HIP7010
绝对最大额定值
电源电压（V
DD
） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至+ 7.0V
输入或输出电压
引脚V
DD
二极管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至V
DD
+0.3V
针无V
DD
二极管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 10.0V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
门数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2500 ·盖茨
热信息
热阻
θ
JA
塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 100
o
C / W
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 120
o
C / W
在125的最大封装功耗
o
C
DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250mW的
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200mW的
工作温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . -40
o
C至+ 125
o
C
存储温度范围（T
英镑
). . . . . . . . . . . -65
o
C至+150
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.0V至+ 5.5V
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至+ 0.8V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ 0.8V
DD
）到V
DD
输入上升和下降时间
CMOS输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大为100ns
CMOS施密特输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .Unlimited
电气连接特定的阳离子
电源电流
工作电流
掉电模式（注1 ）
钟停了（注2 ）
输入高电压
T
A
= -40
o
C至+ 125
o
C，V
DD
= 5V
DC
±10%,
除非另有规定编
符号
条件
民
典型值
最大
单位
参数
I
OP
I
PD
I
停止
CLK = 2.0 MHz的
PD = 1
CLK = V
SS
或V
DD
-
-
-
1.0
50
5.0
5.0
150
50
mA
A
A
CMOS电平（SIN ， STAT ， RDY ， TEST ）
施密特触发器（ RESET ， CLK ， VPWIN ）
输入低电压
CMOS电平（SIN ， STAT ， RDY ， TEST ）
施密特触发器（ RESET ， CLK ， VPWIN ）
高电平输入电流
（CLK ， VPWIN ， RESET）
输入缓冲器具有下拉（SIN ，测试， STAT ， RDY ）
低电平输入电流
（CLK ， VPWIN ， RESET）
输入缓冲器具有下拉（SIN ，测试， STAT ， RDY ）
输出高电压
（ SCK ， SOUT ， VPWOUT ， IDLE ， SACTIVE ）
输出低电压
（ SCK ， SOUT ， VPWOUT ， IDLE ， SACTIVE ）
高阻抗漏电流
三态与下拉电阻（ SCK ， SOUT ）
V
IH
0.7V
DD
0.8V
DD
-
-
V
DD
V
DD
V
V
V
IL
V
SS
V
SS
-
-
0.3V
DD
0.2V
DD
V
V
I
IH
V
IN
= V
DD
-1
100
0.001
200
1
500
A
A
A
A
I
IL
V
IN
= V
SS
-1
-10
-0.001
-0.01
1
10
V
OH
I
负载
- 0.8毫安
V
DD
-0.8
-
-
V
V
OL
I
负载
= -1.6毫安
-
-
0.4
V
I
OZ
V
OUT
= V
DD
V
OUT
= V
SS
100
-10
0.2
200
500
10
A
A
V
施密特触发器的滞后电压
（ RESET ， CLK ， VPWIN ）
注意事项：
V
HYS
0.5
2.0
1.单， STAT ， RDY和测试= V
SS
;
SACTIVE ，SCK和SOUT无关;
VPWIN = V
DD
; CLK = 10MHz时。
2.单， STAT ， RDY和测试= V
SS
;
SACTIVE ，SCK和SOUT无关; VPWIN = V
DD
; （D）= 1 。
3
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