高集电极 - 发射极电压类型
光电耦合器
H11D1系列
特点
电流传输比
（ CTR ：在我MIN 20 ％
F
= 10毫安，V
CE
= 10V )
输入和输出之间的高隔离电压
( V
ISO
= 5,000 Vrms的）
高集电极 - 发射极击穿电压
（ BV
CER
= 300V)
UL认证（ E113898号）
VDE认证（ 094722号）
CSA核准进度
选项可用：
- 与0.4" （ 10.16毫米）间距（M型）信息
- 铅弯头表面贴装（ S型）
- 磁带和I型的贴片卷（添加" - TA"后缀）
- 磁带和卷轴II型的SMD （添加" - TA1"后缀）
- VDE 0884认证（添加" - V"后缀）
包装尺寸
应用
1.复制机
2.接口和耦合不同电位系统
和阻抗
3.监测和检测电路
4.固态继电器
注意事项：
1.年份日期代码。
2. 2位数的工作周。
3.工厂代码应标（Z台湾，Y泰国） 。
4.所有尺寸的单位均为毫米（英寸） 。
5.公差为0.25mm （ 0.010" ），除非另有说明。
6.规格如有变更，恕不另行通知。
订购信息
产品型号
H11D1
H11D1M
H11D1S
H11D1S-TA
H11D1S-TA1
H11D1-V
H11D1M-V
H11D1S-V
H11D1STA-V
H11D1STA1-V
包
6引脚DIP
6芯（领导与0.4"间距）
6引脚（引脚弯曲表面贴装）
6针（磁带和I型的卷盘包装）
6针（磁带和II型卷盘包装）
6引脚DIP
6芯（领导与0.4"间距）
6引脚（引脚弯曲表面贴装）
6针（磁带和I型的卷盘包装）
6针（磁带和II型卷盘包装）
安全标准认证
UL认证
CSA核准进度
应用部分
数
H11D1
VDE认证
H11D1
12-162
额定值和特性
绝对最大额定值
参数
正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 基极电压
产量
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
总功耗
* 1.Isolation电压
工作温度
储存温度
* 2.Soldering温度
(Ta=25
符号
I
F
V
R
P
V
首席执行官
V
ECO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
)
等级
60
6
100
300
7
300
7
100
150
250
5,000
-55~+100
-55~+150
260
单位
mA
V
mW
V
V
V
V
mA
mW
mW
VRMS
* 1 。 AC 1分钟，相对湿度= 40 ％60％
隔离电压应采用下面的方法来测定。
（1）短的阳极和阴极上的初级侧和集电极和发射极上的次级侧之间。
（2）隔离电压测试仪具有零交叉电路，应使用。
（3）施加的电压的波形必须是正弦波。
* 2 。 10秒
电/光特性
参数
正向电压
输入
反向电流
终端电容
集电极暗电流
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极电流
* 1电流传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘电阻
杂散电容
响应时间（上升）
响应时间（秋季）
I
C
* 1 。 CTR = I
F
100%
(Ta=25
符号
V
F
I
R
C
t
I
CER
BV
CER
BV
ECO
I
C
CTR
V
CE （ SAT ）
R
ISO
C
f
t
r
t
f
5
10
10
0.6
5
5
pF
s
s
300
7
2
20
0.25
0.4
)
分钟。
典型值。
1.2
0.01
30
马克斯。
1.5
10
250
100
单位
V
A
pF
nA
V
V
mA
%
V
条件
I
F
=10mA
V
R
=6V
V = 0 ， F = 1kHz时
V
CE
= 200V ，R
BE
=1M
I
C
= 0.1毫安，我
F
=0
R
BE
=1M
I
E
=10 A
I
F
=0mA
I
F
= 10毫安V
CE
=10V
R
BE
=1M
I
F
= 10毫安，我
C
=0.5mA
R
BE
=1M
DC500V
4060 ％相对湿度
V = 0 ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=2mA
R
L
=100
光电耦合器
产量
转让
特征
12-163
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