【HAT2116H硅N沟道功率MOS FET电源开关REJ03G1189-0400（上一个： ADE-】,IC型号HAT2116H-EL-E,HAT2116H-EL-E PDF资料,HAT2116H-EL-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT2116H

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

REJ03G1189-0400

（上一个： ADE- 208-1575B ）

Rev.4.00

2005年9月7日

特点

能够4.5 V门极驱动

低驱动电流

高密度安装

低导通电阻

DS （ ON）

= 6.3 m

（典型值）。（在V

= 10 V)

概要

瑞萨封装代码： PTZZ0005DA -A

（包名称： LFPAK ）

1, 2, 3

来源

门

漏

S S S

1 2 3

Rev.4.00 2005年9月7日第1页6

HAT2116H

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.锝= 25

°C

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

价值

±20

120

150

-55到+150

单位

°C

PCH

总胆固醇

注2

TSTG

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

民

±20

—

1.0

—

典型值

—

6.3

10.5

1650

400

220

0.85

最大

—

±10

2.5

8.2

15.3

—

1.11

—

单位

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

±100 A,

= 0

±16

V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 15 A，V

= 10 V

注3

= 15 A，V

= 4.5 V

= 15 A，V

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 10 V

= 30 A

= 10 V，I

= 15 A

10 V

= 0.5

RG = 4.7

= 30 A，V

= 0

= 30 A，V

= 0

/ DT = 50 A / μs的

注3

Rev.4.00 2005年9月7日第2 6

HAT2116H

主要特点

功率与温度降额

500

100

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

ERA

散热通道

TIO

漏电流

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

°C

0.1

TA = 25°C

1次脉冲

100

150

200

0.01

0.1

0.3

100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

10 V

脉冲测试

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

(A)

漏电流

4.5 V

3.5 V

漏电流

= 3 V

25°C

TC = 75℃

–25°C

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

0.16

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

(m)

100

脉冲测试

0.20

漏源极电压

0.12

= 4.5 V

10 V

0.08

= 10 A

0.04

0.1 0.2 0.5 1

5 10 20

50 100

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第3页6

HAT2116H

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳| YFS | （ S）

脉冲测试

100

TC = -25°C

0.3

0.1

25°C

75°C

= 2 A, 5 A 10 A

= 4.5 V

10 V

2 A, 5 A, 10 A

120

160

= 10 V

脉冲测试

0.3

100

–40

外壳温度

(

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

西塞

1000

300

100

科斯

CRSS

体漏二极管的反向

恢复时间

100

反向恢复时间trr （ NS ）

的di / dt = 50A /

= 0 ， TA = 25℃

0.2

0.5

电容C （PF ）

= 0

F = 1 MHz的

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

= 30 A

= 25 V

10 V

(V)

200

100

TD （关闭）

= 10 V, V

= 10 V

RG = 4.7

税

≤

1 %

0.5

TD （上）

漏源极电压

= 25 V

10 V

100

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

0.1 0.2

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第4 6

HAT2116H

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

10 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

θch

- C （T ） =

S（ T）

θch

– c

θch

- C = 8.33 ° C / W ，TC = 25°C

LSE

0.05

0.03

0.02

0.0

0.01

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

开关时间波形

输入电压监视器

D.U.T.

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

10%

90%

10%

VIN

10 V

= 10 V

TD （上）

90%

TD （关闭）

Rev.4.00 2005年9月7日第5 6

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