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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第1106页 > H11AV2A-M
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
概要
包装外形
1
6
2
5
6
6
1
H11AV1S -M , H11AV2S -M
1
H11AV1 -M , H11AV2 -M
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
3
NC
4
6
1
H11AV1A -M , H11AV2A -M
描述
通用光耦合器由一个砷化镓红外发光二极管驱动硅光电晶体管在一个6针
双列直插式封装白色。
特点
H11AV1和H11AV2配备0.3"输入输出引线间距
H11AV1A和H11AV2A功能0.4"输入输出引线间距
UL认证(文件号E90700 ,第2卷)
VDE认可(文件# 102497 )
- 添加选项V(例如, H11AV1AV -M )
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
2003仙童半导体公司
分页: 10 1
6/30/03
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
设备总
储存温度
工作温度
波峰焊温度(请参阅第9页重新溢流焊锡廓)
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
P
D
70
70
7
150
1.76
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
60
6
120
1.41
mA
V
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
-40到+150
-40至+100
260 ,持续10秒
250
2.94
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2003仙童半导体公司
第10 2
6/30/03
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压(I
F
= 10 mA)的
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
T
A
= 100°C
反向漏电流
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 基极暗电流
电容
(I
C
= 1.0毫安,我
F
= 0)
(I
C
= 100 A ,我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ,我
F
= 0)
(V
CE
= 10 V,I
F
= 0)
(V
CB
= 10 V)
(V
CE
= 0 V , F = 1兆赫)
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
70
70
7
100
120
10
1
0.5
8
50
V
V
V
nA
nA
pF
(V
R
= 6.0 V)
I
R
V
F
0.8
0.9
0.7
1.18
1.28
1.05
1.5
1.7
1.4
10
A
V
测试条件
符号
典型*
最大
单位
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
*在T典型值
A
= 25°C
测试条件符号
中(f = 60赫兹,吨= 1秒)
(V
我-O
= 500 VDC)
(V
我-O
= 0 V , F = 1兆赫)
V
ISO
R
ISO
C
ISO
7500
10
11
0.2
2
典型*
最大
单位
VAC ( PK)
pF
2003仙童半导体公司
第10 3
6/30/03
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
DC特性
电流传输比,
集电极到发射极
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
非饱和
开启时间
非饱和
打开-O FF时间
(I
C
= 2毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(图11)
(I
C
= 2毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(图11)
T
ON
T
ON
所有
15
s
测试条件
符号
设备
H11AV1
H11AV1A
H11AV2
H11AV2A
所有
100
50
0.4
V
典型*
最大
300
单位
%
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
CTR
(I
C
= 2毫安,我
F
= 20 mA)的
V
CE (SAT)
所有
15
s
*在T典型值
A
= 25°C
2003仙童半导体公司
第10 4
6/30/03
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.6
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25°C
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
1.7
1.4
V
F
- 正向电压( V)
1.6
1.2
归一化CTR
1.5
1.0
1.4
T
A
= -55°C
1.3
T
A
= 25°C
1.2
T
A
= 100°C
0.8
0.6
0.4
1.1
0.2
1.0
1
10
100
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- LED正向电流(mA )
I
F
- 正向电流(mA )
图。 3归CTR与环境温度
1.4
1.0
图。 4 CTR与RBE (不饱和)
归一化的点击率( CTR
RBE
/ CTR
RBE ( OPEN )
)
0.9
0.8
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
1.2
I
F
= 5毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
归一化CTR
1.0
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
I
F
= 20毫安
0.4
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
10
100
1000
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
T
A
- 环境温度( ° C)
1.0
V
CE (SAT)
- 集电极 - 发射极饱和电压( V)
图。 5 CTR与RBE (饱和)
归一化的点击率( CTR
RBE
/ CTR
RBE ( OPEN )
)
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
100
0.9
V
CE
= 0.3 V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
T
A
= 25C
10
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
R
BE
- 基极电阻(K
)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
2003仙童半导体公司
第10个5
6/30/03
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
概要
包装外形
1
6
2
5
6
6
1
H11AV1S -M , H11AV2S -M
1
H11AV1 -M , H11AV2 -M
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
3
NC
4
6
1
H11AV1A -M , H11AV2A -M
描述
通用光耦合器由一个砷化镓红外发光二极管驱动硅光电晶体管在一个6针
双列直插式封装白色。
特点
H11AV1和H11AV2配备0.3"输入输出引线间距
H11AV1A和H11AV2A功能0.4"输入输出引线间距
UL认证(文件号E90700 ,第2卷)
VDE认可(文件# 102497 )
- 添加选项V(例如, H11AV1AV -M )
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
2005仙童半导体公司
分页: 10 1
6/15/05
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
设备总
储存温度
工作温度
波峰焊温度(请参阅第9页重新溢流焊锡廓)
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
P
D
70
70
7
150
1.76
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
I
F
V
R
P
D
60
6
120
1.41
mA
V
mW
毫瓦/°C的
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
-40到+150
-40至+100
260 ,持续10秒
250
2.94
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2005仙童半导体公司
第10 2
6/15/05
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压(I
F
= 10 mA)的
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
T
A
= 100°C
反向漏电流
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 基极暗电流
电容
(I
C
= 1.0毫安,我
F
= 0)
(I
C
= 100 A ,我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ,我
F
= 0)
(V
CE
= 10 V,I
F
= 0)
(V
CB
= 10 V)
(V
CE
= 0 V , F = 1兆赫)
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
70
70
7
100
120
10
1
0.5
8
50
V
V
V
nA
nA
pF
(V
R
= 6.0 V)
I
R
V
F
0.8
0.9
0.7
1.18
1.28
1.05
1.5
1.7
1.4
10
A
V
测试条件
符号
典型*
最大
单位
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
*在T典型值
A
= 25°C
测试条件符号
中(f = 60赫兹,吨= 1秒)
(V
我-O
= 500 VDC)
(V
我-O
= 0 V , F = 1兆赫)
V
ISO
R
ISO
C
ISO
7500
10
11
0.2
2
典型*
最大
单位
VAC ( PK)
pF
2005仙童半导体公司
第10 3
6/15/05
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
传输特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
DC特性
电流传输比,
集电极到发射极
集电极 - 发射极
饱和电压
AC特性
非饱和
开启时间
非饱和
打开-O FF时间
(I
C
= 2毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(图11)
(I
C
= 2毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
= 100
)
(图11)
T
ON
T
ON
所有
15
s
测试条件
符号
设备
H11AV1
H11AV1A
H11AV2
H11AV2A
所有
100
50
0.4
V
典型*
最大
300
单位
%
(I
F
= 10 mA时, V
CE
= 10 V)
CTR
(I
C
= 2毫安,我
F
= 20 mA)的
V
CE (SAT)
所有
15
s
*在T典型值
A
= 25°C
2005仙童半导体公司
第10 4
6/15/05
光电晶体管光耦合器
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.6
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25°C
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
1.7
1.4
V
F
- 正向电压( V)
1.6
1.2
归一化CTR
1.5
1.0
1.4
T
A
= -55°C
1.3
T
A
= 25°C
1.2
T
A
= 100°C
0.8
0.6
0.4
1.1
0.2
1.0
1
10
100
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- LED正向电流(mA )
I
F
- 正向电流(mA )
图。 3归CTR与环境温度
1.4
1.0
图。 4 CTR与RBE (不饱和)
归一化的点击率( CTR
RBE
/ CTR
RBE ( OPEN )
)
0.9
0.8
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
1.2
I
F
= 5毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
归一化CTR
1.0
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
I
F
= 20毫安
0.4
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
10
100
1000
R
BE
- 基极电阻值(kΩ )
T
A
- 环境温度( ° C)
1.0
V
CE (SAT)
- 集电极 - 发射极饱和电压( V)
图。 5 CTR与RBE (饱和)
归一化的点击率( CTR
RBE
/ CTR
RBE ( OPEN )
)
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
100
0.9
V
CE
= 0.3 V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
T
A
= 25C
10
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
R
BE
- 基极电阻(K
)
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
2005仙童半导体公司
第10个5
6/15/05
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    H11AV2A-M
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
H11AV2A-M
FAIRCHILD
17+
9600
N/A
全新原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393564 复制

电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
H11AV2A-M
FAIRCHILD
23+
1168
原厂标准封装
绝对进口原装,公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
H11AV2A-M
Fairchild
25+
4500
TSOP
全新原装现货特价销售!
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
H11AV2A-M
Fairchild
25+
4500
DIP/SOP
全新原装正品特价售销!
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电话:0755-83231869
联系人:张
地址:福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
H11AV2A-M
FSC
2020+
8700
原厂封装
全新原装正品,可售样,可开13%增值税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
H11AV2A-M
FAIRCHILD/仙童
21+
31690
DIP-6
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388356 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388351 复制
电话:0755-83039139
联系人:邓小姐
地址:深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
H11AV2A-M
FAIRCHILD
9696
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