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GT30J122
东芝绝缘栅双极晶体管
硅N沟道IGBT
GT30J122
第4代IGBT
电流谐振逆变器开关
应用
增强型模式
高速：吨
f
= 0.25μs （典型值）。 （我
C
= 50A)
低饱和电压VCE （SAT） = 2.1V （典型值） （ IC = 50A ）
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极耗散功率
（ TC
=
25°C)
结温
存储温度范围
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
600
±20
30
100
75
150
55~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
―
―
东芝
2-16F1A
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
重量：9.3克（典型值）。
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
1
2006-11-01
GT30J122
记号
东芝
GT30J122
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
热电阻（IGBT）
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
R
日（J -C ）
测试条件
V
GE
= ±20
V, V
CE
=
0
V
CE
=
600 V, V
GE
=
0
I
C
=
50毫安，V
CE
=
5 V
I
C
=
50 A，V
GE
=
15 V
V
CE
=
10V, V
GE
=
0, f
=
1兆赫
民
3.0
典型值。
2.1
2500
0.20
0.30
0.25
0.40
最大
±500
1.0
6.0
2.8
0.40
1.67
° C / W
μs
单位
nA
mA
V
V
pF
2
2006-11-01
GT30J122
3
2006-11-01
GT30J122
4
2006-11-01
GT30J122
瞬态热阻抗
日（T ）
（ ° C / W）
10
3
r
日（T ）
– t
W
Ta
=
25°C
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
1
10
2
脉冲宽度
t
W
(s)
5
2006-11-01
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GT30J122
TOS
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