2006年11月
HYI25D512160C[C/E/F/T]
5 1 2 - 兆比特 ouble - D ATA - R的吃了SD RAM
DDR SDRAM
互联网数据表
1.0版
互联网数据表
HYI25D512160C[C/E/F/T]
512 - Mbit的双数据速率SDRAM
HYI25D512160C[C/E/F/T]
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11082006-S9OT-UFSN
2
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HYI25D512160C[C/E/F/T]
512 - Mbit的双数据速率SDRAM
1
概观
本章提供了512兆双倍数据速率SDRAM产品系列的概述，并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
双倍数据速率的架构：每个时钟周期两个数据传输
双向数据选通（ DQS）进行传输和接收的数据，在接收机处捕获数据中使用
DQS是边沿对齐的数据进行读取和居中对齐进行写入数据
差分时钟输入（ CK和CK ）
四大银行内部的并发操作
数据掩码（DM）写入数据
DLL对齐DQ和DQS转换与CK转换
命令中输入的每个正CK边缘;数据和数据屏蔽参照DQS的两个边缘
突发长度：2， 4或8个
CAS延迟： 2 ， 2.5 ， 3
自动预充电选项为每个突发访问
自动刷新和自刷新模式
RAS-锁定支持
t
RAP
=
t
RCD
7.8
s
最大平均周期刷新间隔
2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O
V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V
V
DD
= 2.5 V
±
0.2 V
封装： P- TSOPII - 66 ， PG- TSOPII -66 ， P- TFBGA - 60 ， PG- TFBGA -60
表1
表现为-5和-6
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
部件
@CL3
@CL2.5
@CL2
–5
DDR400B
–6
DDR333B
166
166
133
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
f
CK3
f
CK2.5
f
CK2
200
166
133
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HYI25D512160C[C/E/F/T]
512 - Mbit的双数据速率SDRAM
1.2
描述
读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置，并继续
对于地点在编程设定的号码
序列。访问开始与Active注册
命令，然后接着读或写
命令。地址位注册暗合了
ACTIVE命令用于选择银行和行是
访问。地址位注册暗合了
读或写命令用于选择银行和
开始为突发访问列位置。
在DDR SDRAM提供了可编程的读或写
2 ，4或8的位置突发长度。在自动预充电
功能可被使能，以提供一个自定时排
预充电时的突发访问结束时启动的。
与标准的SDRAM ，流水线，多组
DDR SDRAM芯片的体系结构允许并发
操作，从而通过提供高有效带宽
隐藏行预充电和激活时间。
自动刷新模式以及一个省电设置
掉电模式。所有输入均与行业兼容
标准SSTL_2 。所有输出SSTL_2 ， II类
兼容。
注意：所描述的功能和定时
包含在此数据表规格为
DLL中启用的操作模式。
在512兆位双数据速率SDRAM的是一个高速
的CMOS，包含动态随机存取存储器
536,870,912位。它在内部配置为四银行
DRAM 。
在512兆位双数据速率SDRAM采用一个双
数据速率的体系结构来实现高速操作。该
双倍数据速率的体系结构本质上是一个
2n
预取
建筑与设计为传输两个数据接口
每个时钟周期的话在I / O引脚。一个单一的读或写
ACCESS
为
该
512 - Mbit的双数据速率SDRAM
有效地由一个单一的
2n-bit
宽，一个时钟周期
在内部DRAM芯和2的数据传输
对应的n比特宽的二分之一时钟周期的数据传输
在I / O引脚。
双向数据选通（ DQS ）是外部发送。
与数据一起，用于在接收器中的数据采集应用。 DQS
由DDR SDRAM中读取一个闸门和传输
通过在写入内存控制器。 DQS是边沿对齐
与读取和中心对齐进行写入数据。
在512兆位双数据速率SDRAM从操作
差分时钟（ CK和CK ， CK的路口去HIGH
和CK变低被称为CK的上升沿） 。
命令（地址和控制信号）被登记在
CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个
DQS的边缘，和输出数据被引用到的两个边缘
DQS ，以及对照的两个边缘。
表2
非符合RoHS产品订货信息
产品型号
1)
HYI25D512160CC-5
HYI25D512160CT-5
HYI25D512160CC-6
HYI25D512160CT-6
1 ） HYI ：代号为内存组件
25D ： DDR SDRAM芯片在V
DDQ
= 2.5 V
512 ： 512兆位密度
160 ：产品差异X16
C：模具修订版C
C / F / E / T：包装类型FBGA和TSOP
组织。
×16
CAS- RCD -RP
潜伏期
3.0-3-3
2.5-3-3
时钟
（兆赫）
200
166
CAS- RCD -RP
潜伏期
2.5-3-3
2.0-3-3
时钟
（兆赫）
166
133
速度
DDR400B
DDR333
包
P-TFBGA-60
P-TSOPII-66
P-TFBGA-60
P-TSOPII-66
1.0版， 2006-11
11082006-S9OT-UFSN
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512 - Mbit的双数据速率SDRAM
表3
对于符合RoHS的产品订货信息
产品型号
组织。 CAS- RCD -RP时钟
潜伏期
（兆赫）
3.0-3-3
2.5-3-3
200
166
CAS- RCD -RP时钟
潜伏期
（兆赫）
2.5-3-3
2.0-3-3
166
133
速度
包
记
1)
HYI25D512160CE-5
×16
HYI25D512160CF-5
HYI25D512160CE-6
HYI25D512160CF-6
DDR400B PG- TSOPII -66
PG-TFBGA-60
DDR333
PG-TSOPII-66
PG-TFBGA-60
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
1.0版， 2006-11
11082006-S9OT-UFSN
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