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240PIN DDR3无缓冲SDRAM DIMM
DDR3 SDRAM
无缓冲DIMM
基于2Gb的C-死
HMT325U6CFR8C
HMT325U7CFR8C
HMT351U6CFR8C
HMT351U7CFR8C
* SK海力士保留更改产品或规格,恕不另行通知。
修订版1.2 / 2013年7月
1
修订历史
版本号
0.1
0.2
0.3
0.4
1.0
1.1
1.2
历史
初始版本
错字收集
新增IDD规格
修订后的1866年速度垃圾桶
模块尺寸更新
JEDEC规格更新
更改后的模块最大厚度
反映实测最大
草案日期
2011年4月
2011年7月
2011年8月
2011年9月
2012年7月
2012年9月
2013年7月
备注
修订版1.2 / 2013年7月
2
描述
SK海力士DDR3无缓冲SDRAM DIMM内存模块(无缓冲双数据速率同步DRAM双列直插式
内存模块)是低功耗,高速使用DDR3 SDRAM器件运行内存模块。
当安装在诸如系统中,这些无缓冲的SDRAM DIMM的预期用作主存储器
PC和工作站。
特征
VDD = 1.5V +/- 0.075V
VDDQ = 1.5V +/- 0.075V
VDDSPD = 3.0V至3.6V
8个内部银行
数据传输速率: PC3-14900 , PC3-12800 , PC3-10600
双向差分数据选通
8位预取
突发长度( BL)开关的即时: BL 8或BC (突发盖章) 4
支持ECC错误校正和检测
片上终端( ODT )的支持
温度传感器集成了SPD (串行存在检测) EEPROM
本产品符合RoHS指令directive
订购信息
产品型号
HMT325U6CFR8C-H9/PB/RD
HMT325U7CFR8C-H9/PB/RD
HMT351U6CFR8C-H9/PB/RD
HMT351U7CFR8C-H9/PB/RD
密度
2GB
2GB
4GB
4GB
组织
256Mx64
256Mx72
512Mx64
512Mx72
部件组成
256Mx8(H5TQ2G83CFR)*8
256Mx8(H5TQ2G83CFR)*9
256Mx8(H5TQ2G83CFR)*16
256Mx8(H5TQ2G83CFR)*18
排名第
1
1
2
2
外佣
X
X
X
X
修订版1.2 / 2013年7月
3
主要参数
MT / s的
DDR3-1066
DDR3-1333
DDR3-1600
DDR3-1866
GRADE
-G7
-H9
-PB
-RD
TCK
(纳秒)
1.875
1.5
1.25
1.07
CAS
潜伏期
( TCK )
7
9
11
13
tRCD的
(纳秒)
13.125
激进党
(纳秒)
13.125
tRAS的
(纳秒)
37.5
36
35
34
TRC
(纳秒)
50.625
49.5
(49.125)*
48.75
(48.125)*
47.91
(47.125)*
CL- tRCD的-TRP
7-7-7
9-9-9
11-11-11
13-13-13
13.5
13.5
(13.125)* (13.125)*
13.75
13.75
(13.125)* (13.125)*
13.91
13.91
(13.125)* (13.125)*
* SK海力士的DRAM器件支持可选的downbinning为CL11 , CL9和CL7 。 SPD设定编程匹配。
速度等级
频率〔MHz〕
GRADE
CL6
-G7
-H9
-PB
-RD
800
800
800
800
CL7
1066
1066
1066
1066
CL8
1066
1066
1066
1066
1333
1333
1333
1333
1333
1333
1600
1600
1866
CL9
CL10
CL11
CL12
CL13
备注
地址表
2GB(1Rx8)
刷新方法
行地址
列地址
银行地址
PAGE SIZE
8K/64ms
A0-A14
A0-A9
BA0-BA2
1KB
2GB(1Rx8)
8K/64ms
A0-A14
A0-A9
BA0-BA2
1KB
4GB(2Rx8)
8K/64ms
A0-A14
A0-A9
BA0-BA2
1KB
4GB(2Rx8)
8K/64ms
A0-A14
A0-A9
BA0-BA2
1KB
修订版1.2 / 2013年7月
4
引脚说明
引脚名称
A0–A15
BA0–BA2
RAS
CAS
WE
S0–S1
CKE0–CKE1
ODT0–ODT1
DQ0–DQ63
CB0–CB7
DQS0–DQS8
DQS0–DQS8
DM0–DM8
CK0–CK1
CK0–CK1
描述
SDRAM地址总线
SDRAM存储区选择
SDRAM的行地址选通信
SDRAM的列地址选通信
SDRAM写使能
DIMM列选线
SDRAM时钟使能线
片上终端控制线
DIMM内存数据总线
DIMM的ECC检查位
SDRAM数据选通信号
(正线差分对)
SDRAM数据选通信号
(负极线差分对)
SDRAM数据掩码/高数据选通信号
( X8基于X72的DIMM )
SDRAM时钟
(正线差分对)
SDRAM时钟
(负极线差分对)
引脚名称
SCL
SDA
SA0–SA2
V
DD*
V
DD
Q
*
V
REF
DQ
V
REF
CA
V
SS
V
DDSPD
NC
TEST
RESET
V
TT
RSVD
-
描述
I
2
C串行总线时钟EEPROM
I
2
对于EEPROM C串行总线的数据线
I
2
I2C从地址选择EEPROM
SDRAM核心供电
SDRAM的I / O驱动器电源
SDRAM的I / O基准源
SDRAM命令/地址参考
供应
电源回路(接地)
串行EEPROM正电源
备用引脚(无连接)
存储器总线分析工具
(未用的内存DIMM )
设置的DRAM到已知状态
SDRAM的I / O终端电源
留作将来使用
-
*在V
DD
和V
DD
Q引脚连接共用一个电源平面上这些设计
修订版1.2 / 2013年7月
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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