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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第593页 > HQ1F3M
数据表
复合晶体管
HQ1系列
片上电阻PNP硅外延晶体管
对于中速开关
特点
高达2A的大电流驱动器，如集成电路，电机和电磁阀
可用的
片上偏置电阻
驱动器在低功耗
封装图（单位：mm ）
HQ1系列LISTS
制品
HQ1L2N
HQ1A3M
HQ1F3M
HQ1F3P
HQ1L2Q
HQ1F2Q
HQ1A4A
记号
DP
DQ
DR
DS
DT
DU
DX
R
1
(K)
0.47
1.0
2.2
2.2
0.47
0.22
R
2
(K)
1.0
1.0
2.2
10
4.7
2.2
10
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
**
T
j
T
英镑
评级
20
20
10
2.0
3.0
0.04
2.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
* PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
**当0.7毫米
×
16厘米陶瓷板用于
2
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证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16183EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
HQ1系列
HQ1L2N
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
20
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
2.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.7
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
329
0.7
470
1.0
50
150
50
0.55
0.3
611
1.3
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
HQ1A3M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
20
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
2.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
0.7
0.7
1.0
1.0
50
100
50
0.4
0.3
1.3
1.3
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
HQ1F3M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
20
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
2.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.3
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
1.54
1.54
2.2
2.2
80
150
50
0.3
0.3
2.86
2.86
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
2
数据表D16183EJ1V0DS
HQ1系列
HQ1F3P
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
20
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
2.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.3
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
1.54
7
2.2
10
200
150
50
0.3
0.3
2.86
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
HQ1L2Q
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
20
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
2.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.7
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
329
3.29
470
4.7
150
150
50
0.55
0.3
611
6.11
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
HQ1F2Q
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
OL
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
20
V，I
E
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V
CE
=
2.0
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C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
1.0
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
2.0
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.7
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
154
1.54
220
2.2
80
150
50
0.55
0.3
286
2.86
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
数据表D16183EJ1V0DS
3
HQ1系列
HQ1A4A
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
h
FE3
**
V
CE （ SAT ）
**
V
IL
**
R
1
R
2
条件
V
CB
=
20
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
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1.0
A
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CE
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2.0
V，I
C
=
2.0
A
I
C
=
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A，I
B
=
20
mA
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
7
10
200
150
50
0.35
0.45
0.3
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
4
数据表D16183EJ1V0DS
HQ1系列
典型特征（T
a
= 25°C)
°
数据表D16183EJ1V0DS
5
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HYR183220G-653
HDSP-5608-FE000
HDSP-K401-FH000
HI-8591PDI-40
HA316RD-3SF-A
HM2050-05
HAL506S-A
HDSP-A401-BI000
HI-8683PDI
HLMP-LD15
HM6830100LFTR
HSD1606-261V
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