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集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4514B
微星
1 - 16解码器/解复用器与
输入锁存
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 - 16解码器/解复用器的输入锁存器
描述
该HEF4514B是1的16解码器/多路分解器，具有
四位二进制加权地址输入（A
0
到A
3
） ，闩锁
使能输入（EL） ，和一个低电平有效使能输入（ E）。
16个输出（O
0
与O
15
）是相互排斥的活性
HIGH 。当EL为高电平时，选择的输出是
通过在数据确定
n
。当EL变为低电平时，
HEF4514B
微星
最后的数据存在于
n
被存储在锁存器中，并在
输出保持稳定。当E为低时，所选择的
输出时，锁存器中的内容来确定，为HIGH 。
达E HIGH ，所有的输出都为低电平。使能输入（ E）呢
不影响锁存器的状态。当HEF4514B是
作为多路分解器中，E是数据输入和甲
0
to
A
3
是地址输入。
图1的功能框图。
HEF4514BP （ N） ：
HEF4514BD （F ） ：
HEF4514BT （D）：
24引脚DIL ;塑料
(SOT101-1)
24引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT94)
24引脚SO ;塑料
(SOT137-1)
（ ） ：封装标识北美
图2钢钉图。
应用信息
为HEF4514B应用的一些实例是：
钉扎
A
0
到A
3
E
EL
O
0
与O
15
地址输入
使能输入（低电平有效）
锁存使能输入
输出（高电平有效）
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
数字复用。
地址译码。
十六进制/ BCD译码。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 - 16解码器/解复用器的输入锁存器
HEF4514B
微星
图3的逻辑图。
图4逻辑图（ 1锁存器） 。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 - 16解码器/解复用器的输入锁存器
真值表
输入
E
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
笔记
1. EL =高; H =高电平状态（更多的正电压） ;
L =低电平状态（不积极的电压） ; X =状态是无关紧要
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
A
n
， EL
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
E
→
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
260
95
65
270
95
65
175
65
45
200
70
50
520
190
130
550
190
130
350
130
90
400
140
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
233纳秒
84纳秒
57纳秒
243纳秒
84纳秒
57纳秒
148纳秒
54纳秒
37纳秒
173纳秒
59纳秒
42纳秒
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
符号
典型值。
马克斯。
A
0
X
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
A
1
X
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
A
2
X
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
A
3
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
O
0
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
1
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
2
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
3
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
4
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
5
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
6
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
输出
O
7
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
O
8
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
O
9
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
HEF4514B
微星
O
10
O
11
O
12
O
13
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
O
14
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
O
15
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
典型的外推
公式
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 - 16解码器/解复用器的输入锁存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
输出转换
时
前高后低
从低到高
建立时间
A
n
→
EL
保持时间
A
n
→
EL
最低EL脉冲
宽度; HIGH
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
WELH
t
HOLD
t
su
120
40
30
0
0
0
120
40
30
t
TLH
t
THL
符号
分钟。典型值。马克斯。
90
35
25
85
35
25
60
20
15
60
20
15
60
20
15
180
65
50
170
70
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4514B
微星
典型的外推
公式
40纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
11纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
35纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
11纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
又见波形
Fig.5
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
16 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
5
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4514B
微星
1 - 16解码器/解复用器与
输入锁存
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 - 16解码器/解复用器的输入锁存器
描述
该HEF4514B是1的16解码器/多路分解器，具有
四位二进制加权地址输入（A
0
到A
3
） ，闩锁
使能输入（EL） ，和一个低电平有效使能输入（ E）。
16个输出（O
0
与O
15
）是相互排斥的活性
HIGH 。当EL为高电平时，选择的输出是
通过在数据确定
n
。当EL变为低电平时，
HEF4514B
微星
最后的数据存在于
n
被存储在锁存器中，并在
输出保持稳定。当E为低时，所选择的
输出时，锁存器中的内容来确定，为HIGH 。
达E HIGH ，所有的输出都为低电平。使能输入（ E）呢
不影响锁存器的状态。当HEF4514B是
作为多路分解器中，E是数据输入和甲
0
to
A
3
是地址输入。
图1的功能框图。
HEF4514BP （ N） ：
HEF4514BD （F ） ：
HEF4514BT （D）：
24引脚DIL ;塑料
(SOT101-1)
24引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT94)
24引脚SO ;塑料
(SOT137-1)
（ ） ：封装标识北美
图2钢钉图。
应用信息
为HEF4514B应用的一些实例是：
钉扎
A
0
到A
3
E
EL
O
0
与O
15
地址输入
使能输入（低电平有效）
锁存使能输入
输出（高电平有效）
系列数据，我
DD
极限微星类
见家庭音响特定阳离子
数字复用。
地址译码。
十六进制/ BCD译码。
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 - 16解码器/解复用器的输入锁存器
HEF4514B
微星
图3的逻辑图。
图4逻辑图（ 1锁存器） 。
1995年1月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 - 16解码器/解复用器的输入锁存器
真值表
输入
E
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
笔记
1. EL =高; H =高电平状态（更多的正电压） ;
L =低电平状态（不积极的电压） ; X =状态是无关紧要
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
A
n
， EL
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
E
→
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
260
95
65
270
95
65
175
65
45
200
70
50
520
190
130
550
190
130
350
130
90
400
140
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
233纳秒
84纳秒
57纳秒
243纳秒
84纳秒
57纳秒
148纳秒
54纳秒
37纳秒
173纳秒
59纳秒
42纳秒
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
符号
典型值。
马克斯。
A
0
X
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
A
1
X
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
A
2
X
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
A
3
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
O
0
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
1
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
2
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
3
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
4
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
5
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
O
6
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
输出
O
7
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
O
8
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
O
9
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
HEF4514B
微星
O
10
O
11
O
12
O
13
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
O
14
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
O
15
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
典型的外推
公式
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
（ 0,55 NS / PF ）C
L
（ 0,23 NS / PF ）C
L
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
1995年1月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
1 - 16解码器/解复用器的输入锁存器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
输出转换
时
前高后低
从低到高
建立时间
A
n
→
EL
保持时间
A
n
→
EL
最低EL脉冲
宽度; HIGH
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
WELH
t
HOLD
t
su
120
40
30
0
0
0
120
40
30
t
TLH
t
THL
符号
分钟。典型值。马克斯。
90
35
25
85
35
25
60
20
15
60
20
15
60
20
15
180
65
50
170
70
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
HEF4514B
微星
典型的外推
公式
40纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
11纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
35纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
11纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
又见波形
Fig.5
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1100 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
16 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
5
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推荐型号
HT82700(28SOIC)
HDSP-F513-0H400
HDSP-G103-GF000
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HEDS-5500-G04
HD64F3062RFP
HS11
HN8550D
HD404339S
HI-8382CT
HYB18T256800TE-7F
HCPL-M456
HA108
HEF4001BT
HCS244DTR
HLMP-1321-JU000
HA13614
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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