引脚连接和封装标识
1
2
3
6
5
4
注意事项：
1.包装标识规定的方向和识别。
2.请参见“电气规范”进行适当的包装标识。
绝对最大额定值
[1]
T
C
= 25°C
符号
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
注意事项：
1.操作超过这些条件的任何一个可能导致器件的永久性损坏。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
是德音响定义为在所述封装引脚，其中接触是由所述电路板的温度。
电气规格牛逼
C
= 25℃ ，单二极管
[3]
部分
数
HSMS
[4]
2820
2822
2823
2824
2825
2827
2828
2829
282B
282C
282E
282F
282K
282L
282M
282N
282P
282R
测试条件
注意事项：
1.
V
F
在双二极管和四边形的15 mV（最大值）为1 mA 。
2.
C
TO
对于二极管对和四边形为0.2 pF的最大值。
3.有效的载流子寿命（ τ）为所有这些二极管为5 mA时测得与克拉考尔法100ps的最大。
标题为4见“四电容”。
5. R
D
= R
S
+ 5.2Ω ，在25℃和我
f
= 5毫安。
GUx
包
记号
CODE
C0
C2
C3
C4
C5
C7
C8
C9
C0
C2
C3
C4
CK
CL
HH
NN
CP
OO
0
2
3
4
5
7
8
9
B
C
E
F
K
L
M
N
P
R
参数
正向电流（ 1微秒脉冲）
峰值反向电压
结温
储存温度
热阻
[2]
单位
AMP
V
°C
°C
° C / W
SOT-23/SOT-143
1
15
150
-65到150
500
SOT-323/SOT-363
1
15
150
-65到150
150
领导
代码配置
单身
系列
共阳极
共阴极
PAIR无关
四戒
[4]
四桥
[4]
交叉四
单身
系列
共阳极
共阴极
高隔离度
PAIR无关
悬空三重奏
共阴极四
共阳极四
四桥
四戒
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
15
最大
前锋
电压
V
F
（毫伏）
340
最大最大
前锋
反向
电压
泄漏
V
F
(V) @
I
R
（ NA） @
I
F
（MA ）
V
R
(V)
0.5
10
100
1
最大
电容
C
T
（PF ）
1.0
典型
动态
阻力
R
D
()
[5]
12
I
R
= 100
mA
I
F
= 1毫安
[1]
V
R
= 0V
[2]
F = 1 MHz的
I
F
= 5毫安
2
四电容
肖特基二极管四边形电容测量使用
一个HP4271 LCR测量仪。该仪器有效地隔离
从更为个人二极管分支，使AC-
每个分支或每个牧师电容测量
二极管。的条件是： 20毫伏均方根电压在1 MHz 。
Avago的定义这种测量称为“ CM” ，并且它是等价
由本身借给二极管的电容。在等价
然后借给对角线相邻卡帕奇，可用距离可以校准 -
通过下面给出的公式culated 。
在一个四边形，对角线电容是电容BE-
调整点A和B ，如图下图所示。该
对角线电容是用下面的计算
公式
C
3
乘C
4
C
1
乘C
2
C
对角线
= _______ + _______
C
1
+ C
2
C
3
+ C
4
相当于乘C
2
C
1
adjacentCcapacitance是电容
3
xC
4
C
对角线
= _______ + _______
低于1的数字。这种电容
+点之间____________
A和C的
C
邻
= C
1
+ C
C
1
C
3
+ C
4
2
距离受到使用下面的公式计算
1 1
1
–– + –– + ––
1
C
2
C
3
C
C
邻
= C
1
+ ____________
4
1 1
1
–– + ––
8.33 X 10
-5
nT
+ ––
R
j
=
I +
C
2
C
3
C
4
I
b
s
线性等效电路模型二极管芯片
R
j
R
S
C
j
R
S
=串联电阻（见表的SPICE参数）
C
j
=结电容（见表的SPICE参数）
R
j
=
8.33 X 10
-5
nT
I
b
+ I
s
哪里
I
b
=外部施加的偏置电流以安培
I
s
=饱和电流（见表格的SPICE参数）
T =温度，
°K
N =理想因子（见表的SPICE参数）
注意：
有效地模拟包装HSMS- 282X产品
请参考应用笔记AN1124 。
ESD警告：
操作应采取预防措施，防止静电放电。
该信息不
-5
nT
适用于跨接四二
8.33 X 10
不
R
j
=
颂歌。
I
b
+ I
s
C
1
C
C
2
C
4
B
C
3
A
SPICE参数
参数
B
V
C
J0
E
G
I
BV
I
S
N
R
S
P
B
P
T
M
Ω
V
单位
V
pF
eV
A
A
HSMS-282x
15
0.7
0.69
1E4
2.2E8
1.08
6.0
0.65
2
0.5
3
应用信息
产品选型
Avago的系列表面贴装肖特基二极管提供
独特的解决方案，很多设计上的问题。每个进行了优
而得到优化用于特定的应用。
在选择合适的产品的第一步是选择
二极管类型。所有的产品在的HSMS- 282X FAM-
随手使用相同的二极管芯片，它们只在包不同
配置。同样是HSMS- 280x的真实， -281x ，
285x ， -286x和-270x家庭。每个家庭都有不同的
组特征，这可以最容易地比较
通过咨询对每个数据给出的SPICE参数
表。
该HSMS- 282X系列进行了优化，在使用射频
的应用，如
直流偏置小信号探测器1.5 GHz的。
偏见或偏见的大信号探测器（ AGC或
电源监视器）至4 GHz 。
混频器和frequencymultipliers到6 GHz 。
在HSMS- 282X系列的另一个特点是其单位为单位
和很多到很多的一致性。在此所用的硅芯片
系列已被设计为使用尽可能少的亲
工艺步骤，以尽量减少变化的二极管characteris-
抽动。对这款产品的一致性的统计数据显示，
的SPICE参数方面，可从安华。
对于那些需要非常高的细分应用
电压，利用二极管的HSMS- 280x系列。转向
当你需要非常低闪烁噪声HSMS- 281X 。该
HSMS - 285x是一个家庭的零偏置检波二极管的小
信号应用。高频检波器或混频器
应用程序，使用HSMS- 286x系列。该HSMS- 270X
是一系列特殊二极管用于超高速限幅
和夹紧在数字电路。
8.33 X 10
-5
nT
R
j
= –––––––––––– = R
V
– R
I
S
+I
b
0.026
≈ -----在25℃下
I
S
+I
b
V - IR
S
哪里
–––––
I = I
S
(e
0.026
– 1)
N =理想因子（见表的SPICE参数）
s
T =温度°K
I
S
=饱和电流（见表格的SPICE参数）
I
b
=外部施加的偏置电流以安培
R
v
接线和串联电阻=总和的斜率
的V-I曲线
I
S
是二极管的势垒高度的函数，并且可以从
皮安高势垒二极管，高达5μA为
非常低
8.33 X 10
-5
nT
垒二极管。
R
j
= –––––––––––– = R
V
– R
s
高度
I
肖特基势垒
S
+I
b
的肖特基势垒的电流 - 电压特性
在二极管
0.026
温度是通过以下所述
≈
房间
在25℃下
–––––
I
公式：
S
+ I
b
I = I
S
(e
S
–––––
V - IR
0.026
– 1)
肖特基势垒二极管特性
剥去包，肖特基势垒二极管芯片的
包括由否变形的金属 - 半导体阻挡层的
在半导体的金属层的位置。最
常见几种不同的类型，所述钝化二极管
示于图10中，连同其等效电路。
R
S
是二极管的寄生串联电阻的总和
所述接合线和引线框架的阻力，该阻力
体层的硅等的射频能量耦合成R
S
丢失的热不向整流输出
把二极管的。
J
是的寄生结电容
二极管，由厚的烦躁外延层的控制
和肖特基接触的直径。
j
是junc-
二极管的灰电阻，总电流的函数
流过它。
在半对数图（如图Avago的目录中）的
当前图形将与反斜面2.3直线
X 0.026 = 0.060每循环伏（直到R的效果
S
可见
中的曲线下垂在高电流） 。所有的肖特基二极管
曲线具有相同的斜率，但不一定是相同的
电流的值对于给定的电压。这是确定的
由饱和电流，我
S
，并涉及到在阻挡
二极管的高度。
通过p型或n型硅，并且在选择
选择的金属，可以定制的特点
肖特基二极管。势垒高度将被改变，并且在
同时CJ和RS将被改变。在一般情况下，非常低
势垒高度二极管（与IS的值高，适合
零偏压应用程序）实现对p型硅。这样
二极管遭受的RS比n型高值。
R
S
钝化
层
金属
钝化
N型或P型外延
肖特基结
n型或p型硅衬底
C
j
R
j
横截面肖特基
势垒二极管芯片
当量
电路
图10.肖特基二极管芯片。
5
HSMS - 285A / 6A图9
表面贴装射频肖特基
垒二极管
技术参数
HSMS- 282X系列
特点
低导通电压
（低至0.34 V ，1毫安）
低FIT （在失败时）
率*
六个西格玛质量水平
单，双和四
版本
独特的配置
表面贴装SOT- 363
包
封装引线码识别， SOT -23 / SOT -143
（ TOP VIEW ）
常见
常见
单身
3
系列
3
阳极
3
阴极
3
1
#0
2
1
#2
2
1
#3
2
1
#4
2
悬空
对
3
4
环
四
3
4
桥
四
3
4
CROSS -OVER
四
3
4
- 增加灵活性
- 节省电路板空间
- 降低成本
HSMS- 282K接地
中心信息提供多达
高10dB隔离
匹配的二极管
稳定的性能
更好的导热性
更高的功率耗散
1
#5
2
1
#7
2
1
#8
2
1
#9
2
包铅代码iDEN的
tification ， SOT- 323
（ TOP VIEW ）
单身
系列
包铅代码iDEN的
tification ， SOT- 363
（ TOP VIEW ）
高隔离度
PAIR无关
6
5
4
悬空
TRIO
6
5
4
提供无铅选项
*
欲了解更多信息，请参阅
表面贴装肖特基
可靠性数据表。
B
常见
阳极
C
常见
阴极
1
2
3
K
常见
阴极QUAD
6
5
4
1
2
3
L
常见
阳极QUAD
6
5
4
E
F
1
2
说明/应用
这些肖特基二极管
专为设计
模拟和数字应用。
该系列提供了广泛的
规格及包装
配置，以提供
设计师很大的灵活性。典型
这些肖特基应用
二极管混频，探测，
开关，采样，夹紧，
和波形整形。该
HSMS- 282X系列二极管是
最好的最全面的选择
应用，具有低系列
性，低的正向电压
目前所有的水平和良好的RF
的特点。
需要注意的是安捷伦的制造业
技术保证骰子发现
在对和四边形是取自
邻近的位置在晶片上，
保证了最高程度的
匹配。
M
3
1
2
N
3
桥
四
6
5
4
6
环
四
5
4
1
2
P
3
1
2
R
3
2
引脚连接和
包装标志
1
2
3
6
5
4
绝对最大额定值
[1]
T
C
= 25°C
符号参数
I
f
P
IV
T
j
T
英镑
θ
jc
单位SOT -23 / SOT -143 SOT- 323 / SOT- 363
1
15
150
-65到150
500
1
15
150
-65到150
150
正向电流（ 1
s
脉冲）放大器
峰值反向电压
V
结温
储存温度
热阻
[2]
°C
°C
° C / W
注意事项：
1.包装标识规定
定位和识别。
2.请参见“电气规范”
适当的包装标识。
电气规格牛逼
C
= 25
°
C，单二极管
[4]
部分
包
号标记的铅
HSMS
[5]
CODE
CODE
2820
2822
2823
2824
2825
2827
2828
2829
282B
282C
282E
282F
282K
282L
282M
282N
282P
282R
C0
[3]
C2
[3]
C3
[3]
C4
[3]
C5
[3]
C7
[3]
C8
[3]
C9
[3]
C0
[7]
C2
[7]
C3
[7]
C4
[7]
CK
[7]
CL
[7]
HH
[7]
NN
[7]
CP
[7]
OO
[7]
0
2
3
4
5
7
8
9
B
C
E
F
K
L
M
N
P
R
最大
最小最大正向
正向击穿
电压
电压
电压
V
F
(V) @
V
BR
(V)
V
F
（毫伏）
I
F
（MA ）
15
340
0.5
10
最大
反向
典型
泄漏
最大
动态
I
R
（ NA） @电容电阻
V
R
(V)
C
T
（PF ）
R
D
()
[6]
100
1
1.0
12
测试条件
注意事项：
1.
V
F
在双二极管和四边形的15 mV（最大值）为1 mA 。
2.
C
TO
对于二极管对和四边形为0.2 pF的最大值。
3.包装标识代码是白色的。
4.有效的载流子寿命（ τ）为所有这些二极管为5 mA时测得与克拉考尔法100ps的最大。
标题5.见“四电容”。
6. R
D
= R
S
+ 5.2
在25℃和我
f
= 5毫安。
7.包装标识代码激光标记。
GUx
注意事项：
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
该设备。
2. T
C
= + 25 ° C，其中T
C
被定义为在所述封装引脚，其中温度
接触形成于所述电路板。
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
PAIR无关
四戒
[5]
四桥
[5]
交叉四
单身
系列
共阳极
共阴极
高隔离度
PAIR无关
悬空三重奏
共阴极四
共阳极四
四桥
四戒
I
R
= 100
A
I
F
= 1毫安
[1]
V
F
= 0 V
F = 1 MHz的
[2]
I
F
= 5毫安
4
典型性能，T
C
= 25
°
℃（除非另有说明） ，单二极管
100
I
F
- 正向电流（mA ）
C
T
- 电容（pF ）
I
R
- 反向电流（ NA）
10
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
T
A
= –25°C
100,000
1
10,000
0.8
1000
0.6
1
100
0.4
0.1
10
1
0
5
0.01
0
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
V
F
- 正向电压（ V）
T
A
= +125°C
T
A
= +75°C
T
A
= +25°C
10
15
0.2
0
0
2
4
6
8
V
R
- 反向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图1.正向电流与
在正向电压的温度。
图2.反向电流与
反向电压的温度。
图3.总电容与
反向电压。
V
F
- 正向电压差（MV ）
1000
30
30
100
1.0
10
I
F
（左轴）
10
100
I
F
（左轴）
10
10
1
V
F
（右轴）
1
V
F
（右轴）
1
0.1
1
10
100
0.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.3
1.4
1
0.10
0.15
0.20
0.1
0.25
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
V
F
- 正向电压（ V）
图4.动态电阻与
正向电流。
图5.典型的V
f
全场比赛，双系列
和四边形的混频器偏置电平。
图6.典型的V
f
全场比赛，双系列
在检测器偏置电平。
1
10
10
V
O
=输出电压（V）的
V
O
=输出电压（V）的
DC偏压= 3
A
0.1
-25°C
+25°C
+75°C
0.1
0.01
+25°C
转换损耗（dB ）
1
9
8
0.01
RF在18 nH的HSMS- 282B武
3.3 nH的
100 pF的
100 K
0
0.001
0.0001
1E-005
-20
在RF
68
HSMS-282B
Vo
100 pF的
7
4.7 K
20
30
6
0
2
4
6
8
10
12
本振功率（dBm ）
0.001
-40
-30
-20
-10
-10
0
10
P
in
- 输入功率（dBm ）
P
in
- 输入功率（dBm ）
图7.典型输出电压 -
输入功率，小信号探测器
工作在850兆赫。
图8.典型输出电压 -
输入功率，大信号探测器
工作频率为915MHz 。
图9.典型变频损耗与
L.O.驱动器， 2.0千兆赫（参考AN997 ） 。
V
F
- 正向电压差（MV ）
R
D
- 动态电阻（ Ω ）
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ μA ）
QQ：2881677436 复制
