【HAF2012 （L） HAF2012 （S）硅N沟道MOS场效应管系列电源开关REJ03G1139】,IC型号HAF2012L,HAF2012L PDF资料,HAF2012L经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

硅N沟道MOS场效应管系列

电源开关

REJ03G1139-0400

Rev.4.00

2007年7月13日

描述

此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。

此FET具有内置的过温停机电路中的栅极区。与该电路操作以关断

在壳体的高结温的栅极电压一样施加过度的功耗，过电流等。

特点

逻辑电平操作（ 4 6 V闸驱动器）

对到短路的高续航能力

内置的过温关断电路

锁存型关机操作（需要0电压恢复）

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A

（包名称： LDPAK （ L））

4

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

4

1.门

2.漏

3.源

4.漏

2

3

1

2

3

D

G

栅极电阻

Tempe-

叉涂抹

传感

电路

LATCH

电路

门

关断模式

下

电路

S

REJ03G1139-0400 Rev.4.00 2007年7月13日

第1页9

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.值在TA = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）注1

I

DR

PCH

注2

总胆固醇

TSTG

价值

60

16

–2.8

20

40

20

50

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

典型的运行特性

（ TA = 25°C ）

项

输入电压

输入电流

（栅非关闭）

输入电流

（门关闭）

关机温度

门工作电压

符号

V

IH

V

IL

I

IH1

I

IH2

I

IL

I

IH （ SD） 1

I

IH （ SD） 2

TSD

V

OP

民

3.5

—

3.5

典型值

—

0.8

0.35

175

—

最大

—

1.2

100

50

1

—

13

单位

V

A

mA

°C

V

测试条件

VI = 8 V ，V

DS

= 0

VI = 3.5 V ，V

DS

= 0

VI = 1.2 V ，V

DS

= 0

VI = 8 V ，V

DS

= 0

VI = 3.5 V ，V

DS

= 0

通道温度

REJ03G1139-0400 Rev.4.00 2007年7月13日

第2 9

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏电流

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

符号

I

D1

I

D2

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS1

I

GSS2

I

GSS3

I

GSS4

I

GS （ OP ） 1

I

GS （ OP ） 2

I

DSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

科斯

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

t

os1

t

os2

民

10

—

60

16

–2.8

—

1.0

—

6

—

典型值

—

0.8

0.35

—

50

30

12

630

7.5

29

34

26

1.0

110

1.8

0.7

最大

—

10

—

100

50

1

–100

—

250

2.25

65

43

—

单位

A

mA

V

A

mA

A

V

m

S

pF

s

V

ns

ms

测试条件

V

GS

= 3.5 V, V

DS

= 2 V

V

GS

= 1.2 V, V

DS

= 2 V

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

= 100

A,

V

DS

= 0

I

G

= –100

A,

V

DS

= 0

V

GS

= 8 V, V

DS

= 0

V

GS

= 3.5 V, V

DS

= 0

V

GS

= 1.2 V, V

DS

= 0

V

GS

= –2.4 V, V

DS

= 0

V

GS

= 8 V, V

DS

= 0

V

GS

= 3.5 V, V

DS

= 0

V

DS

= 50 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 10 A，V

GS

= 4 V

注3

I

D

= 10 A，V

GS

= 10 V

注3

I

D

= 10 A，V

DS

= 10 V

注3

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 5 A

V

GS

= 5 V

R

L

= 6

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

I

F

= 20 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50 A / μs的

V

GS

= 5 V, V

DD

= 12 V

V

GS

= 5 V, V

DD

= 24 V

输入电流（关闭）

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输出电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

过载停机操作时间

Note4

注： 3.脉冲测试

4.包括的过载条件下的结温升高。

REJ03G1139-0400 Rev.4.00 2007年7月13日

第3 9

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

主要特点

功率与温度降额

80

500

最高安全工作区

热关机

200

作业区

P沟（W）的

I

D

(A)

60

100

50

20

10

5

20

s

散热通道

10

DC

Op

0

漏电流

40

PW

er

at

1

m

s

=

s

离子

20

2

在这一领域

由R有限公司

DS （ ON）

1

0.5

TA = 25°C

0.3

0.3 0.5 1

2

m

s

(T

c=

25

10

°

C

)

50

100

0

50

100

150

200

5

10

20

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

50

10 V

8V

6V

典型的传输特性

50

V

DS

= 10 V

脉冲测试

I

D

(A)

40

5V

I

D

(A)

40

TC = -25°C

25°C

75°C

30

漏电流

10

4V

3.5 V

V

GS

= 3 V

30

20

10

0

2

4

6

8

0

1

2

3

4

5

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

()

2.0

脉冲测试

0.5

脉冲测试

0.2

1.6

漏源极电压

1.2

0.1

V

GS

= 4 V

0.8

I

D

= 20 A

10 A

5A

0.05

10 V

0.4

0.02

0.01

1

2

5

10

20

50 100 200

0

2

4

6

8

10

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

REJ03G1139-0400 Rev.4.00 2007年7月13日

第4页第9

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

0.10

脉冲测试

I

D

= 20 A

V

GS

= 4 V

0.06

5A

10 A

100

50

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳主场迎战

漏电流

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.08

20

10

5

TC = -25°C

25°C

75°C

0.04

5 A, 10 A

10 V

I

D

= 20 A

0.02

2

1

0.5

0

–40

0

40

80

120

160

1

2

5

10

20

50

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

D

(A)

体漏二极管的反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

1000

500

100

50

开关特性

TD （关闭）

tf

开关时间t（微秒）

200

100

50

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

1

2

5

10

20

50

20

tr

10

5

TD （上）

20

10

0.5

2

1

0.1 0.2

V

GS

= 5 V, V

DD

= 30 V

PW = 300

s,

税

≤

1 %

0.5 1

2

5

10 20

50

反向漏电流

I

DR

(A)

漏电流

I

D

(A)

反向漏电流 -

源极到漏极电压

50

10000

脉冲测试

3000

1000

典型的电容比。

漏源极电压

反向漏电流I

DR

(A)

30

V

GS

= 5 V

20

0V

电容C （PF ）

40

科斯

300

100

30

10

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

10

20

30

40

50

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

漏极至源极电压V

DS

(V)

REJ03G1139-0400 Rev.4.00 2007年7月13日

第5 9

HAF2012(L),HAF2012(S)

硅N沟道MOS场效应管系列

电源开关

ADE - 208-677A （ Z）

第2位。版

2000年7月

此FET具有在整个温度范围内关断功能感测到的结温。该FET具有

内置的过温关断电路中的栅极区。与该电路操作以关断

在壳体的高结温的栅极电压一样施加过度的功耗，过电流

等等

特点

逻辑电平操作（ 4 6 V闸驱动器）

对到短路的高续航能力

内置的过温关断电路

锁存型关机操作（需要0电压恢复）

概要

LDPAK

D

4

G

栅极电阻

Tempe-

叉涂抹

Sencing

电路

1

2

3

LATCH

电路

门

关断模式

下

电路

2

3

S

1.门

2.漏

3.源

4.漏

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤ 1 %

2.值在TA = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

60

16

–2.8

20

40

20

50

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

典型的运行特性

项

输入电压

符号

V

IH

V

IL

输入电流

（栅非关闭）

I

IH1

I

IH2

I

IL

输入电流

（门关闭）

关机温度

门工作电压

I

IH(sd)1

I

IH(sd)2

T

sd

V

OP

民

3.5

—

3.5

典型值

—

0.8

0.35

175

—

最大

—

1.2

100

50

1

—

13

单位

V

A

mA

°C

V

VI = 8V ，V

DS

= 0

VI = 3.5V ，V

DS

= 0

VI = 1.2V ，V

DS

= 0

VI = 8V ，V

DS

= 0

VI = 3.5V ，V

DS

= 0

通道温度

测试条件

2

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏电流

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

I

D1

I

D2

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS1

I

GSS2

I

GSS3

I

GSS4

输入电流（关闭）

I

GS(op)1

I

GS(op)2

零门voltege漏

当前

I

DSS

民

10

—

60

16

–2.8

—

1.0

—

6

—

典型值

—

0.8

0.35

—

50

30

12

630

7.5

29

34

26

1.0

110

1.8

0.7

最大

—

10

—

100

50

1

–100

—

250

2.25

65

43

—

单位

A

mA

V

A

mA

A

V

m

S

pF

s

V

ns

ms

I

F

= 20A ，V

GS

= 0

I

F

= 20A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

V

GS

= 5V, V

DD

= 12V

V

GS

= 5V, V

DD

= 24V

测试条件

V

GS

= 3.5V, V

DS

= 2V

V

GS

= 1.2V, V

DS

= 2V

I

D

= 10毫安，V

GS

= 0

I

G

= 100μA ，V

DS

= 0

I

G

= -100μA ，V

DS

= 0

V

GS

= 8V, V

DS

= 0

V

GS

= 3.5V, V

DS

= 0

V

GS

= 1.2V, V

DS

= 0

V

GS

= –2.4V, V

DS

= 0

V

GS

= 8V, V

DS

= 0

V

GS

= 3.5V, V

DS

= 0

V

DS

= 50 V, V

GS

= 0

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 10A ，V

GS

= 4V

Note3

I

D

= 10A ，V

GS

= 10V

Note3

I

D

= 10A ，V

DS

= 10V

Note3

V

DS

= 10V , V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 5A ，V

GS

= 5V

R

L

= 6

门源截止电压V

GS （ OFF ）

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

正向转移导纳

输出电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

过载关机

工作时间

注意：

Note4

|y

fs

|

科斯

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

t

os1

t

os2

3.脉冲测试

4.加入的过载条件下的结温升高。

见HAF2001的特性曲线。

3

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

主要特点

功率与温度降额

80

P沟（W）的

散热通道

60

40

20

0

50

100

150

TC （ ℃）

200

外壳温度

4

HAF2012 （L） HAF2012 （S）

包装尺寸

单位：mm

10.2

±

0.3

(1.4)

4.44

±

0.2

1.3

±

0.2

8.6

±

0.3

10.0

+0.3

-0.5

11.3

±

0.5

10.2

±

0.3

(1.4)

4.44

±

0.2

1.3

±

0.2

(1.5)

0.76

±

0.1

11.0

±

0.5

8.6

±

0.3

10.0

+0.3

-0.5

1.2

±

0.2

0.86

+0.2

-0.1

1.27

±

0.2

2.59

±

0.2

0.1

+0.2

-0.1

2.59

±

0.2

0.4

±

0.1

0.4

±

0.1

2.54

±

0.5

2.54

±

0.5

2.54

±

0.5

1.2

±

0.2

0.86

+0.2

-0.1

2.54

±

0.5

L型

S型

3.0

+0.3

-0.5

1.27

±

0.2

日立代码

EIAJ

JEDEC

LDPAK

-

5