HCS244T
数据表
1999年7月
网络文件编号
4616.1
抗辐射八路缓冲器/线路
司机，三态
Intersil的卫星应用
（ SAF ）设备
经过全面测试并保证100kRAD总剂量。这些
QML T级的设备进行处理，以一个标准的溢流
为了满足的成本和更短的交货时间需要
大体积卫星制造商，同时保持
高度的可靠性。
Intersil的HCS244T是一种抗辐射非
反向八路缓冲器/线路驱动器，三态，有两个
低电平有效输出使能。
溢流
TM
特点
QML T级，每MIL -PRF- 38535
辐射性能
- 剂量伽玛（γ） 1 ×10
5
Rad公司（SI ）
- 闭锁免费在任何条件
- SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米
2
/毫克
- 单事件翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10
-9
错误/位日（典型值）
3微米抗辐射CMOS SOS
扇出（整个温度范围内）
总线驱动器输出 - 15输入通道负载
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围： 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- V
IL
= 0.3 V
CC
最大
- V
IH
= 0.7 V
CC
民
输入电流水平㈡
≤
5μA在V
OL
, V
OH
特定网络阳离子
特定网络阳离子抗辐射QML设备被控制
国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。在SMD
订货时下面列出的数字必须使用。
详细的电气连接特定阳离子的HCS244T是
载于SMD 5962-95731 。
“热链接”是由提供
我们的网站下载。
www.intersil.com/spacedefense/newsafclasst.asp
Intersil公司的质量管理计划（ QM计划） ，其中列出了所有
T级筛选作业，也可在我们的
网站。
www.intersil.com/quality/manuals.asp
引脚配置
HCS244DTR （ SBDIP ） ， CDIP2 -T20
顶视图
OE 1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
V
CC
订购信息
订购
信息
5962R9573101TRC
5962R9573101TXC
部分
数
HCS244DTR
HCS244KTR
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
A0 1
Y3 2
A1 1
Y2 2
A2 1
Y1 2
A3 1
Y0 2
19 2 OE
18 1 Y0
17 2 A3
16 1 Y1
15 2 A2
14 1 Y2
13 2 A1
12 1 Y3
11 2 A0
注意：
对于-T最小订货量是150个单位通过
分发或450单位直接。
GND
HCS244KTR （ FLATPACK ） ， CDFP4 -F20
顶视图
OE 1
A0 1
Y3 2
A1 1
Y2 2
A2 1
Y1 2
A3 1
Y0 2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
2 OE
1 Y0
2 A3
1 Y1
2 A2
1 Y2
2 A1
1 Y3
2 A0
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
卫星应用流量 （ SAF ）是Intersil公司的商标。
HCS244T
模具特点
DIE尺寸：
（ 2747μm X 2693μm X 533μm
±51.0m)
108 X 106 X 21mils
±2mil
金属化：
类型：铝硅
厚度： 11.0k
±1k
衬底电位：
蓝宝石上硅无偏
背面表面处理：
蓝宝石
钝化：
类型： SILOX （S
i
O
2
)
厚度： 13.0k
±2.6k
最坏情况下的电流密度：
< 2.0e5 /平方厘米
2
晶体管数量：
224
过程：
CMOS SOS
金属掩模布局
HCS244T
Y3 2
(3)
A0 1
(2)
OE
(1)
V
CC
(20)
OE 2
(19)
(18) Y0 1
A1 1 (4)
Y2 2 (5)
(17) A3 2
(16) Y1 1
A2 1 (6)
(15) A2 2
Y1 2 (7)
(14) Y2 1
(8)
A3 1
(9)
Y0 2
(10)
GND
(11)
A0 2
(12)
Y3 1
(13)
A1 2
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ISO9000
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7F - 6 ， 101号富兴北路
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3
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