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HUFA75631SK8
数据表
2001年12月
5.5A , 100V , 0.039 Ohm的N通道,
UltraFET功率MOSFET
包装
JEDEC MS- 012AA
BRANDING DASH
特点
超低导通电阻
- r
DS ( ON)
= 0.039,
V
GS
=
10V
仿真模型
- 温度补偿的PSpice和SABER
电气模型
- 香料和剑热阻抗模型
- www.fairchildsemi.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
漏极( 8 )
漏极( 7 )
漏(6)
漏极( 5 )
5
1
2
3
4
符号
源(1)
源(2)
SOURCE ( 3 )
门(4)
订购信息
产品型号
HUFA75631SK8
MS-012AA
BRAND
75631SK8
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF科幻x深
获得在磁带和卷轴,例如, HUFA75631SK8T的变种。
绝对最大额定值
T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
HUFA75631SK8
单位
V
V
V
A
A
100
100
±20
5.5
3.5
图4
图6,图14 , 15
2.5
20
-55到150
300
260
W
毫瓦/
o
C
o
C
o
C
o
C
漏源极电压(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压(R
GS
= 20kΩ时)(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续(T
A
= 25
o
C,V
GS
= 10V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
连续(T
A
= 100
o
C,V
GS
= 10V )(图2)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 UIS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in ( 1.6毫米)从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ,见Techbrief TB334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
注意事项:
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
2. 50
o
使用FR-4板C / W的测定0.76中
2
(490.3 mm
2
)铜焊盘以10秒。
3. 152
o
使用FR- 4电路板C / W测量在0.054
2
(34.8 mm
2
)铜垫在千秒
4. 189
o
使用FR- 4电路板C / W测量与0.0115
2
(7.42 mm
2
)铜垫在千秒
注意事项:
应力超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
该产品的设计,以满足极端测试条件和环境,汽车行业要求。对于副本
的要求,请参阅AEC Q101为: http://www.aecouncil.com/
http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html :可靠性数据可以在这里找到。
所有飞兆半导体产品的制造,在ISO9000和QS9000质量体系认证,组装和测试。
2001仙童半导体公司
HUFA75631SK8版本B
HUFA75631SK8
电气规格
参数
OFF状态规格
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V (图11)
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
V
DS
= 90V, V
GS
= 0V ,T
A
= 150
o
C
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
热规格
热阻结到
环境
R
θJA
焊盘面积=在0.76
2
(490.3 mm
2
) (注2 )
(图20,21 )
焊盘面积= 0.054中
2
(34.8 mm
2
) (注3)
(图20,21 )
焊盘面积=在0.0115
2
(7.42 mm
2
) (注4 )
(图20,21 )
交换特定网络阳离子
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷,在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
(图12)
-
-
-
1225
330
105
-
-
-
pF
pF
pF
Q
G( TOT )
Q
g(10)
Q
G( TH )
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 50V ,我
D
= 5.5A,
I
G( REF )
= 1.0毫安
(图13 ,16, 17)的
-
-
-
-
-
66
35
2.4
4.75
12
79
43
2.9
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
t
ON
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
关闭
V
DD
= 50V ,我
D
= 5.5A
V
GS
=
10V ,R
GS
= 6.8
(图18,19 )
-
-
-
-
-
-
-
11
23
39
31
-
50
-
-
-
-
105
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
-
-
50
152
189
o
C / W
o
C / W
o
C / W
T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
100
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±20V
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA (图10)
I
D
= 5.5A ,V
GS
= 10V (图9)
2
-
-
0.033
4
0.039
V
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
符号
V
SD
I
SD
= 5.5 A
I
SD
= 2.5 A
反向恢复时间
反向恢复电荷
t
rr
Q
RR
I
SD
= 5.5 ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 5.5 ,二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1.25
1.00
96
310
单位
V
V
ns
nC
2001仙童半导体公司
HUFA75631SK8版本B
HUFA75631SK8
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
,环境温度(
o
C)
6
V
GS
= 10V ,R
θJA
= 50
o
C / W
I
D
,漏电流( A)
5
4
3
2
1
0
25
50
75
100
125
T
A
,环境温度(
o
C)
150
图1.归功耗与AMBIENT
温度
图2.最大连续漏极电流VS
环境温度
10
热阻抗
Z
θJA
归一化
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
= 50
o
C / W
0.1
P
DM
t
1
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨,矩形脉冲持续时间( S)
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
10
1
10
2
10
3
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
R
θJA
= 50
o
C / W
I
DM
峰值电流( A)
100
V
GS
= 10V
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前,如下所示:
I = I
25
150 - T
A
125
10
可能限流
在这个区域
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T,脉冲宽度( S)
10
0
10
1
10
2
10
3
图4.峰值电流容量
2001仙童半导体公司
HUFA75631SK8版本B
HUFA75631SK8
典型性能曲线
200
100
I
D
,漏电流( A)
R
θJA
= 50
o
C / W
(续)
100
I
AS
,雪崩电流( A)
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100s
10
10
1
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
1ms
10ms
起始物为
J
= 25
o
C
起始物为
J
= 150
o
C
0.1
100
200
1
0.01
0.1
10
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
1
100
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关
能力
50
I
D,
漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
40
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
V
DD
= 15V
50
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
40
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
30
30
V
GS
=5V
20
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
20
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
T
A
= 25
o
C
0
1
2
3
V
DS
,漏源极电压( V)
4
10
10
0
2
3
T
J
= -55
o
C
4
5
V
GS
,门源电压( V)
6
0
图7.传热特性
图8.饱和特性
2.5
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 % MAX
2.0
归一化门
阈值电压
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.0
1.5
0.8
1.0
V
GS
= 10V ,我
D
= 5.5A
0.5
-80
-40
0
40
80
120
T
J
,结温(
o
C)
160
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
,结温(
o
C)
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
2001仙童半导体公司
HUFA75631SK8版本B
HUFA75631SK8
典型性能曲线
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
(续)
3000
C
国际空间站
=
C
GS
+ C
GD
C,电容(pF )
1000
C
RSS
=
C
GD
1.1
1.0
C
OSS
C
DS
+ C
GD
100
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
,结温(
o
C)
30
0.1
1.0
10
100
V
DS
,漏源极电压( V)
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
10
V
GS
,门源电压( V)
图12.电容VS漏源极电压
V
DD
= 50V
8
6
4
任意波形
降序排列:
I
D
= 5.5A
I
D
= 2A
0
10
20
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
40
2
0
注:请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.栅极电荷波形恒定的栅极电流
测试电路和波形
V
DS
BV
DSS
L
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
R
G
-
I
AS
V
DD
t
P
V
DS
V
DD
+
0V
I
AS
0.01
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
2001仙童半导体公司
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HUFA75631SK8T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
HUFA75631SK8T
FAIRCHILD
24+
4000
SOP8
授权分销 现货热卖
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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2443+
23000
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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