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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第768页 > HIP1011CB-T
HIP1011
数据表
1999年8月
网络文件编号
4311.7
PCI热插拔控制器
该HIP1011是PCI热插拔电压总线控制IC,适用于
现代计算机系统中使用,有利于热插入
的适配器卡进入和离开的有源或无源的背面
平面。随着离散功率MOSFET和几
无源元件,所述HIP1011创建一个小的和简单
但完整的电源控制解决方案。四个独立
供应量的控制, + 5V ,+ 3.3 , + 12V , -12V和。在+ 12V
和-12V开关被集成在一起。为+ 5V和+ 3.3V
用品,过电流保护是通过检测提供
两端的电压外部检流电阻。对于+ 12V
和-12V电源,过电流保护提供
在内部。此外,片内基准是用来监测
在+ 5V , + 3.3V和+ 12V输出欠压条件。
该PWRON输入控制开关的状态。中
过流条件对任何输出,或欠压
条件对+ 5V , + 3.3V或+ 12V输出,所有的MOSFET
立即被锁存关断和一个低电平(0V )被置上
在FLTN输出。该FLTN锁存器被清零时, PWRON
输入被再次触发低。在初始上电的主要原因
V
CC
电源(+ 12V) ,该PWRON输入从抑制
接通开关,而锁存器的复位状态
状态,直到V
CC
输入电压大于10V。
的过流阈值的用户可编程性和导通
压摆率提供。连接到OCSET引脚的电阻
节目的过流阈值。电容器连接到
栅销设置在导通率。此外,电容器可
添加到FLTN引脚提供抗噪声能力。
特点
控制四个电源分布: + 5V , + 3.3V , + 12V ,
和-12V
内部MOSFET开关的+ 12V和-12V输出
微处理器接口的开/关控制和故障
报告
可调节过流保护所有耗材
提供故障隔离
可调节导通压摆率
最少元件数解决方案
无电荷泵
应用
PCI热插拔
CompactPCI的
引脚
HIP1011
( SOIC )
顶视图
M12VIN
FLTN
3V5VG
V
CC
12VIN
1
2
3
4
5
6
7
8
16 M12VO
15 M12VG
14 12VG
13 GND
12 12VO
11 5VISEN
10 5VS
9
PWRON
订购信息
产品型号
HIP1011CB
HIP1011CB-T
温度。
RANGE (
o
C)
0到70
0到70
16 Ld的SOIC
磁带和卷轴
PKG 。
M16.15
3VISEN
3VS
OCSET
典型用途
3.3V输入
3.3V,
7.6A输出
5m, 1%
12V,
0.5A输出
-12V,
0.1A输出
5V,
5A OUT
5m, 1%
5V输入
HUF761315K8
HIP1011
M12VIN
FLTN
3V5VG
V
CC
12VIN
3VISEN
3VS
OCSET
6.04k
1%
电源控制输入
故障输出(低电平有效)
M12VO
M12VG
12VG
GND
12VO
5VISEN
5VS
PWRON
0.033F
0.033F
0.033F
-12V输入
12V输入
(可选)
注意:
1.所有的电容都
±10%.
2-1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司1999
HIP1011
简化的原理图
5VREF
SET ( LOW = FAULT)
故障锁存器
LOW = FAULT
COMP
FLTN
+
4.6V
抑制
RESET
COMP
-
+
2.9V
抑制
COMP
-
+
10.8V
抑制
V
CC
V
CC
COMP
+
V
OCSET
/17
+
-
-
-
5VS
V
CC
3V5VG
V
CC
5V稳压
参考
5VREF
5VISEN
V
OCSET
/13.3
V
CC
12VIN
POWER- ON
RESET
低当V
CC
< 10V
COMP
+
+
-
3VS
-
3VISEN
V
CC
100A
V
OCSET
OCSET
高?
故障
+
V
CC
HIGH =接通
PWRON
V
OCSET
/3.3
+
12VO
COMP
GND
-
+
2-2
+
V
CC
COMP
V
OCSET
/0.8
-
12VIN
0.3
-
-
12VG
M12VIN
0.7
M12VG
M12VIN
M12VO
HIP1011
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
代号
M12VIN
FLTN
3V5VG
VCC
12VIN
3VISEN
3VS
OCSET
功能
-12V输入
故障输出
描述
-12V电源输入。还提供了电源-12V过流保护电路。
5V CMOS故障输出; LOW =故障。一个可选的电容可能会发生此引脚与
地面提供从电源毛刺附加豁免权。
3.3V / 5V栅极驱动器输出的3.3V和5V MOSFET的栅极。连接一个电容器接地来设定起动
加速过程。期间导通,该电容器被充电以25μA电流源。
12V V
CC
输入
12V输入
3.3V电流检测
3.3V电源
过电流集
连接到无开关的12V电源。
切换12V电源输入。
连接至电流检测电阻的负载侧串联外部3.3V的源
MOSFET。
连接到3.3V MOSFET的源代码。这与引脚6 ( 3VISEN )连接感应
检测电阻两端的电压降。
连接一个电阻从这个引脚到地设置所有四个开关的过电流跳变点。所有
4过流跳闸可以通过改变这个电阻值进行编程。默认
( 6.04kΩ ,1%)与所允许的最大电流兼容如在PCI概述specifi-
阳离子。
控制所有四个开关。高打开开关ON ,低关掉它们。
连接到5V MOSFET开关的源代码。这与引脚11( 5VISEN )感官连接
检测电阻两端的电压降。
连接至电流检测电阻的负载侧串联的外部5V MOSFET的源极。
9
10
11
12
13
14
PWRON
5VS
5VISEN
12VO
GND
12VG
开机控制
5V电源
5V电流检测
12V切换开关输出12V输出。
内部的门
PMOS
连接到普通电源。
连接12VG和12VO之间的电容来设置启动斜坡的+ 12V电源。
该电容器充电过程的开始 - 向上一个25μA电流源。 3.3V和5V的UV
电路被使能后在12VG的电压小于400mV的。因此,如果电容器
销3 ( 3V5VG )上比所述电容器上的销14 ( 12VG )假紫外线大25%以上的
启动过程中,可被检测。
连接M12VG和M12VO之间的电容来设置启动坡道M12V供应。
启动过程中,该电容进行充电25μA 。
切换12V输出。
15
16
M12VG
M12VO
内部的门
NMOS
切换-12V
产量
2-3
HIP1011
绝对最大额定值
V
CC
, 12VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 14.0V
12VO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
12VIN
+0.5V
12VO , 12VG , 3V5VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+0.5V
M12VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -15.0V到+ 0.5V
M12VO , M12VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
M12VIN
-0.5V至+ 0.5V
3VISEN , 5VISEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V的小
CC
或+ 7.0V
电压,任何其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3A
M12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8A
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4KeV ( HBM )
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
模具特点
晶体管的数量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 290
工作条件
VCC电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.8V至13.2V +
±12V,
5V和3.3V的输入电源容限。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10%
12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到+ 0.5A
M12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到+ 0.1A
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0
o
C至70
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
2.所有电压都是相对于GND时,除非另有规定。
电气连接特定的阳离子
参数
5V / 3.3V电源控制
5V过流阈值
5V过流阈值电压
5V欠压脱扣阈值
标称5V和3.3V的输入电源电压,
V
CC
= 12VIN = 12V , M12VIN = -12V ,T
A
= T
J
= 0至70
o
C,除非另有规定编
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
OC5V
V
OC5V
V
5VUV
t
5VUV
参见图1 ,典型应用
V
OCSET
= 1.2V
-
66
4.42
-
7.1
72
4.6
150
6.5
-26
-140
9.0
95
2.86
150
6.5
-26
-140
25.0
280
13
2
-
79
4.75
350
-
-20
-110
-
102
2.97
350
-
-20
-110
27.5
500
17
-
A
mV
V
ns
ms
A
A
A
mV
V
ns
ms
A
A
A
s
s
s
5V欠压故障响应时间
5V导通时间( PWRON高到
5VOUT = 4.75V )
5VS输入偏置电流
5VISEN输入偏置电流
3V过流阈值
3V过流阈值电压
3V欠压脱扣阈值
3V欠压故障响应时间
3V导通时间( PWRON到高
3VOUT = 3.00V )
3VS输入偏置电流
3VISEN输入偏置电流
门输出充电电流
栅极导通时间( PWRON到高
3V5VG = 11V )
栅极关断时间
栅极关断时间
C
3V5VG
= 0.022μF ,C
5VOUT
= 2000F,
R
L
= 1
IB
5VS
IB
5VISEN
I
OC3V
V
OC3V
V
3VUV
t
3VUV
C
3V5VG
= 0.022μF ,C
3VOUT
= 2000F,
R
L
= 0.43
IB
3VS
IB
3VISEN
IC
3V5VG
t
ON3V5V
t
OFF3V5V
PWRON =高
PWRON =高
PWRON =高,V
3V5VG
= 2V
C
3V5VG
= 0.1F
C
3V5VG
= 0.1μF , 3V5VG从9.5 V至1V
C
3V5VG
= 0.022μF , 3V5VG下降90 %,至
10%
PWRON =高
PWRON =高
参见图1 ,典型应用
V
OCSET
= 1.2V
-
-40
-160
-
88
2.74
-
-
-40
-160
22.5
-
-
-
2-4
HIP1011
电气连接特定的阳离子
参数
+ 12V电源控制
在内部PMOS的电阻
过流阈值
12V欠压脱扣阈值
欠压故障响应时间
栅极充电电流
导通时间( PWRON高到
12VG = 1V )
打开-O FF时间
打开-O FF时间
-12V电源控制
对内部NMOS的电阻
过流阈值
门输出充电电流
导通时间( PWRON高到
M12VG = -1V )
导通时间( PWRON高到
M12VO = -10.8V )
打开-O FF时间
打开-O FF时间
M12VIN输入偏置电流
控制I / O引脚
电源电流
OCSET电流
过流故障响应时间
PWRON阈值电压
FLTN输出低电压
FLTN输出高电压
FLTN输出锁存阈值
12V上电复位门限
I
VCC
I
OCSET
t
OC
V
THPWRON
V
FLTN , OL
V
FLTN , OH
V
FLTN , TH
V
POR , TH
V
CC
电压降
I
FLTN
= 2毫安
I
FLTN
= 0至-4mA
4
95
-
0.8
-
3.9
1.8
9.4
5
100
500
1.6
0.6
4.3
2.3
10
5.8
105
960
2.1
0.9
4.9
3
10.6
mA
A
ns
V
V
V
V
V
IB
M12VIN
t
OFFM12V
r
DS(ON)M12
I
OCM12V
IC
M12VG
t
ONM12V
PWRON =高,我
D
= 0.1A,
T
A
= T
J
= 25
o
C
V
OCSET
= 1.2V
PWRON =高,V
M12VG
= -4V
C
M12VG
= 0.022F
C
M12VG
= 0.022μF ,C
M12VO
= 50F,
R
L
= 120
C
M12VG
= 0.1μF , M12VG
C
M12VG
= 0.022μF , M12VG降90 %
至10%
PWRON =高
0.5
0.30
22.5
-
-
-
-
-
0.7
0.37
25
160
16
18
3
2
0.9
0.50
27.5
300
-
23
-
2.6
A
A
s
ms
s
s
mA
r
DS(ON)12
I
OC12V
V
12VUV
t
12VUV
IC
12VG
t
ON12V
t
OFF12V
PWRON =高,V
12VG
= 3V
C
12VG
= 0.022F
C
12VG
= 0.1μF , 12VG
C
12VG
= 0.022μF , 12VG上升
10% - 90%
PWRON =高,我
D
= 0.5A ,T
A
= T
J
= 25
o
C
V
OCSET
= 1.2V
0.18
1.25
10.5
-
23.5
-
-
-
.300
1.50
10.8
150
25.0
16
9
3
0.350
1.8
11.15
-
28.5
20
12
-
A
V
ns
A
ms
s
s
标称5V和3.3V的输入电源电压,
V
CC
= 12VIN = 12V , M12VIN = -12V ,T
A
= T
J
= 0至70
o
C,除非另有规定编
(续)
符号
测试条件
典型值
最大
单位
2-5
HIP1011
数据表
2004年3月
FN4311.9
PCI热插拔控制器
该HIP1011是PCI热插拔电压总线控制IC,适用于
现代计算机系统中使用,有利于热插入
的适配器卡进入和离开的有源或无源的背面
平面。随着分立功率MOSFET和一些无源
元件, HIP1011创建一个小的和简单而
完整的电源控制解决方案。四个独立耗材
控制, + 5V , + 3.3V , + 12V , -12V和。在+ 12V和 -
12V开关集成。为+ 5V和+ 3.3V电源,
过电流保护是通过感测所述电压提供
整个外部检流电阻。对于+ 12V和
-12V电源,过电流保护,内部提供。在
此外,片内基准是用来监视+ 5V ,
+ 3.3V和+ 12V输出欠压条件。该
PWRON输入控制开关的状态。期间
在任何输出,或欠压过流条件
条件对+ 5V , + 3.3V或+ 12V输出,所有的MOSFET
立即被锁存关断和一个低电平(0V )被置上
在FLTN输出。该FLTN锁存器被清零时, PWRON
输入被再次触发低。在初始上电的主要原因
V
CC
电源(+ 12V) ,该PWRON输入从抑制
接通开关,而锁存器的复位状态
状态,直到V
CC
输入电压大于10V。
的过流阈值的用户可编程性和导通
压摆率提供。连接到OCSET引脚的电阻
节目的过流阈值。电容器连接到
栅销设置在导通率。此外,电容器可
添加到FLTN引脚提供抗噪声能力。
特点
控制四个电源分布: + 5V , + 3.3V , + 12V ,
和-12V
内部MOSFET开关的+ 12V和-12V输出
微处理器接口的开/关控制和故障
报告
可调节过流保护所有耗材
提供故障隔离
可调节导通压摆率
最少元件数解决方案
无电荷泵
无铅封装选项
应用
PCI热插拔
CompactPCI的
引脚
HIP1011
( SOIC )
顶视图
M12VIN
FLTN
3V5VG
V
CC
12VIN
1
2
3
4
5
6
7
8
16 M12VO
15 M12VG
14 12VG
13 GND
12 12VO
11 5VISEN
10 5VS
9 PWRON
订购信息
产品型号
HIP1011CB
HIP1011CB-T
HIP1011CBZA
(注)
HIP1011CBZA-T
(注)
HIP1011EVAL1
TEMP 。 RANGE
(°C)
0到70
0到70
0到70
0到70
16 Ld的SOIC
磁带和卷轴
16 Ld的SOIC
(无铅)
磁带和卷轴
(无铅)
评估平台
M16.15
PKG 。
DWG 。 #
M16.15
3VISEN
3VS
OCSET
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004.保留所有权利
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HIP1011
典型用途
3.3V输入
3.3V,
7.6A输出
5m, 1%
12V,
0.5A输出
-12V,
0.1A输出
5V,
5A OUT
5m, 1%
5V输入
HUF761315K8
-12V输入
HIP1011
M12VIN
FLTN
3V5VG
V
CC
12VIN
3VISEN
3VS
OCSET
6.04k
1%
电源控制输入
故障输出(低电平有效)
M12VO
M12VG
12VG
GND
12VO
5VISEN
5VS
PWRON
0.033F
0.033F
0.033F
12V输入
(可选)
注意:
1.所有的电容都
±10%.
2
HIP1011
简化的原理图
5VREF
SET ( LOW = FAULT)
故障锁存器
LOW = FAULT
COMP
FLTN
-
+ 4.6V
抑制
RESET
COMP
-
+ 2.9V
抑制
COMP
-
+ 10.8V
抑制
V
CC
V
CC
COMP
+
-
V
OCSET
/17
+
-
5VS
V
CC
3V5VG
5VREF
5VISEN
V
OCSET
/13.3
COMP
低当V
CC
< 10V
+
-
+
-
3VS
V
CC
5V稳压
参考
V
CC
12VIN
POWER- ON
RESET
3VISEN
V
CC
100A
V
OCSET
OCSET
高?
故障
V
CC
HIGH =接通
PWRON
V
OCSET
/3.3
+
-
+
0.7
M12VG
12VO
COMP
GND
3
+
V
CC
-
-
M12VIN
COMP
V
OCSET
/0.8
-
+
0.3
12VIN
12VG
M12VIN
M12VO
HIP1011
引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
代号
M12VIN
FLTN
3V5VG
VCC
12VIN
3VISEN
3VS
OCSET
功能
-12V输入
故障输出
描述
-12V电源输入。还提供了电源-12V过流保护电路。
5V CMOS故障输出; LOW =故障。一个可选的电容可能会发生此引脚与
地面提供从电源毛刺附加豁免权。
3.3V / 5V栅极驱动器输出的3.3V和5V MOSFET的栅极。连接一个电容到地来设置启动
坡道。期间导通,该电容器被充电以25μA电流源。
12V V
CC
输入
12V输入
3.3V电流检测
3.3V电源
过电流集
连接到无开关的12V电源。
切换12V电源输入。
连接至电流检测电阻的负载侧串联外部3.3V的源
MOSFET。
连接到3.3V MOSFET的源代码。这与引脚6 ( 3VISEN )连接感应
检测电阻两端的电压降。
连接一个电阻从这个引脚到地设置所有四个开关的过电流跳变点。所有
4过流跳闸可以通过改变这个电阻值进行编程。默认
( 6.04kΩ ,1%)与所允许的最大电流兼容如在PCI概述
特定连接的阳离子。
控制所有四个开关。高打开开关ON ,低关掉它们。
连接到5V MOSFET开关的源代码。这与引脚11( 5VISEN )感官连接
检测电阻两端的电压降。
连接至电流检测电阻的负载侧串联的外部5V MOSFET的源极。
9
10
11
12
13
14
PWRON
5VS
5VISEN
12VO
GND
12VG
开机控制
5V电源
5V电流检测
12V切换开关输出12V输出。
内部的门
PMOS
连接到普通电源。
连接12VG和12VO之间的电容来设置启动斜坡的+ 12V电源。这
电容器被充电以在启动过程中25μA电流源。 3.3V和5V的UV电路
在12VG电压后使能小于400mV的。因此,如果在销上的电容器
3 ( 3V5VG )比上销14的电容较大的25%以上( 12VG )假紫外可
在启动过程中检测到。
连接M12VG和M12VO之间的电容来设置启动坡道M12V供应。
在启动过程中该电容器充电25μA 。
切换12V输出。
15
16
M12VG
M12VO
内部的门
NMOS
切换-12V
产量
4
HIP1011
绝对最大额定值
V
CC
, 12VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 14.0V
12VO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
12VIN
+0.5V
12VO , 12VG , 3V5VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+0.5V
M12VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -15.0V到+ 0.5V
M12VO , M12VG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
M12VIN
-0.5V至+ 0.5V
3VISEN , 5VISEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V的小
CC
或+ 7.0V
电压,任何其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3A
M12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.8A
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4KeV ( HBM )
热信息
热电阻(典型值,注1 )
θ
JA
( ° C / W)
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
68
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
( SOIC - 只会提示)
模具特点
晶体管的数量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 290
工作条件
VCC电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 10.8V至13.2V +
±12V,
5V和3.3V的输入电源容限。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10%
12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到+ 0.5A
M12VO输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到+ 0.1A
温度范围(T
A
) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板在自由空气中的分量。请参见技术简介379
了解详细信息。
2.所有电压都是相对于GND时,除非另有规定。
电气规格
参数
5V / 3.3V电源控制
5V过流阈值
5V过流阈值电压
5V欠压脱扣阈值
标称5V和3.3V的输入电源电压,
V
CC
= 12VIN = 12V , M12VIN = -12V ,T
A
= T
J
= 0至70℃ ,除非另有说明
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
OC5V
V
OC5V
V
5VUV
t
5VUV
参见图1 ,典型应用
V
OCSET
= 1.2V
-
66
4.42
-
7.1
72
4.6
150
6.5
-26
-140
9.0
95
2.86
150
6.5
-26
-140
25.0
280
13
2
-
79
4.75
350
-
-20
-110
-
102
2.97
350
-
-20
-110
27.5
500
17
-
A
mV
V
ns
ms
A
A
A
mV
V
ns
ms
A
A
A
s
s
s
5V欠压故障响应时间
5V导通时间( PWRON高到
5VOUT = 4.75V )
5VS输入偏置电流
5VISEN输入偏置电流
3V过流阈值
3V过流阈值电压
3V欠压脱扣阈值
3V欠压故障响应时间
3V导通时间( PWRON到高
3VOUT = 3.00V )
3VS输入偏置电流
3VISEN输入偏置电流
门输出充电电流
栅极导通时间( PWRON到高
3V5VG = 11V )
栅极关断时间
栅极关断时间
C
3V5VG
= 0.022μF ,C
5VOUT
= 2000F,
R
L
= 1
IB
5VS
IB
5VISEN
I
OC3V
V
OC3V
V
3VUV
t
3VUV
C
3V5VG
= 0.022μF ,C
3VOUT
= 2000F,
R
L
= 0.43
IB
3VS
IB
3VISEN
IC
3V5VG
t
ON3V5V
t
OFF3V5V
PWRON =高
PWRON =高
PWRON =高,V
3V5VG
= 2V
C
3V5VG
= 0.1F
C
3V5VG
= 0.1μF , 3V5VG从9.5 V至1V
C
3V5VG
= 0.022μF , 3V5VG下降90 %,至
10%
PWRON =高
PWRON =高
参见图1 ,典型应用
V
OCSET
= 1.2V
-
-40
-160
-
88
2.74
-
-
-40
-160
22.5
-
-
-
5
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