HD74HC1G14
逆变器与施密特触发器输入
REJ03D0186–0600Z
（上ADE - 205-299D （ Z） ）
Rev.6.00
Jan.27.2004
描述
该HD74HC1G14是采用硅栅CMOS工艺的高速CMOS施密特触发反相器。同
CMOS的低功耗，它提供了相当于LS -TTL系列高速。的内部电路
三个阶段的建设与缓冲器可提供广泛的噪声容限和稳定的输出。
特点
基本门功能一字排开，为瑞萨单向逻辑系列。
提供的浮雕录音的高速自动安装。
相当于HD74HC14电特性
电源电压范围： 2 6 V
工作温度范围： -40 + 85°C
|I
OH
| = I
OL
= 2 MA（分钟）
订购信息
部件名称
HD74HC1G14CME
套餐类型
CMPAK - 5针
封装代码
CMPAK-5V
包
缩写
CM
大坪缩写
（数量）
E（ 3000个/卷）
Rev.6.00 ， Jan.27.2004 ，页7 1
HD74HC1G14
大纲和指示条
HD74HC1G14
指数波段
记号
H
A
CMPAK–5
=控制代码
功能表
输入A
H
L
H：高层
L：低电平
产量
Y
L
H
管脚配置
NC
1
5
V
CC
IN A
2
GND
3
4
OUT
Y
（ TOP VIEW ）
Rev.6.00 ， Jan.27.2004 ， 7个2页
HD74HC1G14
绝对最大额定值
项
电源电压范围
输入电压范围
*1
输出电压范围
输入钳位电流
输出钳位电流
连续输出电流
*1, 2
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
评级
-0.5 7.0
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
±20
±20
±25
±25
200
-65到150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
测试条件
输出： H或L
V
I
＆ LT ; 0或V
I
＆ GT ; V
CC
V
O
＆ LT ; 0或V
O
＆ GT ; V
CC
V
O
= 0至V
CC
连续电流通过I
CC
还是我
GND
V
CC
或GND
最大功率耗散P
T
*3
在TA = 25 ° C（在静止空气中）
储存温度
注意事项：
TSTG
绝对最大额定值是价值观，它不能单独被超过，而且
此外，任何两个，其中可以同时实现。
1.输入和输出电压的评分可以在输入和输出钳位电流超过
评级观察。
2.该值被限制为5.5 V，最大。
3.最大包装功耗，使用150 ℃的结温进行计算。
推荐工作条件
项
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
输出电流
符号
V
CC
V
I
V
O
I
OL
I
OH
工作温度
Ta
民
2
0
0
—
—
—
—
–40
注：未使用的或浮动的输入必须保持为高或低。
最大
6
V
CC
V
CC
2.0
2.6
–2.0
–2.6
85
°C
mA
单位
V
V
V
mA
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
测试条件
Rev.6.00 ， Jan.27.2004 ， 7 3页
HD74HC1G14
电气特性
V
CC
项
门槛
电压
符号（ V）
V
T+
2.0
4.5
6.0
V
T–
2.0
4.5
6.0
V
T
2.0
4.5
6.0
输出电压
V
OH
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
V
OL
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
输入电流
工作电流
I
IN
I
CC
6.0
6.0
T
a
= 25°C
民
1.0
2.3
3.0
0.3
1.13
1.5
0.3
0.6
0.8
1.9
4.4
5.9
4.18
5.68
—
—
—
—
—
—
—
典型值
1.29
2.73
3.56
0.70
1.66
2.24
0.59
1.08
1.31
2.0
4.5
6.0
4.31
5.80
0.0
0.0
0.0
0.17
0.18
—
—
最大
1.5
3.15
4.2
0.9
2.0
2.6
1.0
1.4
1.7
—
—
—
—
—
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
1.0
T
a
= -40 85 ℃下
民
1.0
2.3
3.0
0.3
1.13
1.5
0.3
0.6
0.8
1.9
4.4
5.9
4.13
5.63
—
—
—
—
—
—
—
最大
1.5
3.15
4.2
0.9
2.0
2.6
1.0
1.4
1.7
—
—
—
—
—
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
10.0
单位测试条件
V
V
V
IN
= V
IL
I
OH
= –20
A
I
OH
= -2毫安
I
OH
= -2.6毫安
V
IN
= V
IH
I
OL
= 20
A
I
OL
= 2毫安
I
OL
= 2.6毫安
A
A
V
IN
= V
CC
或GND
V
IN
= V
CC
或GND
Rev.6.00 ， Jan.27.2004 ， 7第4页
HD74HC1G14
开关特性
TA = 25°C
项
输出上升/下降时间
传播延迟时间
符号最小值
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
—
—
典型值
5
10
最大
8
21
单位
ns
ns
测试条件
测试电路
测试电路
(C
L
= 15 pF的，T
r
= t
f
= 6纳秒，V
CC
= 5 V)
V
CC
项
输出上升/下降时间
符号（ V）
t
TLH
t
THL
传播延迟时间
t
PLH
t
PHL
输入电容
等效电容
C
IN
C
PD
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
—
—
TA = 25°C
民
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
50
14
12
48
12
9
2.5
10
最大
125
25
21
100
20
17
5
—
TA = -40 85°C
民
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
145
30
24
125
25
21
5
—
单位测试条件
ns
测试电路
ns
测试电路
pF
pF
(C
L
= 50 pF的，T
r
= t
f
= 6纳秒）
注：C
PD
是从没有负载的工作电流计算出的集成电路的内部等效电容（见
测试电路） 。无负载的平均工作电流是根据下式计算
下文。
I
CC
（ OPR ） = C
PD
V
CC
f
IN
+ I
CC
Rev.6.00 ， Jan.27.2004 ， 7 5页
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