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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
119- ， 165- ， & 209引脚BGA
商用温度
工业级温度
特点
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ， NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
LBO引脚的直线或交错突发模式
带2MB， 4MB， 9MB ， 18MB ， 36MB和引脚兼容
器件
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准119- ， 165-或209焊球BGA封装
72MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
250兆赫， 133MHz的
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8644Z18 / 36/ 72可以由用户来配置的
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中，除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号，该装置
包括一个上升沿触发输出寄存器。对于读
周期，流水线SRAM的输出数据由暂时存储
在访问周期内边沿触发的输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8644Z18 / 36/ 72与GSI的实现高
高性能的CMOS技术，是在一个JEDEC-可用
标准的119焊球， 165焊球或209焊球BGA封装。
功能说明
该GS8644Z18 / 36/ 72是72Mbit的同步静态
SRAM 。 GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或
其他流水线读/双晚写或流经读/
单后期写的SRAM ，允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
t
KQ(x18/x36)
t
KQ(x72)
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
-250 -225 -200
2.5 2.7 3.0
3.0 3.0 3.0
4.0 4.4 5.0
385
450
540
6.5
6.5
265
290
345
-166
3.5
3.5
6.0
-150
3.8
3.8
6.7
-133单位
4.0纳秒
4.0纳秒
7.5纳秒
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
360 335 305 295 265毫安
415 385 345 325 295毫安
505 460 405 385 345毫安
6.5 6.5 7.0 7.5 8.5纳秒
6.5 6.5 7.0 7.5 8.5纳秒
265 265 255 240 225毫安
290 290 280 265 245毫安
345 345 335 315 300毫安
冯： 1.03 11/2004
1/39
2003 ， GSI技术
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72C垫出209焊球BGA -顶视图（ C组）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
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M
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W
DQ
G
DQ
G
DQ
G
DQ
G
DQP
G
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C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
NC
DQ
H
DQ
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H
DQ
H
DQP
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
2
DQ
G
DQ
G
DQ
G
DQ
G
DQP
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
NC
DQ
H
DQ
H
DQ
H
DQ
H
DQP
H
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
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A
BC
BH
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
CK
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
NC
A
TMS
4
E2
BG
BD
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
A
A
TDI
5
A
NC
NC
NC
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
NC
A
A
A
6
ADV
W
E1
G
V
DD
ZQ
MCH
MCL
MCH
CKE
FT
MCL
MCH
ZZ
V
DD
LBO
A
A1
A0
7
A
A
NC
NC
V
DD
V
SS
V
DD
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SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
NC
A
A
A
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E3
BB
BE
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
A
A
TDO
9
A
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BA
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
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NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
NC
A
TCK
10
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQP
F
DQ
F
DQ
F
DQ
F
DQ
F
NC
DQ
A
DQ
A
DQ
A
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A
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A
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E
DQ
E
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E
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DQ
B
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B
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B
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B
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B
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F
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F
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E
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V
W
11× 19焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1毫米凸块间距
冯： 1.03 11/2004
2/39
2003 ， GSI技术
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72 209焊球BGA引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
DQ
E
DQ
F
DQ
G
DQ
H
B
A
, B
B
B
C
,B
D
B
E
, B
F
, B
G
,B
H
NC
CK
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ZZ
FT
LBO
MCH
MCH
MCL
W
ZQ
CKE
I
I
I
TYPE
I
I
描述
地址字段的LSB和地址计数器预置输入。
地址输入
I / O
数据输入和输出引脚
I
I
I
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
字节写使能为DQ
A
， DQ
B
的I / O ;低电平有效
字节写使能为DQ
C
， DQ
D
的I / O ;低电平有效
字节写使能为DQ
E
， DQ
F
， DQ
G
， DQ
H
的I / O ;低电平有效
无连接
时钟输入信号;高电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前启用
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
必须连接高
必须连接高
必须连接低
写使能;低电平有效
FLXDrive输出阻抗控制
低=低阻抗[高驱动]
高=高阻抗[低驱动]
时钟使能;低电平有效
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2003 ， GSI技术
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72 209焊球BGA引脚说明（续）
符号
TMS
TDI
TDO
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
I
I
O
I
I
I
I
描述
扫描测试模式选择
扫描测试数据
扫描测试数据输出
扫描测试时钟
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
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2003 ， GSI技术
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z36B垫出119焊球BGA -顶视图（ B包）
1
A
B
C
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NC
NC
DQC
DQC
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DQC
DQC
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DQD
DQD
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DQD
DQD
NC
NC
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2
A
E2
A
DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
V
DD
DQD
DQD
DQD
DQD
DQPd
A
A
TMS
3
A
A
A
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SS
V
SS
V
SS
BC
V
SS
NC
V
SS
BD
V
SS
V
SS
V
SS
LBO
A
TDI
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A
ADV
V
DD
ZQ
E1
G
A
W
V
DD
CK
NC
CKE
A1
A0
V
DD
A
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A
A
A
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SS
V
SS
V
SS
BB
V
SS
NC
V
SS
BA
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SS
V
SS
V
SS
FT
A
TDO
6
A
E3
A
DQPb
DQB
DQB
DQB
DQB
V
DD
DQA
DQA
DQA
DQA
DQPa
A
A
NC
7
V
DDQ
NC
NC
DQB
DQB
V
DDQ
DQB
DQB
V
DDQ
DQA
DQA
V
DDQ
DQA
DQA
NC
ZZ
V
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T
U
7 ×17焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1.27毫米凸块间距
冯： 1.03 11/2004
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
119- ， 165- ， & 209引脚BGA
商用温度
工业级温度
特点
NBT （无总线转左右）功能，允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ， NOBL 和
ZBT SRAM的
2.5 V或3.3 V +10 ％ / - 10 ％，核心供电
2.5 V或3.3 V的I / O供电
用户可配置的管道和流通过模式
ZQ模式引脚为用户可选的高/低输出驱动器
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
LBO引脚的直线或交错突发模式
带2MB， 4MB， 9MB ， 18MB ， 36MB和引脚兼容
器件
字节写操作（ 9位字节）
3芯片使能轻松深度扩展信号
ZZ引脚自动断电
JEDEC标准119- ， 165-或209焊球BGA封装
72MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
250兆赫， 133MHz的
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
因为它是一种同步装置，地址，数据输入，并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制（ LBO）必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能（ ZZ ）和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭，在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS8644Z18 / 36/ 72可以由用户来配置的
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置中，除了在起立边沿
触发寄存器捕获输入信号，该装置
包括一个上升沿触发输出寄存器。对于读
周期，流水线SRAM的输出数据由暂时存储
在访问周期内边沿触发的输出寄存器和
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS8644Z18 / 36/ 72与GSI的实现高
高性能的CMOS技术，是在一个JEDEC-可用
标准的119焊球， 165焊球或209焊球BGA封装。
功能说明
该GS8644Z18 / 36/ 72是72Mbit的同步静态
SRAM 。 GSI的NBT SRAM的，像ZBT ， NtRAM ， NOBL或
其他流水线读/双晚写或流经读/
单后期写的SRAM ，允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
参数简介
t
KQ(x18/x36)
t
KQ(x72)
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x36)
CURR
(x72)
-250 -225 -200
2.5 2.7 3.0
3.0 3.0 3.0
4.0 4.4 5.0
385
450
540
6.5
6.5
265
290
345
-166
3.5
3.5
6.0
-150
3.8
3.8
6.7
-133单位
4.0纳秒
4.0纳秒
7.5纳秒
管道
3-1-1-1
溢流
通过
2-1-1-1
360 335 305 295 265毫安
415 385 345 325 295毫安
505 460 405 385 345毫安
6.5 6.5 7.0 7.5 8.5纳秒
6.5 6.5 7.0 7.5 8.5纳秒
265 265 255 240 225毫安
290 290 280 265 245毫安
345 345 335 315 300毫安
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72C垫出209焊球BGA -顶视图（ C组）
1
A
B
C
D
E
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G
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DQ
G
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G
DQ
G
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G
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C
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H
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H
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H
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H
DQP
H
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D
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3
A
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V
SS
V
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V
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V
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V
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V
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V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
NC
A
TMS
4
E2
BG
BD
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
A
A
TDI
5
A
NC
NC
NC
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
DD
NC
A
A
A
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ADV
W
E1
G
V
DD
ZQ
MCH
MCL
MCH
CKE
FT
MCL
MCH
ZZ
V
DD
LBO
A
A1
A0
7
A
A
NC
NC
V
DD
V
SS
V
DD
V
SS
V
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V
SS
V
DD
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SS
V
DD
V
SS
V
DD
NC
A
A
A
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E3
BB
BE
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
V
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V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
A
A
TDO
9
A
BF
BA
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
NC
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
V
DDQ
V
SS
NC
A
TCK
10
DQ
B
DQ
B
DQ
B
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B
DQP
F
DQ
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DQ
A
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A
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DQP
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DQ
B
DQ
B
DQP
B
DQ
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DQ
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A
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A
DQ
A
DQP
E
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E
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11× 19焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1毫米凸块间距
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GS8644Z72 209焊球BGA引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
DQ
E
DQ
F
DQ
G
DQ
H
B
A
, B
B
B
C
,B
D
B
E
, B
F
, B
G
,B
H
NC
CK
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ZZ
FT
LBO
MCH
MCH
MCL
W
ZQ
CKE
I
I
I
TYPE
I
I
描述
地址字段的LSB和地址计数器预置输入。
地址输入
I / O
数据输入和输出引脚
I
I
I
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
字节写使能为DQ
A
， DQ
B
的I / O ;低电平有效
字节写使能为DQ
C
， DQ
D
的I / O ;低电平有效
字节写使能为DQ
E
， DQ
F
， DQ
G
， DQ
H
的I / O ;低电平有效
无连接
时钟输入信号;高电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效
输出使能;低电平有效
突发地址计数器提前启用
睡眠模式控制;高电平有效
流过管道或方式;低电平有效
线性突发顺序模式;低电平有效
必须连接高
必须连接高
必须连接低
写使能;低电平有效
FLXDrive输出阻抗控制
低=低阻抗[高驱动]
高=高阻抗[低驱动]
时钟使能;低电平有效
冯： 1.03 11/2004
3/39
2003 ， GSI技术
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z72 209焊球BGA引脚说明（续）
符号
TMS
TDI
TDO
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
I
I
O
I
I
I
I
描述
扫描测试模式选择
扫描测试数据
扫描测试数据输出
扫描测试时钟
核心供电
I / O和核心地
输出驱动器电源
冯： 1.03 11/2004
4/39
2003 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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GS8644Z18(B/E)/GS8644Z36(B/E)/GS8644Z72(C)
GS8644Z36B垫出119焊球BGA -顶视图（ B包）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQC
DQC
V
DDQ
DQC
DQC
V
DDQ
DQD
DQD
V
DDQ
DQD
DQD
NC
NC
V
DDQ
2
A
E2
A
DQPc
DQC
DQC
DQC
DQC
V
DD
DQD
DQD
DQD
DQD
DQPd
A
A
TMS
3
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BC
V
SS
NC
V
SS
BD
V
SS
V
SS
V
SS
LBO
A
TDI
4
A
ADV
V
DD
ZQ
E1
G
A
W
V
DD
CK
NC
CKE
A1
A0
V
DD
A
TCK
5
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BB
V
SS
NC
V
SS
BA
V
SS
V
SS
V
SS
FT
A
TDO
6
A
E3
A
DQPb
DQB
DQB
DQB
DQB
V
DD
DQA
DQA
DQA
DQA
DQPa
A
A
NC
7
V
DDQ
NC
NC
DQB
DQB
V
DDQ
DQB
DQB
V
DDQ
DQA
DQA
V
DDQ
DQA
DQA
NC
ZZ
V
DDQ
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
7 ×17焊球BGA- 14× 22毫米
2
身体1.27毫米凸块间距
冯： 1.03 11/2004
5/39
2003 ， GSI技术
规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。
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