HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ，
HUF75333S3
数据表
2001年12月
66A ， 55V ， 0.016欧姆。 N沟道UltraFET
功率MOSFET
这些N沟道功率MOSFET
所使用的制
创新UltraFET过程。这
先进的工艺技术
达到尽可能低的导通电阻每硅片面积，
保证了出色的性能。这种装置能够
在雪崩模式和中经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。 。
特点
66A ， 55V
仿真模型
- 温度补偿的PSpice和SABER
车型
- 香料和剑热阻抗模型
可在该公司的网站： www.Fairchildsemi.com
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
以前发育类型TA75333
订购信息
产品型号
HUF75333G3
HUF75333P3
HUF75333S3S
HUF75333S3
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
TO-262AA
BRAND
75333G
75333P
75333S
75333S
符号
D
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀吨至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如， HUF75333S3ST 。
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（法兰）
漏
（ TAB ）
JEDEC TO- 263AB
JEDEC TO- 262ABA
来源
漏
门
门
来源
漏
（法兰）
漏
（法兰）
产品的可靠性信息， http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html被发现
对于恶劣的环境，看到我们的汽车HUFA系列。
所有飞兆半导体产品的制造，在ISO9000和QS9000质量体系认证，组装和测试。
2003仙童半导体公司
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ， HUF75333S3牧师B1
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ， HUF75333S3
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
55
55
±20
66
图4
图6，图14 ， 15
150
1
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气规格
参数
OFF状态规格
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
DS
= 45V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
V
GS
=
±20V
55
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
热规格
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
I
D
= 66A ，V
GS
= 10V （图9）
2
-
-
0.013
4
0.016
V
R
θJC
R
θJA
（图3）
TO-247
的TO-220 ，TO- 263
-
-
-
-
-
-
1
30
62
o
C / W
o
C / W
o
C / W
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 30V,
I
D
66A,
R
L
= 0.455
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图13）
-
-
-
-
-
70
40
2.5
6.2
16
85
50
3.0
-
-
nC
nC
nC
nC
nC
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 30V ，我
D
66A,
R
L
= 0.455, V
GS
=
10V,
R
GS
= 6.8
-
-
-
-
-
-
-
12
55
11
25
-
100
-
-
-
-
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2003仙童半导体公司
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ， HUF75333S3牧师B1
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ， HUF75333S3
电气规格
参数
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图12）
-
-
-
1300
480
115
-
-
-
pF
pF
pF
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 66A
I
SD
= 66A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 66A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
1.25
75
140
单位
V
ns
nC
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
70
60
I
D
，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
2003仙童半导体公司
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ， HUF75333S3牧师B1
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ， HUF75333S3
典型性能曲线
1000
（续）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
I
DM
峰值电流（ A）
V
GS
= 10V
100
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
50
10
-5
图4.峰值电流容量
500
I
AS
，雪崩电流（ A）
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
起始物为
J
= 25
o
C
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
V
决策支持系统（MAX）
= 55V
1
1
10
1ms
10ms
起始物为
J
= 150
o
C
10
100
200
V
DS
，漏源极电压（ V）
0.001
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关能力
150
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
I
D
，漏电流（ A）
120
150
120
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
-55
o
C
90
90
25
o
C
175
o
C
60
V
GS
= 5V
30
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
60
30
0
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
，门源电压（ V）
图7.饱和特性
图8.传热特性
2003仙童半导体公司
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ， HUF75333S3牧师B1
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ， HUF75333S3
典型性能曲线
2.5
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 66A
归一化门
阈值电压
2.0
1.0
（续）
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.5
0.8
1.0
0.6
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.4
-80
-40
T
J
，结温（
o
C)
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
C，电容（pF ）
2000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
1000
1.1
1500
1.0
0.9
500
C
OSS
C
RSS
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图12.电容VS漏源极电压
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DD
= 30V
8
6
任意波形
降序排列：
I
D
= 66A
I
D
= 50A
I
D
= 33A
I
D
= 16A
0
10
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
40
4
2
0
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.栅极电荷波形恒定的栅极电流
2003仙童半导体公司
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S ， HUF75333S3牧师B1
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S
数据表
1999年6月
网络文件编号
4362.5
66A ， 55V ， 0.016欧姆。 N沟道UltraFET
功率MOSFET
这些N沟道功率MOSFET
所使用的制
创新UltraFET 工艺。
这种先进的工艺技术
达到尽可能低的导通电阻每硅片面积，
保证了出色的性能。这种装置能够
在雪崩模式和中经受高能量
二极管表现出非常低的反向恢复时间，并存储
费。它被设计用于在应用中的功率
EF网络连接效率是很重要的，如开关稳压器，
开关转换器，电机驱动器，继电器驱动器，低
电压总线开关和电源管理在便携式
和电池供电产品。
以前发育类型TA75333 。
特点
66A ， 55V
仿真模型
- 温度补偿PSPICE
和SABER
车型
- 香料和剑热阻抗模型
可在该公司的网站：
www.Intersil.com/families/models.htm
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定值曲线
相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
HUF75333G3
HUF75333P3
HUF75333S3S
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
BRAND
75333G
75333P
75333S
G
S
注：订货时，使用整个零件编号。添加后缀吨至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，例如， HUF75333S3ST 。
包装
JEDEC风格-247
来源
漏
门
漏
（法兰）
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏
（ TAB ）
JEDEC TO- 263AB
漏
（法兰）
门
来源
103
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD处理程序。
UltraFET 是Intersil公司的商标。于PSpice的是MicroSim公司的注册商标。
SABER 比喻是一个版权公司http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
55
55
±20
66
图4
图6，图14 ， 15
150
1
-55至175
300
260
单位
V
V
V
A
漏源极电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏极至栅极电压（R
GS
= 20kΩ时）（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DGR
门源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GS
漏电流
连续的（图2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .I
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最高温度焊接
信息在0.063in （ 1.6毫米）从案例10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
L
包体为10S ，见Techbrief 334 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
PKG
W
W/
o
C
o
C
o
C
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意：
1. T
J
= 25
o
C至150
o
C.
电气连接特定的阳离子
参数
OFF状态规格
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V （图11）
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
DS
= 45V, V
GS
= 0V ，T
C
= 150
o
C
55
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
A
nA
门源漏电流
ON状态规格
门源阈值电压
漏极至源极导通电阻
热规格
热阻结到外壳
热阻结到环境
I
GSS
V
GS
=
±20V
V
GS （ TH）
r
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250μA （图10）
I
D
= 66A ，V
GS
= 10V （图9）
2
-
-
0.013
4
0.016
V
R
θJC
R
θJA
（图3）
TO-247
的TO-220 ，TO- 263
-
-
-
-
-
-
1
30
62
o
C / W
o
C / W
o
C / W
交换特定网络阳离子
(V
GS
= 10V)
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
栅极电荷规格
总栅极电荷
栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
反向传输电容
Q
G（ TOT ）
Q
g(10)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 0V至20V
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 30V,
I
D
66A,
R
L
= 0.455
I
G（ REF ）
= 1.0毫安
（图13）
-
-
6.2
16
-
-
nC
nC
-
-
-
70
40
2.5
85
50
3.0
nC
nC
nC
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
V
DD
= 30V ，我
D
66A,
R
L
= 0.455, V
GS
=
10V,
R
GS
= 6.8
-
-
-
-
-
-
-
12
55
11
25
-
100
-
-
-
-
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
104
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S
电气连接特定的阳离子
参数
电容规格
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
（图12）
-
-
-
1300
480
115
-
-
-
pF
pF
pF
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
源极到漏极二极管特定网络阳离子
参数
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
t
rr
Q
RR
I
SD
= 66A
I
SD
= 66A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 66A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
测试条件
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
1.25
75
140
单位
V
ns
nC
典型性能曲线
1.2
功耗乘法器
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
70
60
I
D
，漏电流（ A）
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
图1.归功耗与案例
温度
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
2
1
热阻抗
Z
θJC
归一化
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
105
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S
典型性能曲线
1000
（续）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
I
DM
峰值电流（ A）
V
GS
= 10V
100
跨
可能限流
在这个区域
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
50
10
-5
图4.峰值电流容量
500
I
AS
，雪崩电流（ A）
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
100
100s
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
起始物为
J
= 25
o
C
10
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
V
决策支持系统（MAX）
= 55V
1
1
10
1ms
10ms
起始物为
J
= 150
o
C
10
100
200
V
DS
，漏源极电压（ V）
0.001
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
注：请参阅Intersil的应用笔记AN9321和AN9322 。
图5.正向偏置安全工作区
图6.松开电感式开关能力
150
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 7V
V
GS
= 6V
I
D
，漏电流（ A）
120
150
120
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
-55
o
C
90
90
25
o
C
175
o
C
60
V
GS
= 5V
30
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
T
C
= 25
o
C
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
60
30
0
0
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.饱和特性
图8.传热特性
106
HUF75333G3 ， HUF75333P3 ， HUF75333S3S
典型性能曲线
2.5
归一漏极至源极
抗性
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 10V ，我
D
= 66A
归一化门
阈值电压
2.0
1.0
（续）
1.2
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
1.5
0.8
1.0
0.6
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图10.归一化栅极阈值电压Vs
结温
1.2
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 250A
C，电容（pF ）
2000
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
国际空间站
1000
1.1
1500
1.0
0.9
500
C
OSS
C
RSS
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
，结温（
o
C)
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
，漏源极电压（ V）
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
图12.电容VS漏源极电压
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DD
= 30V
8
6
任意波形
降序排列：
I
D
= 66A
I
D
= 50A
I
D
= 33A
I
D
= 16A
0
10
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
40
4
2
0
注：请参阅Intersil的应用笔记AN7254和AN7260 。
图13.栅极电荷波形恒定的栅极电流
107
QQ：2881677436 复制
