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HCF4585B
4位数值比较器
s
s
s
s
s
s
s
s
扩大到8 , 12 , 16 .... 4 n位BY
CASCADING单位
中速运行:比较
在180ns两个4位字(典型值) ,在10V
界面标准对称输出
特征
静态电流最多指定
20V
5V , 10V和15V额定值参
输入漏电流
I
I
=为100nA (最大值)在V
DD
= 18V牛逼
A
= 25°C
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC的所有要求
JESD13B "STANDARD规格
为了说明的B系列CMOS
DEVICES"
DIP
SOP
订购代码
DIP
SOP
HCF4585BEY
HCF4585BM1
T&R
HCF4585M013TR
描述
HCF4585B是一个单片集成电路
在制造金属氧化物半导体
技术DIP和SOP封装。
HCF4585B是一个4位幅度比较
设计用于在计算机和逻辑使用
需要两种比较应用
4位的字。这个逻辑电路决定是否
一个4位字(二进制或BCD )是"less than" ,
"equal to"或"greater than"的第二4比特字。
HCF4585B有八个比较输入( A3 , B3
通过A0 , B0 ) ,三路输出( A<B , A = B, A>B )
和三个级联输入( A<B , A = B , A>B )表示
允许系统设计人员扩大
比较器功能8 ,12,16 ... 4N比特。当一个
单HCF4585B被使用时,级联输入
连接如下: ( A<B ) =低, (A = B) =
高, ( A>B ) =高。级联这些单位
超过4位进行比较来完成
在典型应用如图所示。
引脚连接
2002年10月
1/9
HCF4585B
IINPUT等效电路
引脚说明
针无
10, 7, 2, 15
11, 9, 1, 14
13, 3, 12
4, 6, 5
8
16
符号
A0到A3
B0至B3
A>B , A = B ,
A<B
A>B , A = B ,
A<B
V
SS
V
DD
名称和功能
Word中输入
字B输入
输出
级联输入
负电源电压
正电源电压
真值表
输入
输出
比较
A3,B3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
> B3
= B3
= B3
= B3
= B3
= B3
= B3
= B3
= B3
= B3
< B3
A2,B2
X
A2 B2 >
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 B2 <
X
A1,B1
X
X
A1 B1 >
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 B1 <
X
X
A0,B0
X
X
X
A0 > B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 < B0
X
X
X
A<B
X
X
X
X
L
L
H
X
X
X
X
级联
A-B
X
X
X
X
L
H
L
X
X
X
X
A>B
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
A<B
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
A-B
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
A>B
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X:无关
工作原理图
2/9
HCF4585B
逻辑图
绝对最大额定值
符号
V
DD
V
I
I
I
P
D
T
op
T
英镑
电源电压
直流输入电压
DC输入电流
每个封装功耗
每个输出晶体管功耗
工作温度
储存温度
参数
价值
-0.5至+22
-0.5到V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
-55到+125
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。在这些条件下的功能操作
不是暗示。
所有电压值称为V
SS
引脚电压。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
电源电压
输入电压
工作温度
参数
价值
3至20个
0到V
DD
-55至125
单位
V
V
°C
3/9
HCF4585B
DC特定网络阳离子
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/5
0/10
0/15
0/20
0/5
0/10
0/15
5/0
10/0
15/0
0.5/4.5
1/9
1.5/13.5
4.5/0.5
9/1
13.5/1.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
V
O
(V)
|I
O
| V
DD
( μA ) (V )
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
18
T
A
= 25°C
分钟。
典型值。
0.04
0.04
0.04
0.08
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.36
-0.44
-1.1
-3.0
0.44
1.1
3.0
-3.2
-1
-2.6
-6.8
1
2.6
6.8
±10
-5
5
-1.1
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
3.5
7
11
1.5
3
4
-1.1
-0.36
-0.9
-2.4
0.36
0.9
2.4
马克斯。
5
10
20
100
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
价值
-40到85°C
分钟。
马克斯。
150
300
600
3000
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
-55到125°C
分钟。
马克斯。
150
300
600
3000
单位
I
L
静态电流
A
V
OH
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输出驱动器
当前
V
OL
V
IH
V
IL
I
OH
I
OL
输出灌
当前
输入漏
当前
输入电容
0/5
0/5
0/10
0/15
0/5
0/10
0/15
0/18
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
V
V
V
mA
mA
I
I
任何输入
任何输入
±0.1
7.5
±1
±1
A
pF
C
I
噪声余量为"1"和"0"级别: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V分钟。与V
DD
=15V
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200KΩ ,T
r
= t
f
= 20纳秒)
测试条件
符号
参数
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
15
比较输入到输出
分钟。
值(*)
典型值。
300
125
80
200
80
60
100
50
40
马克斯。
600
250
160
400
160
120
200
100
80
ns
单位
t
PHL
t
PLH
传播延迟
时间
t
PHL
t
PLH
传播延迟
时间
t
THL
t
TLH
转换时间
级联输入到输出
ns
ns
( * )的典型温度系数为所有V
DD
值是0.3 %/ ℃。
4/9
HCF4585B
测试电路
C
L
= 50pF的或同等学历(包括夹具和探头电容)
R
L
= 200K
R
T
= Z
OUT
脉冲发生器(通常为50Ω )
波形:传播延迟时间
中(f = 1MHz的50 %占空比)
5/9
HCC/HCF4585B
4位数值比较器
.
.
.
.
.
.
.
扩大到8 , 12 , 16 ... 4 N位CAS- BY
CADING单位
中速运转:比较
在180ns两个4位字(典型值) ,在10V
界面标准对称输出
特征
5V , 10V , 15V和参评级
作者100nA的AT 18V和输入电流25℃
肝癌设备
100 %测试静态电流
MEETS JEDEC TEN-的所有要求
对准焦点标准的N ° 13A “标准SPE-
CIFICATIONS关于描述, “B”的
系列CMOS器件“
EY
(塑料包装)
F
(陶瓷玻璃料密封包装)
M1
(超小型封装)
C1
(塑料芯片载体)
订购代码:
HCC4585BF
HCF4585BM1
HCF4585BEY
HCF4585BC1
引脚连接
描述
HCC4585B
(扩展温度范围),
HCF4585B
(中间温度范围)是
单片集成电路,采用16引脚可用
双列直插式塑料或陶瓷封装,以及塑料
微型封装。该
HCC/HCF4585B
是一个4位mag-
nitude比较器设计用于电脑的使用和
逻辑应用,需要两个比较
4位的字。这个逻辑电路决定是否
一个4位字(二进制或BCD )为“小于”,“等于
到“或”大于“的第二4比特字。该
HCC/HCF4585B
有8比较输入( A3 ,
B3 ,通过A0 , B0 ) ,三路输出(A < B, A = B,A >
B)和三个级联输入(A < B, A = B,A > B)
这允许系统设计者拓展的COM
parator功能8,12, 16 ... 4 N位。当一个
单身
HCC/HCF4585B
被使用时,级联IN-
看跌期权的连接方式如下:(一< B)=低,
( A = B ) =高, (A > B) =高。层叠这些单位
对于超过4位进行比较来完成
在典型应用如图所示。
1989年6月
1/12
HCC/HCF4585B
工作原理图
绝对最大额定值
符号
V
DD
*
V
i
I
I
P
吨OT
参数
电源电压:
慧聪
类型
矫顽F
类型
输入电压
直流输入电流(任一输入)
总功耗(每包)
每个输出晶体管耗散
对于T
O·P
=全包温度范围
工作温度:
肝癌
类型
CF
类型
储存温度
价值
- 0.5 + 20
- 0.5 + 18
- 0.5 V
DD
+ 0.5
±
10
200
100
- 55至+ 125
- 40至+ 85
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
°C
T
op
T
英镑
条件超过上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备,在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,外部时间会影响器件的可靠性。
*所有的电压是相对于V
SS
(GND)。
推荐工作条件
符号
V
DD
V
I
T
op
参数
电源电压:
CC
类型
矫顽F
类型
输入电压
工作温度:
肝癌
类型
CF
类型
价值
3至18个
3至15个
0到V
DD
- 55至+ 125
- 40至+ 85
单位
V
V
V
°C
°C
2/12
HCC/HCF4585B
逻辑图
真值表
输入
比较
A 3 , B 3
A3
A3
A3
A3
> B3
= B3
= B3
= B3
A2,
B2 A1 ,
B1 A0 ,
B0
A< B
X
X
X
X
0
0
1
X
X
X
X
X
A2 B2 >
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 = B2
A2 B2 <
X
X
X
A1 B1 >
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 = B1
A1 B1 <
X
X
X
X
X
A0 > B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 = B0
A0 < B0
X
X
X
级联
A-B
X
X
X
X
0
1
0
X
X
X
X
一个>B
1
1
1
1
1
X
X
X
X
X
X
A<B
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
输出
A = B
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
A>B
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
A3 = B3
A3 = B3
A3 = B3
A3
A3
A3
A3
= B3
= B3
= B3
< B3
X =无关
逻辑1 =高电平
3/12
HCC/HCF4585B
静态电气特性
(在推荐的工作条件)
测试条件
符号
参数
V
I
(V)
0/ 5
HCC 0/10
类型0/15
0/20
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
V
OH
输出高
电压
0/ 5
0/10
0/15
V
OL
输出低
电压
5/0
10/0
15/0
V
IH
输入高
电压
0.5/4.5
1/9
4.5/0.5
9/1
0/ 5
HCC 0 / 5
类型0/10
0/15
0/ 5
0/ 5
HCF
类型0/10
0/15
I
OL
产量
SINK
当前
0/ 5
肝癌
0/10
类型
0/15
0/ 5
HCF
0/10
类型
0/15
I
IH
, I
IL
输入
泄漏
当前
肝癌
0/18
类型
HCF
0/15
类型
任何输入
2.5
4.6
9.5
13.5
2.5
4.6
9.5
13.5
0.4
0.5
1.5
0.4
0.5
1.5
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
<1
V
O
(V)
价值
单位
|I
O
| V
D D
T
1。·瓦特
*
25
°C
T
喜克
*
( μA ) (V )
分钟。马克斯。分钟。典型值。马克斯。分钟。马克斯。
5
10
15
20
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
5
5
10
15
5
10
15
5
10
15
18
任何输入
15
±
0.3
±10
5
–5
I
L
当前
5
10
20
100
20
40
80
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
– 2
– 0.64
– 1.6
– 4.2
– 1.53
– 0.52
– 1.3
– 3.6
0.64
1.6
4.2
0.52
1.3
3.6
±
0.1
3.5
7
11
4.95
9.95
14.95
0.04
0.04
0.04
0.08
0.04
0.04
0.04
5
10
20
100
20
40
80
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
3.5
7
11
1.5
3
4
150
300
600
3000
150
300
600
V
0.05
0.05
0.05
V
1.5
3
4
– 1.15
– 0.36
– 0.9
– 2.4
– 1.1
– 0.36
– 0.9
– 2.4
0.36
0.9
2.4
0.36
0.9
2.4
±
1
A
±
1
pF
mA
mA
V
V
A
1.5 / 13.5 & LT ; 1
V
IL
输入低
电压
13.5 / 1.5 < 1
I
OH
产量
DRIVE
当前
– 1.6 – 3.2
– 0.51 – 1
– 1.3 – 2.6
– 3.4 – 6.8
– 1.36 – 3.2
– 0.44 – 1
– 1.1 – 2.6
– 3.0 – 6.8
0.51
1.3
3.4
0.44
1.1
3.0
1
2.6
6.8
1
2.6
6.8
±10
– 5
±
0.1
±
0.3
7.5
C
I
输入电容
* T
LO W
= - 55℃
肝癌
设备: - 40℃
HCF
装置。
* T
= + 125°C的
肝癌
设备: + 85 ℃下进行
HCF
装置。
的噪声余量为“1”和“0”的电平为: 1V分钟。与V
DD
= 5V , 2V分钟。与V
DD
= 10V , 2.5V分钟。与V
DD
= 15V.
4/12
HCC/HCF4585B
动态电气特性
(T
AMB
= 25°C, C
L
= 50pF的,R
L
= 200k,
典型温度系数为所有V
DD
值的0.3 % / ° C,所有输入的上升和下降时间为20ns = )
符号
t
PHL
,
t
P LH
参数
传播延迟时间
比较输入到输出
测试条件
V
D D
(V)
分钟。
5
10
15
级联输入到输出
5
10
15
t
吨百升
,
t
TLH
转换时间
5
10
15
价值
典型值。
300
125
80
200
80
60
100
50
40
马克斯。
600
250
160
400
160
120
200
100
80
ns
ns
ns
单位
输出低(汇)电流特性。
输出高(源)电流特性。
典型的转换时间与负载电容。
典型传播延迟时间(比较IN-
投入与产出)与负载电容。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCF4585BEY
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
HCF4585BEY
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
HCF4585BEY
STM
进口标准
17+
4550
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