TM
HM-65642
8K ×8的异步
CMOS静态RAM
描述
的HM - 65642是CMOS 8192 ×8位的静态随机
存取存储器。引脚排列是JEDEC的28引脚， 8位
标准，可以方便地存储板布局哪些
适应各种行业标准ROM ， PROM ，
EPROM ， EEPROM和RAM中。在HM- 65642是理想
适合于在基于微处理器的系统中使用。在particu-
LAR ，接口与Intersil的80C86和80C88微处理器的
处理机是简化的通过方便的输出使能（ G）
输入。
的HM - 65642是一个完整的CMOS RAM中，它利用一个数组
6晶体管（ 6T）的存储单元，可提供稳定和
最低的待机电流在整个军用
温度范围。除了这一点，的高稳定性
6T RAM单元提供卓越的保护，防止软错误
由于噪声和α粒子。这种稳定性也提高了
在RAM超过四个晶体管的耐辐射
或MIX- MOS（ 4T）的设备。
1997年3月
特点
全CMOS设计
六晶体管存储单元
低待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA
低工作电源电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
快速地址访问时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为150ns
低数据保持电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0V
CMOS / TTL兼容输入/输出
JEDEC批准引脚
平等周期和访问时间
无时钟或选通所需
选通输入
没有上拉或下拉电阻要求
易于与微处理器的接口
双芯片使能控制
订购信息
包
CERDIP
JAN ＃
温度
范围
-40
o
C至+ 85
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
（注1 ）
150ns/75A
-
29205BXA
（注1 ）
150ns/150A
HM1-65642-9
-
（注1 ）
200ns/250A
-
-
PKG 。号
F28.6
F28.6
注意：
1.访问时间/数据保持电源电流。
引脚
HM- 65642 （ CERDIP ）
顶视图
NC 1
A12 2
A7 3
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
A0 10
DQ0 11
DQ1 12
DQ2 13
GND 14
28 V
CC
27 W
26 E2
25 A8
24 A9
23 A11
22 G
21 A10
20 E1
19 DQ7
18 DQ6
17 DQ5
16 DQ4
15 DQ3
针
A
DQ
E1
E2
W
G
NC
GND
V
CC
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
无连接
地
动力
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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版权所有 Intersil公司美洲2001.版权所有
网络文件编号
3005.1
1
HM-65642
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7.0V
输入或输出电压适用于所有等级。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到
V
CC
+0.3V
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在ICCOP 5毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
热信息
热电阻（典型值）
θ
JA
θ
JC
o
C / W
o
C / W
CERDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
8
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
模具特点
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 101000盖茨
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围
HM- 65642-9 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 85
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至+ 0.8V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 2.2V至V
CC
+0.3V
DC电气规格
V
CC
= 5V
±10%;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65642-9 ）
范围
符号
ICCSB1
ICCSB2
ICCDR
ICCEN
ICCOP
II
IIOZ
VCCDR
VOH1
VOH2
VOL
参数
待机电流（ CMOS ）
待机电源电流（ TTL ）
数据保持电源电流
使电源电流
工作电源电流（注1 ）
输入漏电流
输入/输出漏电流
数据保持电源电压
输出高电压
输出高电压（注2 ）
输出低电压
民
-
-
-
-
-
-1.0
-1.0
2.0
2.4
V
CC
-0.4
-
最大
250
5
150
5
20
+1.0
+1.0
-
-
-
0.4
单位
A
mA
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
IOH = -1.0mA ，V
CC
= 4.5V
IOH = -100μA ，V
CC
= 4.5V
IOL = 4.0毫安，V
CC
= 4.5V
测试条件
E2 = GND ，V
CC
= 5.5V
E2 = 0.8V或E1 = 2.2V ，V
CC
= 5.5V
E2 = GND ，V
CC
= 2.0V
E2 = 2.2V ，E1 = 0.8V ，V
CC
= 5.5V,
IIO = 0毫安
F = 1MHz时， E1 = 0.8V ， E2 = 2.2V ，
V
CC
= 5.5V ， IIO = 0毫安
VI = V
CC
或GND ，V
CC
= 5.5V
E2 = GND ， VIO = V
CC
或GND ，
V
CC
= 5.5V
电容
T
A
= +25
o
C
符号
CI
CIO
注意事项：
1.典型的降额5毫安/ MHz的增加ICCOP 。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
参数
输入电容（注2 ）
输入/输出电容（注2 ）
最大
12
14
单位
pF
pF
测试条件
F = 1MHz时，所有的测量都
引用到设备GND
3
HM-65642
AC电气规格
V
CC
= 5V
±10%;
T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C（ HM - 65642-9 ）
范围
符号
读周期
（1） TAVAX
（2） TAVQV
（3） TE1LQV
（4） TE2HQV
（5） TGLQV
（6） TE1LQX
（7） TE2HQX
（ 8 ） TGLQX
（9） TE1HQZ
（10） TE2LQZ
（11） TGHQZ
（12） TAXQX
写周期
（13） TAVAX
（14） TWLWH
（15） TE1LE1H
（16） TE2HE2L
（17） TAVWL
（18） TAVE1L
（19） TAVE2H
（ 20 ） tWHAX ALE低
（21） TE1HAX
（ 22 ） TE2LAX
（ 23 ） TDVWH
（ 24 ） TDVE1H
（ 25 ） TDVE2L
（ 26 ） TWHDX
（ 27 ） TE1HDX
（ 28 ） TE2LDX
（ 29 ） TWLQZ
（30） TWHQX
注意事项：
1.输入脉冲电平： 0V至3.0V ;输入上升和下降时间： 5ns的（最大） ;输入和输出时序参考电平： 1.5V ;输出负载：
1 TTL门当量，C
L
= 50pF的（分） - 对C
L
大于50pF的，存取时间是由每pF的0.15ns降额。
2.测试在初步设计和后主要的设计变化。
3. V
CC
= 4.5V和5.5V 。
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址建立时间
地址建立时间
写恢复时间
写恢复时间
写恢复时间
数据建立时间
数据建立时间
数据建立时间
数据保持时间
数据保持时间
数据保持时间
写使能关低到输出
写使能高到输出开
晚写
早期写
早期写
晚写
早期写
早期写
晚写
早期写
早期写
晚写
早期写
早期写
E1
E2
E1
E2
E1
E2
E1
E2
E1
E2
150
90
90
90
0
0
0
10
10
10
60
60
60
5
10
10
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能有效到输出开
芯片使能有效到输出开
输出使能有效到输出开
芯片使能无效的输出关闭
芯片使能无效的输出关闭
输出使能无效的输出关闭
从地址变更输出保持
E1
E2
E1
E2
E1
E2
150
-
-
-
-
10
10
5
-
-
-
10
-
150
150
150
70
-
-
-
50
60
50
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
（注1,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注1,3）
（注1,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
（注2,3）
参数
民
最大
单位
TEST
条件
4
HM-65642
低电压数据保留
Intersil的CMOS RAM的设计有电池备份
脑海。数据保持电压和供电电流被瓜拉尼
开球在工作温度范围内。以下
规则确保数据保存：
1. RAM必须在数据保留保留禁用。这是AC-
通过举办-0.3V和GND之间的E2脚complished 。
2.在上电和断电的转换， E2必须保持
-0.3V和V的10％之间
CC
.
3. RAM可以开始V后操作一个TAVAX
CC
到达
4.5V的最小工作电压。
数据保持方式
V
CC
4.5V
V
IH
TAVAX
E2
VCCor
GND
图1.数据保留
读周期
TAVAX （1）
A
地址1
TAVQV （2）
Q
地址2
TAXQX （12）
数据1
数据2
图2.读周期I： W， E2高; G， E1低
5
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