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HFS2N65S
2009年9月
BV
DSS
= 650 V
HFS2N65S
650V N沟道MOSFET
特点
有创意的新设计
高级雪崩坚固的技术
强劲的栅极氧化层技术
非常低的固有电容
优良的开关特性
无与伦比的闸电荷： 6.0 NC （典型值）。
扩展安全工作区
低
DS （ ON）
： 5.0 Ω （典型值） @V
GS
=10V
100％的雪崩测试
R
DS （ ON） （典型值）
= 5.0 Ω
I
D
= 1.8 A
TO-220F
1
2
3
1.Gate 2.排水3.源
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
漏电流
漏电流
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
= 25 ℃除非另有规定
参数
价值
650
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
- 连续（T
C
= 25℃)
- 连续（T
C
= 100℃)
- 脉冲
（注1 ）
1.8*
1.1*
7.2*
±30
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
100
1.8
5.4
4.5
23
0.18
-55到+150
300
功率耗散（T
C
= 25℃)
- 减免上述25 ℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
*漏电流受最高结温
热阻特性
符号
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
参数
典型值。
--
--
马克斯。
5.5
62.5
单位
℃/W
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2009年9月
HFS2N65S
电气特性
T
C
=25
°C
符号
参数
除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
V
GS
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.9 A
2.0
--
--
5.0
4.0
6.5
V
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
I
D
= 250
，参考25 ℃
V
DS
= 650 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 520 V，T
C
= 125℃
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
650
--
--
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/℃
ΔBV
DSS
击穿电压温度
系数
/ΔT
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，
前锋
门体漏电流，
反向
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
280
37
6.0
365
48
8.0
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
开启时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
（注4,5 ）
V
DS
= 325 V，I
D
= 1.8 A,
R
G
= 25
--
--
--
--
--
--
--
9
25
24
28
6.0
1.3
2.6
28
60
58
66
8.0
--
--
nC
nC
nC
V
DS
= 520V ，我
D
= 1.8 A,
V
GS
= 10 V
（注4,5 ）
源极 - 漏极二极管的最大额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
TRR
QRR
连续源极 - 漏极二极管的正向电流
脉冲源极 - 漏极二极管的正向电流
源极 - 漏极二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
= 1.8 A，V
GS
= 0 V
I
S
= 1.8 A，V
GS
= 0 V
di
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
230
1.0
1.8
7.2
1.4
--
--
A
V
μC
注意事项;
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 56mH ，我
AS
= 1.8A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
3. I
SD
≤1.8A ，二/ dt≤200A / μs的，V
DD
ΔBV
DSS
，起始物为
J
=25
°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤ 300μS ，占空比≤ 2 ％
5.基本上是独立工作温度
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2009年9月
HFS2N65S
典型特征
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图1.地区特点
图2.传输特性
12
R
DS （ ON）
[],
漏源导通电阻
9
V
GS
= 10V
6
V
GS
= 20V
3
*注：t
J
= 25
o
C
0
0
1
2
3
I
D
，漏电流[ A]
4
5
I
DR
，反向漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
12
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
V
DS
= 130V
V
GS
，栅源电压[V]
10
V
DS
= 325V
V
DS
= 520V
电容[ pF的]
8
6
4
2
*注：我
D
= 1.8A
0
0
2
4
6
8
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2009年9月
HFS2N65S
典型特征
（续）
1.2
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 0.9 A
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
A
0.5
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
，结温[
o
C]
T
J
，结温[C]
图7.击穿电压变化
与温度
2.0
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
图8.导通电阻变化
与温度
10
1
100
s
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
1.5
I
D
，漏电流[ A]
10
0
I
D
，漏电流[ A]
1.0
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3.单脉冲
0.5
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
3
0.0
25
50
75
100
o
125
150
V
DS
，漏源电压[V]
T
C
，外壳温度[C]
图9.最高安全工作区
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
10
1
D=0.5
Z
θJC
（T ） ，热响应
10
0
0.2
0.1
0.05
*注意：
1. Z
θJC
(t) = 5.5
o
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θJC
(t)
10
-1
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
t
1
，方波脉冲持续时间（秒）
图11.瞬态热响应曲线
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2009年9月
HFS2N65S
图12.栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
Q
g
10V
V
GS
Q
gs
Q
gd
DUT
3mA
收费
图13.电阻开关测试电路波形&
V
DS
R
G
R
L
V
DD
（ 0.5额定V
DS
)
V
DS
90%
10V
DUT
V
in
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
L
V
DS
V
DD
I
D
R
G
DUT
V
DD
BV
DSS
I
AS
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
I
D
(t)
V
DS
(t)
t
p
10V
时间
◎
SEMIHOW REV.A0 ， 2009年9月
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