H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM - 光电晶体管光耦合器
2009年9月
H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM
光电晶体管光耦合器
特点
■
H11AV1M和H11AV2M配备0.3"输入输出
■
■
■
■
描述
通用光电耦合器由一个镓
砷化镓红外发光二极管驱动硅
光电晶体管采用6引脚双列直插式封装的白色。
引线间距
H11AV1AM和H11AV2AM配备0.4"输入输出
引线间距
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
VDE认可（文件＃ 102497 ）
添加选项V（例如， H11AV1AVM ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
概要
阳极
1
6
BASE
包装纲要
阴极
2
5
集热器
H11AV1SM ， H11AV2SM
N / C
3
4
辐射源
H11AV1M ， H11AV2M
H11AV1AM ， H11AV2AM
2005仙童半导体公司
H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM - 光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
P
D
探测器
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
P
D
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
储存温度
工作温度
参数
价值
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
60
6
120
1.41
70
70
7
150
1.76
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
波峰焊温度（参见第8页的重新溢流焊锡廓）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
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2
H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压（I
F
= 10毫安）
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
T
A
= 100°C
I
R
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 基极暗电流
电容
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CB
= 10V
V
CE
= 0V ， F = 1MHz的
70
70
7
100
120
10
1
0.5
8
50
V
V
V
nA
nA
pF
反向漏电流
V
R
= 6.0V
0.8
0.9
0.7
1.18
1.28
1.05
1.5
1.7
1.4
10
A
V
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
传输特性
符号
CTR
参数
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
设备
H11AV1M
H11AV1AM
H11AV2M
H11AV2AM
分钟。
100
50
TYP 。 *
马克斯。
300
单位
%
DC特性
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
T
ON
T
ON
非饱和导通
时间
非饱和关断
时间
I
C
= 2毫安，我
F
= 20mA下
所有
0.4
V
I
C
= 2毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
I
C
= 2毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
所有
所有
15
15
s
s
隔离特性
符号
V
ISO
C
ISO
R
ISO
参数
输入输出隔离电压
隔离电容
绝缘电阻
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 0V ， F = 1MHz的
V
我-O
= 500 VDC
分钟。
7500
TYP 。 *
0.2
马克斯。
2
单位
V
AC （ PK）
pF
10
11
*在T典型值
A
= 25°C
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H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM - 光电晶体管光耦合器
安全性和绝缘等级
按照IEC 60747-5-2 ，这是光电耦合器适用于仅在安全限制数据“安全的电气绝缘” 。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110安装分类网络阳离子/ 1.89
表1
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
55/100/21
2
175
1594
V
PEAK
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试
用TM = 1秒，局部放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法a ，
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试
用TM = 60秒，局部放电< 5PC
1275
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
马克斯。工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
850
6000
7
7
0.5
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
RIO
在TS ，V绝缘电阻
IO
= 500V
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4
H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM - 光电晶体管光耦合器
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.7
1.6
1.4
1.2
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25°C
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
归一化CTR
100
1.5
1.4
1.3
T
A
= 25°C
1.0
0.8
0.6
0.4
T
A
= -55°C
1.2
1.1
1.0
1
10
T
A
= 100°C
0.2
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
1.0
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
V
CE
= 5.0V
I
F
= 20mA下
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
1.2
I
F
= 5毫安
归一化CTR
1.0
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
I
F
= 20mA下
0.4
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
10
100
1000
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
T
A –
环境温度（ ℃）
1.0
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
100
0.9
I
F
= 20mA下
V
CE
= 0.3 V
I
F
= 5毫安
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
10
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
2005仙童半导体公司
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2009年9月
H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM
光电晶体管光耦合器
特点
■
H11AV1M和H11AV2M配备0.3"输入输出
■
■
■
■
描述
通用光电耦合器由一个镓
砷化镓红外发光二极管驱动硅
光电晶体管采用6引脚双列直插式封装的白色。
引线间距
H11AV1AM和H11AV2AM配备0.4"输入输出
引线间距
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
VDE认可（文件＃ 102497 ）
添加选项V（例如， H11AV1AVM ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
概要
阳极
1
6
BASE
包装纲要
阴极
2
5
集热器
H11AV1SM ， H11AV2SM
N / C
3
4
辐射源
H11AV1M ， H11AV2M
H11AV1AM ， H11AV2AM
2005仙童半导体公司
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H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM - 光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
P
D
探测器
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
P
D
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
储存温度
工作温度
参数
价值
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
60
6
120
1.41
70
70
7
150
1.76
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
波峰焊温度（参见第8页的重新溢流焊锡廓）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
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2
H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM - 光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压（I
F
= 10毫安）
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
T
A
= 100°C
I
R
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 基极暗电流
电容
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 100μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CB
= 10V
V
CE
= 0V ， F = 1MHz的
70
70
7
100
120
10
1
0.5
8
50
V
V
V
nA
nA
pF
反向漏电流
V
R
= 6.0V
0.8
0.9
0.7
1.18
1.28
1.05
1.5
1.7
1.4
10
A
V
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
传输特性
符号
CTR
参数
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
设备
H11AV1M
H11AV1AM
H11AV2M
H11AV2AM
分钟。
100
50
TYP 。 *
马克斯。
300
单位
%
DC特性
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
T
ON
T
ON
非饱和导通
时间
非饱和关断
时间
I
C
= 2毫安，我
F
= 20mA下
所有
0.4
V
I
C
= 2毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
I
C
= 2毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
所有
所有
15
15
s
s
隔离特性
符号
V
ISO
C
ISO
R
ISO
参数
输入输出隔离电压
隔离电容
绝缘电阻
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 0V ， F = 1MHz的
V
我-O
= 500 VDC
分钟。
7500
TYP 。 *
0.2
马克斯。
2
单位
V
AC （ PK）
pF
10
11
*在T典型值
A
= 25°C
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H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM - 光电晶体管光耦合器
安全性和绝缘等级
按照IEC 60747-5-2 ，这是光电耦合器适用于仅在安全限制数据“安全的电气绝缘” 。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110安装分类网络阳离子/ 1.89
表1
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
55/100/21
2
175
1594
V
PEAK
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试
用TM = 1秒，局部放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法a ，
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试
用TM = 60秒，局部放电< 5PC
1275
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
马克斯。工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
850
6000
7
7
0.5
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
RIO
在TS ，V绝缘电阻
IO
= 500V
2005仙童半导体公司
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H11AV1M ， H11AV1AM ， H11AV2M ， H11AV2AM - 光电晶体管光耦合器
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.7
1.6
1.4
1.2
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25°C
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
归一化CTR
100
1.5
1.4
1.3
T
A
= 25°C
1.0
0.8
0.6
0.4
T
A
= -55°C
1.2
1.1
1.0
1
10
T
A
= 100°C
0.2
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
1.0
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
V
CE
= 5.0V
I
F
= 20mA下
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
1.2
I
F
= 5毫安
归一化CTR
1.0
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
I
F
= 20mA下
0.4
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
10
100
1000
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
T
A –
环境温度（ ℃）
1.0
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
100
0.9
I
F
= 20mA下
V
CE
= 0.3 V
I
F
= 5毫安
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
10
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
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