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集成电路
数据表
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该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4001B
门
四路2输入NOR门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
描述
该HEF4001B提供了积极的四路2输入
NOR功能。输出是完全缓冲的最高
抗噪声和输出的模式不敏感
阻抗。
HEF4001B
门
图2钢钉图。
HEF4001BP （ N） ：
HEF4001BD （F ） ：
HEF4001BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
60
25
20
50
25
20
60
30
20
60
30
20
120
50
40
100
45
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值
最大
HEF4001B
门
典型的外推
公式
33纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
23纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1100 f
i
+
∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5000 f
i
+
∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
14 200 f
i
+
∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
集成电路
数据表
对于一个完整的数据资料，也请下载：
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
系列规格HEF ， HEC
该IC04 LOCMOS HE4000B逻辑
封装图/资料HEF ， HEC
HEF4001B
门
四路2输入NOR门
产品speci fi cation
在集成电路， IC04文件
1995年1月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
描述
该HEF4001B提供了积极的四路2输入
NOR功能。输出是完全缓冲的最高
抗噪声和输出的模式不敏感
阻抗。
HEF4001B
门
图2钢钉图。
HEF4001BP （ N） ：
HEF4001BD （F ） ：
HEF4001BT （D）：
14引脚DIL ;塑料
(SOT27-1)
14引脚DIL ;陶瓷（ CERDIP ）
(SOT73)
14引脚SO ;塑料
(SOT108-1)
（ ） ：封装标识北美
图1的功能框图。
图3的逻辑图（ 1栅极） 。
系列数据，我
DD
极限类GATES
见家庭音响特定阳离子
1995年1月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
四路2输入NOR门
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
I
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
60
25
20
50
25
20
60
30
20
60
30
20
120
50
40
100
45
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
典型值
最大
HEF4001B
门
典型的外推
公式
33纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
23纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
14纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
12纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1100 f
i
+
∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5000 f
i
+
∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
14 200 f
i
+
∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
1995年1月
3
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