HMC648
v02.1109
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
典型应用
该HMC648是理想的：
EW接收机
特点
低RMS相位误差： 1.5 °
低插入损耗： 4分贝
高线性度： +45 dBm的
正控制电压
360 °覆盖， LSB = 5.625 °
模具尺寸： 3.27 X 1.90 X 0.1毫米
3
移相器 - 数字 - CHIP
天气&军用雷达
卫星通信
波束形成模块
阶段取消
工作原理图
概述
该HMC648是一个6位的数字移相器模
这是从2.9到3.9 GHz的额定，提供360
度相覆盖，以5.625一个LSB的
度。该HMC648具有非常低的RMS相位
1.5度误差和极低的插入损耗
±0.5 dB的所有相位状态的变化。这
高精确度的移相器进行控制位置
0 / + 5V略去控制逻辑，以及内部匹配
50欧姆，无需外部元件。
电气电源规格，
T
A
= +25° C,
VSS = -5V ， VDD = 5V + ，控制电压为0 / + 5V ， 50欧姆系统
参数
频带
插入损耗*
输入回波损耗*
输出回波损耗*
相位误差*
RMS相位误差
插入损耗变化*
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
控制电压电流
偏置电流控制
*注：主要国家表示
分钟。
2.9
4
16
14
±5
1.5
±0.5
31
45
35
5
250
15
+10 / -18
典型值。
马克斯。
3.9
6
单位
GHz的
dB
dB
dB
度
度
dB
DBM
DBM
μA
mA
3 - 38
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC648
v02.1109
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
插入损耗，大国只有
0
-2
插入损耗（dB ）
-4
-6
-8
-10
-12
2.4
标准化的损失，主要国家只有
6
4
2
0
-2
-4
-6
2.4
归一化的损失（ dB）的
3
移相器 - 数字 - CHIP
3 - 39
2.8
3.2
3.6
4
4.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗，大国只有
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
2.4
相位误差主要国家只有
20
15
相位误差（度）
10
5
0
-5
-10
-15
-20
2.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输出回波损耗，大国只有
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
2.4
相对相移
主要的国家，包括所有的位
400
相对相移（度）
350
300
250
200
150
100
50
0
2.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC648
v02.1109
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
相对相移，
有效值，平均值，最大值，所有国家
30
相对相移（度）
25
20
15
10
5
0
-5
-10
2.9
最大
平均
RMS
输入IP3 ，大国只有
60
55
50
IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
2.9
3
移相器 - 数字 - CHIP
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入IP2 ，大国只有
110
输入P1dB的，主要只有国
40
35
30
25
20
15
10
2.9
100
P1dB的（ DBM）
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
IP2 （ dBm的）
90
80
70
60
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
RMS相位误差与温度的关系
10
相对相移（度）
插入损耗与温度的关系，
大国只有
0
-2
5
插入损耗（dB ）
-4
-6
-8
-10
-12
2.9
0
-5
+25C
+85C
-40C
-10
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
3 - 40
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC648
v02.1109
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
绝对最大额定值
输入功率（ RFIN ）
33 dBm的（T = 85 ° C）
-0.2 + 12V
+0.2至-12V
150 °C
120 ° C / W
偏置电压范围（ VDD）
偏置电压范围（ VSS）
通道温度（ Tc）的
相位误差对国
10
3.1 ， 3.3 ， 3.5 ， 3.7 ， 3.9 GHz的
相位误差（度）
5
0
热阻
（信道死底部）
-5
3
移相器 - 数字 - CHIP
3 - 41
储存温度
2.9 GHz的
-65至+150°C
-55至+85°C
-10
工作温度
-15
0
45
90
135
180
225
270
315
360
状态（度）
静电敏感器件
观察处理注意事项
真值表
控制电压输入
第1位
0
1
0
0
0
0
0
1
第2位
0
0
1
0
0
0
0
1
第3位
0
0
0
1
0
0
0
1
4位
0
0
0
0
1
0
0
1
第5位
0
0
0
0
0
1
0
1
第6位
0
0
0
0
0
0
1
1
相移
（度）
RFIN - RFOUT
参考*
5.625
11.25
22.5
45.0
90.0
180.0
354.375
偏置电压电流&
VDD
5.0
VSS
-5.0
国际直拨电话
5.2mA
国际空间站
5.2mA
控制电压
状态
低（0）
高（1）
偏置条件
0到0.2伏
VDD ± 0.2伏@ 35 μA典型值。
在上述状态中的任何组合将提供一个相移
近似等于所选择的比特的总和。
*参考对应于单调的设置
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
此端口直流耦合，匹配50欧姆。
接口示意图
2, 11
GND
这些垫和模具底部
必须连接到射频/ DC接地。
电源电压。
控制输入。见真值表
电压和控制电压表。
电源电压。
3
4 - 6,
8 - 10
7
VDD
BIT1 ， BIT2 ， BIT3 ，
BIT4 ， BIT5 。 BIT6
VSS
RFOUT
12
此端口直流耦合，匹配50欧姆。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC648
v02.1109
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
外形绘图
3
移相器 - 数字 - CHIP
芯片封装信息
[1]
标准
GP - 1 （胶装）
备用
[2]
注意事项：
1.英寸所有尺寸（毫米）
2. DIE厚度为0.004
3.背面金属：金
4.背面金属研磨
5.焊垫金属化：金
6.外型尺寸DIE ± 0.002
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
3 - 42
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC648
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
典型应用
该HMC648是理想的：
EW接收机
特点
低RMS相位误差： 1.5 °
低插入损耗： 4分贝
高线性度： +45 dBm的
正控制电压
360 °覆盖， LSB = 5.625 °
模具尺寸： 3.85 X 1.85 X 0.1毫米
5
移相器 - CHIP
天气&军用雷达
卫星通信
波束形成模块
阶段取消
工作原理图
概述
该HMC648是一个6位的数字移相器
死，额定从2.9到3.9千兆赫，提供
360度相覆盖，以5.625一个LSB的
度。该HMC648具有非常低的RMS相位
1.5度误差和极低的插入损耗
±0.5 dB的所有相位状态的变化。这
高精确度的移相器进行控制以正
0 / + 5V的控制逻辑，并且由内部匹配50
欧无需外部元件。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= +25° C,
VSS = -5V ， VDD = 5V + ，控制电压为0 / + 5V ， 50欧姆系统
参数
频带
插入损耗*
输入回波损耗*
输出回波损耗*
相位误差*
RMS相位误差
插入损耗变化*
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
控制电压电流
偏置电流控制
*注：主要国家表示
分钟。
2.9
4
16
14
±5
1.5
±0.5
31
45
<250
<12
+10 / -18
典型值。
马克斯。
3.9
6
单位
GHz的
dB
dB
dB
度
度
dB
DBM
DBM
μA
mA
5 - 56
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC648
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
插入损耗，大国只有
0
-2
插入损耗（dB ）
-4
-6
-8
-10
-12
2.4
标准化的损失，主要国家只有
6
4
2
0
-2
-4
-6
2.4
归一化的损失（ dB）的
5
移相器 - CHIP
5 - 57
2.8
3.2
3.6
4
4.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入回波损耗，大国只有
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
2.4
相位误差主要国家只有
20
15
相位误差（度）
10
5
0
-5
-10
-15
-20
2.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输出回波损耗，大国只有
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
2.4
相对相移
主要的国家，包括所有的位
400
相对相移（度）
350
300
250
200
150
100
50
0
2.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
2.8
3.2
3.6
4
4.4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC648
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
相对相移，
有效值，平均值，最大值，所有国家
30
相对相移（度）
25
20
15
10
5
0
-5
-10
2.9
最大
平均
RMS
输入IP3 ，大国只有
60
55
50
IP3 （ dBm的）
45
40
35
30
2.9
5
移相器 - CHIP
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
输入IP2 ，大国只有
110
输入P1dB的，主要只有国
40
35
30
25
20
15
10
2.9
100
P1dB的（ DBM）
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
IP2 （ dBm的）
90
80
70
60
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
RMS相位误差与温度的关系
10
相对相移（度）
插入损耗与温度的关系，
大国只有
0
-2
5
插入损耗（dB ）
-4
-6
-8
-10
-12
2.9
0
-5
+25C
+85C
-40C
-10
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
频率（GHz ）
频率（GHz ）
5 - 58
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC648
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
相位误差对国
10
3.1 ， 3.3 ， 3.5 ， 3.7 ， 3.9 GHz的
相位误差（度）
5
0
5
2.9 GHz的
-5
-10
-15
0
45
90
135
180
225
270
315
360
状态（度）
绝对最大额定值
输入功率（ RFIN ）
偏置电压范围（ VDD）
偏置电压范围（ VSS）
通道温度（ Tc）的
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
27 dBm的（T = 85 ° C）
-0.2 + 12V
+0.2至-12V
150 °C
120 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
偏置电压电流&
VDD
5.0
VSS
-5.0
国际直拨电话
5.2mA
国际空间站
5.2mA
控制电压
状态
低（0）
高（1）
偏置条件
0到0.2伏
VDD ± 0.2伏@ 35 μA典型值。
静电敏感器件
观察处理注意事项
真值表
控制电压输入
第1位
0
1
0
0
0
0
0
1
第2位
0
0
1
0
0
0
0
1
第3位
0
0
0
1
0
0
0
1
4位
0
0
0
0
1
0
0
1
第5位
0
0
0
0
0
1
0
1
第6位
0
0
0
0
0
0
1
1
相移
（度）
RFIN - RFOUT
参考*
5.625
11.25
22.5
45.0
90.0
180.0
354.375
在上述状态中的任何组合将提供一个相移近似
三方共同等于所选择的比特的总和。
*参考对应于单调的设置
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
5 - 59
移相器 - CHIP
HMC648
v00.0607
砷化镓MMIC 6位数字
移相器， 2.9 - 3.9 GHz的
外形绘图
5
移相器 - CHIP
芯片封装信息
[1]
标准
GP-1
备用
[2]
注意事项：
1.英寸所有尺寸（毫米）
2. DIE厚度为0.004
3.背面金属：金
4.背面金属研磨
5.焊垫金属化：金
6.外型尺寸DIE ± 0.002
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
5 - 60
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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