ，R
DEL
= 100K
T
J
= +25°C
T
J
= -55°C
至+ 150°C
民
最大单位
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
电源电流&欠压保护
V
DD
静态电流
I
DD
所有输入= 0V ，R
DEL
= 100K
所有输入= 0V ，R
DEL
= 10K
V
DD
工作电流
I
DDO
F = 50kHz的，空载
为50kHz ，无负载，R
DEL
= 10k
AHB ， BHB关静态电流
AHB ， BHB在静态电流
AHB ， BHB工作电流
AHS ， BHS漏电流
I
AHBL
, I
BHBL
I
AHBH
, I
BHBH
I
AHBO
, I
BHBO
I
HLK
AHI = BHI = 0V
AHI = BHI = V
DD
F = 50kHz的， CL = 1000pF的
V
AHS
= V
BHS
= 80V
V
AHB
= V
BHB
= 96
V
DD
=不接
1.2
2.2
1.5
2.5
0.5
65
.65
-
2.3
4.0
2.6
4.0
1.0
145
1.1
-
3.5
5.5
4.0
6.4
1.5
240
1.8
1.0
0.85
1.9
1.1
2.1
0.4
40
.45
-
4
6.0
4.2
6.6
1.6
250
2.0
-
mA
mA
mA
mA
mA
A
mA
A
V
DD
瑞星欠压阈值
V
DD
落欠压阈值
欠压滞后
AHB ， BHB欠电压阈值
输入引脚： ALI ， BLI ， AHI ， BHI ， & DIS
低电平输入电压
高电平输入电压
输入电压滞后
低电平输入电流
高电平输入电流
导通延迟PIN DEL
死区时间
V
DDUV +
V
DDUV-
UVHYS
VHBUV
参考AHS & BHS
6.8
6.5
0.17
5
7.6
7.1
0.4
6.0
8.25
7.8
0.75
7
6.5
6.25
0.15
4.5
8.5
8.1
0.90
7.5
V
V
V
V
V
IL
V
IH
整个工作条件
整个工作条件
-
2.5
-
-
-
35
-100
-
1.0
-
-
-60
+1
-
2.7
-
-150
-10
0.8
V
V
-
-50
+10
mV
A
A
I
IL
I
IH
V
IN
= 0V ，全部工作条件
V
IN
= 5V，全工作条件
-145
-1
T
DEAD
R
DEL
= 100K
R
DEL
= 10K
2.5
0.27
4.5
0.5
8.0
0.75
2.0
0.2
8.5
0.85
s
s
4
FN3676.4
2006年1月3日
HIP4082
电气规格
V
DD
= V
AHB
= V
BHB
= 12V, V
SS
= V
AHS
= V
BHS
= 0V ，R
DEL
= 100K
（续）
T
J
= +25°C
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
T
J
= -55°C
至+ 150°C
民
最大单位
栅极驱动器输出引脚： ALO ， BLO ， AHO ， BHO &
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
V
OL
V
DD
-V
OH
I
O
+
I
O
-
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= -50mA
V
OUT
= 0V
V
OUT
= 12V
0.65
0.7
1.1
1.0
1.4
1.3
1.1
1.2
2.5
2.3
0.5
0.5
0.85
0.75
1.2
1.3
2.75
2.5
V
V
A
A
交换特定网络阳离子
V
DD
= V
AHB
= V
BHB
= 12V, V
SS
= V
AHS
= V
BHS
= 0V ，R
DEL
= 10万，C
L
= 1000pF的。
T
J
= +25°C
T
J
= -55 ° C至
+150°C
民
-
-
-
-
-
-
50
最大
70
100
100
150
25
25
-
80
80
100
70
2
900
-
-
-
-
350
90
125
100
3
950
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
参数
低关断传播延迟
（ ALI - ALO ， BLI - BLO ）
上关断传播延迟
（ AHI - AHO ， BHI - BHO ）
低导通传播延迟
（ ALI - ALO ， BLI - BLO ）
上部导通传播延迟
（ AHI - AHO ， BHI - BHO ）
上升时间
下降时间
最小输入脉冲宽度
输出脉冲响应50 ns的输入脉冲
禁用关断传播延迟
（ DIS - 下输出）
禁用关断传播延迟
（ DIS - 上输出）
禁用导通传播延迟
（ DIS - ALO & BLO ）
禁用导通传播延迟
（ DISPLAY（显示） AHO & BHO ）
刷新脉冲宽度（ ALO & BLO ）
符号
T
LPHL
T
HPHL
T
LPLH
T
HPLH
T
R
T
F
T
PWIN ON / OFF
T
PWOUT
测试条件
民
-
-
-
-
-
-
50
典型值
25
55
40
75
9
9
-
63
最大
50
80
85
110
20
20
-
T
DISLOW
T
DISHIGH
T
DLPLH
T
DHPLH
T
REF -PW
真值表
输入
R
DEL
= 10K
-
-
-
-
375
50
75
40
1.2
580
产量
VHBUV
X
X
1
X
0
0
DIS
1
X
0
0
0
0
ALO ， BLO
0
0
0
1
0
0
AHO ， BHO
0
0
0
0
1
0
ALI ， BLI
X
X
0
1
0
0
注意：
AHI ， BHI
X
X
X
X
1
0
VDDUV
X
1
0
0
0
0
X显西班牙文该输入可以是一个“1”或“0”。
5
FN3676.4
2006年1月3日
HIP4082
1995年3月
80V ， 1.25A峰值电流
H桥FET驱动器
描述
的HIP4082是一个中频，中压H桥
N沟道MOSFET驱动器IC ， 16引脚塑料SOIC两种封装
（ N）和DIP封装。
具体来说针对PWM电机控制和UPS应用
系统蒸发散，桥梁基础的设计变得简单和灵活的与
的HIP4082 H桥驱动器。与运行在高达80V时，
装置最适合于中等功率电平的应用程序。
类似的HIP4081 ，它具有用于驱动一个灵活的输入协议
除了那些每一个可能的开关组合，将
导致直通状态。该HIP4082的减少驱动器
当前允许使用更小的包装，它有更广泛的范围
可编程死区时间（ 0.1 4.5μs ），使其成为理想的
开关频率高达200kHz 。该HIP4082不
包含一个内部电荷泵，但掺入非
闩上的驱动电路的电平转换的翻译控制。
这套功能和特异性阳离子针对应用优化
系统蒸发散，大小和成本是非常重要的。对于应用程序需要 -
荷兰国际集团更高的驱动能力HIP4080A和HIP4081A是
推荐使用。
特点
独立驱动4 N沟道FET的半
桥或全桥刀豆网络gurations
自举电源最大电压为95VDC
驱动1000pF的负载在自由空气中50
o
下与崛起
和下降时间的典型15ns的
用户可编程死区时间（ 0.1 4.5μs ）
DIS （禁用）覆盖输入控制和
刷新自举电容时拉低
兼容5V至15V的输入逻辑阈值
逻辑电平
贯通保护
欠压保护
应用
UPS系统
DC电机控制
全桥电源
D类音频放大器器
噪音消除系统
电池的电动车
外设
中/大音圈马达
订购信息
部分
数
HIP4082IB
HIP4082IP
温度
范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
包
16引脚塑封SOIC （N ）
16引脚塑料DIP
引脚
HIP4082 （ PDIP ， SOIC ）
顶视图
应用框图
80V
12V
BHB 1
BHI 2
BLI 3
ALI 4
DEL 5
V
SS
6
16 BHO
15 BHS
14 BLO
13 ALO
12 V
DD
11 AHS
10 AHO
9 AHB
ALI
AHI
ALO
AHS
AHO
BHI
BLI
HIP4082
BHO
BHS
BLO
负载
AHI 7
DIS 8
GND
GND
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
3676.1
1
HIP4082
功能框图
9
U / V
BHI
2
水平
移
司机
10 AHO BHO 16
AHB BHB
1
司机
水平
移
U / V
11 AHS
BHS 15
AHI
7
开启
延迟
开启
延迟
DIS
8
V
DD
V
DD
12
探测器
欠压
司机
开启
延迟
13 ALO
BLO 14
司机
开启
延迟
ALI
DEL
BLI
V
SS
4
5
3
6
典型应用（ PWM模式切换）
80V
1 BHB
12V
PWM
输入
延时电阻
2 BHI
3 BLI
4 ALI
5 DEL
6 V
SS
7 AHI
DIS
8 DIS
BHO 16
BHS 15
BLO 14
ALO 13
V
DD
12
AHS 11
AHO 10
AHB 9
12V
负载
从
可选
过电流
LATCH
GND
R
DIS
要选购
电流控制器或
过流LATCH
+
-
R
SH
GND
2
特定网络阳离子HIP4082
绝对最大额定值
电源电压，V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至16V
逻辑I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+0.3V
电压AHS ， BHS 。 。 。 。 。 。 - 6V （瞬态）至80V （ 25
o
C至150
o
C)
电压AHS ， BHS 。 。 。 。 。 -6V （瞬态）到70V （ -55
o
至150
o
C)
电压AHB ， BHB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
AHS ， BHS
-0.3V到V
AHS ， BHS
+V
DD
电压ALO ， BLO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
电压AHO ， BHO 。 。 。 V
AHS ， BHS
-0.3V到V
AHB ， BHB
+ 0.3V输入
目前， DEL 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -5mA到0毫安
相压摆率。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20V / ns的
注：所有电压均V
SS
除非另有规定ED 。
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
热信息
热阻，结到环境
θ
JA
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
115
o
C / W
DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
o
C / W
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。看到曲线
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
操作最大。结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
（对于SOIC - 导线头只） ）
工作条件
电源电压，V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 8.5V至+ 15V
在V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V至+ 1.0V
电压AHB ， BHB 。 。 。 。 。 。 。 。 V
AHS ， BHS
+ 7.5V至V
AHS ， BHS
+V
DD
输入电流， DEL 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -4mA到-100μA
电气连接特定的阳离子
V
DD
= V
AHB
= V
BHB
= 12V, V
SS
= V
AHS
= V
BHS
= 0V ，R
DEL
= 100K
T
J
=
+25
o
C
T
J
= -55
o
C
+150
o
C
参数
符号
测试条件
民
典型值最大值最小值最大值单位
电源电流&欠压保护
V
DD
静态电流
I
DD
所有输入= 0V ，R
DEL
= 100K
所有输入= 0V ，R
DEL
= 10K
V
DD
工作电流
I
DDO
F = 50kHz的，空载
为50kHz ，无负载，R
DEL
= 10k
AHB ， BHB关静态电流
AHB ， BHB在静态电流
AHB ， BHB工作电流
AHS ， BHS漏电流
V
DD
瑞星欠压阈值
V
DD
落欠压阈值
欠压滞后
AHB ， BHB欠电压阈值
输入引脚： ALI ， BLI ， AHI ， BHI ， & DIS
低电平输入电压
高电平输入电压
输入电压滞后
低电平输入电流
高电平输入电流
导通延迟PIN DEL
死区时间
T
DEAD
R
DEL
= 100K
R
DEL
= 10K
栅极驱动器输出引脚： ALO ， BLO ， AHO ， BHO &
低电平输出电压
高电平输出电压
山顶上拉电流
峰值下拉电流
V
OL
V
DD
-V
OH
I
O
+
I
O
-
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= -50mA
V
OUT
= 0V
V
OUT
= 12V
0.65
0.7
1.1
1.0
1.4
1.3
1.1
1.2
2.5
2.3
0.5
0.5
0.85
0.75
1.2
1.3
2.75
2.5
V
V
A
A
2.5
0.27
4.5
0.5
8.0
0.75
2.0
0.2
8.5
0.85
S
S
I
IL
I
IH
V
IN
= 0V ，全部工作条件
V
IN
= 5V，全工作条件
V
IL
V
IH
整个工作条件
整个工作条件
-
2.5
-
-
-
35
1.0
-
-
-60
+1
-
2.7
-
-150
-10
-
-50
+10
0.8
V
V
mV
A
A
I
AHBL
, I
BHBL
AHI = BHI = 0V
1.2
2.2
1.5
2.5
0.5
65
.65
-
6.8
6.5
0.17
参考AHS & BHS
5
2.3
4.0
2.6
4.0
1.0
145
1.1
-
7.6
7.1
0.4
6.0
3.5
5.5
4.0
6.4
1.5
240
1.8
1.0
8.25
7.8
0.75
7
0.85
1.9
1.1
2.1
0.4
40
.45
-
6.5
6.25
0.15
4.5
4
6.0
4.2
6.6
1.6
250
2.0
-
8.5
8.1
0.90
7.5
mA
mA
mA
mA
mA
A
mA
A
V
V
V
V
I
AHBH
, I
BHBH
AHI = BHI = V
DD
I
AHBO
, I
BHBO
F = 50kHz的， CL = 1000pF的
I
HLK
V
DDUV +
V
DDUV-
UVHYS
VHBUV
V
AHS
= V
BHS
= 80V
V
AHB
= V
BHB
= 96
-145 -100
-1
-
3
特定网络阳离子HIP4082
交换特定网络阳离子
V
DD
= V
AHB
= V
BHB
= 12V, V
SS
= V
AHS
= V
BHS
= 0V ，R
DEL
= 10万，C
L
= 1000pF的。
+25
o
C
最大
50
T
J
= -55
o
C
+150
o
C
民
-
最大
70
单位
ns
T
J
=
参数
低关断传播延迟
（ ALI - ALO ， BLI - BLO ）
上关断传播延迟
（ AHI - AHO ， BHI - BHO ）
低导通传播延迟
（ ALI - ALO ， BLI - BLO ）
上部导通传播延迟
（ AHI - AHO ， BHI - BHO ）
上升时间
下降时间
最小输入脉冲宽度
输出脉冲响应50 ns的输入脉冲
禁用关断传播延迟
（ DIS - 下输出）
禁用关断传播延迟
（ DIS - 上输出）
禁用导通传播延迟
（ DIS - ALO & BLO ）
禁用导通传播延迟
（ DISPLAY（显示） AHO & BHO ）
刷新脉冲宽度（ ALO & BLO ）
符号
T
LPHL
测试条件
民
-
典型值
25
T
HPHL
-
55
80
-
100
ns
T
LPLH
-
40
85
-
100
ns
T
HPLH
-
75
110
-
150
ns
T
R
T
F
T
PWIN ON / OFF
T
PWOUT
-
-
50
9
9
-
63
20
20
-
-
-
50
25
25
-
80
ns
ns
ns
ns
ns
T
DISLOW
-
50
80
-
90
T
DISHIGH
-
75
100
-
125
ns
T
DLPLH
-
40
70
-
100
ns
T
DHPLH
R
DEL
= 10K
-
1.2
2
-
3
s
T
REF -PW
375
580
900
350
950
ns
真值表
输入
ALI ， BLI
X
X
0
1
0
0
AHI ， BHI
X
X
X
X
1
0
VDDUV
X
1
0
0
0
0
VHBUV
X
X
1
X
0
0
DIS
1
X
0
0
0
0
ALO ， BLO
0
0
0
1
0
0
产量
AHO ， BHO
0
0
0
0
1
0
注：X显西班牙文该输入可以是一个“1”或“0”。
4
HIP4082
引脚说明
针
数
1
符号
BHB
描述
B高端自举电源。外部自举二极管和电容是必需的。连接自举阴极
举二极管和自举电容的积极一面此引脚。
B高端输入。逻辑电平输入，控制驱动器BHO （引脚16 ） 。 BLI （ 3脚）高电平输入覆盖BHI
输入高电平，以防止半桥直通，见真值表。 DIS （引脚8 ）高电平输入覆盖
BHI高电平输入。该引脚可通过0V的信号电平驱动到15V （不超过V更大
DD
） 。内部
100μA拉至V
DD
将举行的BHI高，所以不需要连接，如果高侧和低侧输出到
由低侧输入来控制。
B低端输入。逻辑电平输入，控制BLO驱动程序（引脚14 ） 。如果BHI （引脚2 ）被驱动为高或不CON-
外部连接的话BLI同时控制BLO和BHO的驱动程序，通过延时电流在DEL设置死区时间
（ 5脚） 。 DIS （引脚8 ）输入高电平覆盖BLI高电平输入。该引脚可通过0V的信号电平来驱动
至15V （不超过V更大
DD
） 。内部100μA拉至V
DD
将于BLI高，如果此引脚没有驱动。
低边输入。逻辑电平输入，控制ALO驱动程序（引脚13 ） 。如果AHI （引脚7 ）被驱动为高电平或不CON-
外部连接的话ALI同时控制ALO和AHO驱动程序，通过延时电流在DEL设置死区时间
（ 5脚） 。 DIS （引脚8 ）输入高电平覆盖ALI高电平输入。该引脚可通过0V的信号电平来驱动
至15V （不超过V更大
DD
） 。内部100μA拉至V
DD
将于ALI高，如果此引脚没有驱动。
导通延时。从这个引脚到V连接电阻
SS
设置定时电流去网络网元之间的死区时间
驱动程序。所有的驱动程序关闭，无可调延时，所以DEL电阻由DE-保证无直通
铺设导通的所有驱动程序。横跨DEL电阻上的电压是大约Vdd的-2V 。
片上负电源，一般是地面。
高端输入。逻辑电平输入，控制AHO司机（引脚10 ） 。 ALI （引脚4 ）高电平输入覆盖AHI
输入高电平，以防止半桥直通，见真值表。 DIS （引脚8 ）高电平输入覆盖
AHI高电平输入。该引脚可通过0V的信号电平驱动到15V （不超过V更大
DD
） 。内部
100μA拉至V
DD
将举行的AHI高，所以不需要连接，如果高侧和低侧输出到
由低侧输入来控制。
禁止输入。逻辑电平输入，当采取高集中的所有四个输出低电平。 DIS高覆盖所有其他IN-
放。当DIS为低电平输出由其他输入控制。所述销可以通过信号来驱动
0V至15V （水平并不比V更大
DD
） 。内部100μA拉至V
DD
将于DIS高，如果这个引脚不
驱动。
高边自举电源。外部自举二极管和电容是必需的。连接自举阴极
举二极管和自举电容的积极一面此引脚。
高侧输出。连接到高侧功率MOSFET的栅极。
高边源的连接。连接到高侧功率MOSFET的源极。连接器的负极端
自举电容此引脚。
正电源，控制逻辑和更低的栅极驱动器。德夫妇此引脚到V
SS
（引脚6 ） 。
低侧输出。连接至低侧功率MOSFET的栅极。
B低端输出。连接到B低侧功率MOSFET的栅极。
B高边源的连接。连接到B的高侧功率MOSFET的源极。连接器的负极端
自举电容此引脚。
B高侧输出。连接到B的高侧功率MOSFET的栅极。
2
BHI
3
BLI
4
ALI
5
DEL
6
7
V
SS
AHI
8
DIS
9
AHB
10
11
AHO
AHS
12
13
14
15
V
DD
ALO
BLO
BHS
16
BHO
5
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