功能细节
GD16521是一个2.5 Gbit / s的激光驱动器
的数据信号的一个可选的重新定时。它
能够驱动激光二极管,在
50 mA(最大值)调制电流
和最大预偏置电流
百毫安。
VCC
50W
50W
50W
50W
CML输入
100nF的的士司机证
50W
100nF的SDIP
100nF的SDIN
1kW
100nF的TDIN
50W
1kW
1kW
VCC
500W
输入
数据( SDIP / SDIN )被输入到GD16521
并重新计时中的DFF时钟由一个
外部时钟( SCIP / SCIN ) 。 (可选)
重新定时可以被旁路受控
通过选择引脚( FFSET ) 。
VEE
图1 。
CML通过连接回路输入端接方案。
这个例子显示了一个交流耦合差分输入配置。
输入终端
输入的数据( SDIP / SDIN )和时钟
输入( SCIP / SCIN )在内部termi-
经过NAT 50
W
通过引脚的士司机证/
TDIN分别TCIP / TCIN ,见
图1
下文。使用此方案一
驻波比1.5更高达1.75 GHz的
并且优于2高达2.5GHz的可
实现的。输入为内部双
ASED为2× (V
CC
-
V
EE
) / 3与电阻
分频器。
调制电流控制
环
调制电流控制环路
( MCCL )保持恒定的调制
化目前已被纳入
GD16521 。该MCCL OP- amp控制
调制电流,使得电压
横跨造成一个外部电阻年龄
当前沉入IMM销
这是调制电流的1/20
等于外部基准电压AP-
合股的IMC引脚。施加的电压
到IMC引脚设定调制电流
租。由于灌电流进入
IMM销是调制电流的1/20
沉入针IM的MCCL保持
恒调制电流。环stabi-
lity是通过将一个外部钙得到
pacitor整个运放,看
图2
下文。
IBM脚。中的镜像电流是1/20
预偏置电流。
关闭
还增加是一种抗浪涌电路,
这是用来避免过度加载
接通期间,激光二极管。通常情况下AR
或PD的连接,请参阅
图2中。
In
这种情况下,偏置电流和调制电流
租金断开,也不会有任何
跨越连接到电阻器的电压
的后平面监视器二极管照片DE-
tector 。因此,如果没有防浪涌
电路中, OPCL将调整增加
偏置电流,有效地设置
偏置控制电压向它的最大值,再
的电压上的设置的gardless
在opset中针。一旦偏置和
调制电流再次接通,
该激光二极管将受到充分
偏置电流,这可能会损害激光
二极管。因此,抗浪涌电路
已经提供,其下沉的电流
进入AR / PD引脚,当偏差和
调制电流被关断, SHDW =
“1”。这使得AR / PD引脚为─
来比参考负
电压上opset中销,因此
导致OPCL拒绝CON组
控制的偏置电流。这确保了
平滑转弯上的激光二极管的。
调制电流
输出引脚( IM / IMB )是开放的协作
设计用于驱动一个EX-讲师输出
ternal负载用受控电流
一般是激光二极管。
输出调制的电流可以是
从0 mA至在控制范围内
70毫安。交流规格如何 -
以往只在9 mA至的范围内有效
50毫安。在输出电压摆动
外部负载可以变化,与符合
多地。外部负载然而必须
设计成使得在输出电压
认沽决不会比VCC -2 V.低
在AC耦合的电路可运行
ated在调制电流大于
50毫安。在与调制电流
50和70毫安连同高能操作
级温度,在那里,但是,一个
小处罚的AC性能。该
输出抖动可以超过本说明书中,
下降时间可以超过规定的
10 %的值,而上涨的时间都在
特定连接的阳离子。
在预偏置电流
预偏置电流可被控制
在0 mA至100 mA的电流。
一个控制回路保持恒定的
平均光功率,独立的
在温度和寿命的变化
激光二极管的阈值电流是断路器中
中蕴含的GD16521 。的光功率
控制回路( OPCL )运算放大器调整
激光二极管的预偏置电流,以使
电阻两端的CON-电压降
,连接到该后平面监视器二极管
光电检测器,用于向PD引脚
等于施加到opset中的电压
针,见
图2
下文。
施加到opset中管脚的电压
确定的平均光功率。
是通过将所获得的循环稳定性
整个运算放大器外部电容。
除了调制电流CON-
控制和预偏置控制回路DE-
上面刻划, GD16521有
偏置电流上的电流镜
数据手册Rev :11
GD16521
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VCC
0.05 pF的
0.1 nH的
0.05 pF的
0.1 nH的
0.02 pF的
芯片
(0 15欧姆)
0.02 pF的
0.10 pF的
0.02 pF的
6欧姆1.0 V
0.10 pF的
VCC
*2
*3
IMB
IM
IB
0.1 nH的
0.05 pF的
0.6 nH的
0.1 nH的
3 pF的
0.3 nH的
0.7 nH的
芯片R( 0 50欧姆)
芯片C ( 0 0.1 UF)
0.04 pF的
0.04 pF的
0.04 pF的
LDD
0.02 pF的
0.04 pF的
0.1欧姆
R
LDD IC
芯片等效电路
0.01 nH的
C
芯片C等效电路
注1 :片式元件常数是指可用范围。
这个电路被应用到所有的温度范围内。
注2 :芯片上的流浪元素
注3 :片上的R,如果需要的话
图10.LD
用于模拟的直流等效电路耦接的倒装芯片安装的激光驱动器和激光二极管。电容器和
电感器所代表的连接paratisiv元素。最佳的性能,实现了与芯片R = 10
W
在偏置。
数据手册Rev :11
GD16521
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