GF9926D
N沟道增强型MOSFET模
芯片几何
CH
EN ET
T
R N
F
ct
ODU
G
E
新镨
TM
门
V
DS
20V
R
DS （ ON）
30
m
I
D
6.0A
来源
D
G
物理特性
模具尺寸：1800
X
1120m (70.9
X
44.1密耳）
金属化：
上图：铝/硅/铜
返回：钛/镍/银
金属厚度：
上图： 3.0μm形成
返回：了1.4μm
模具厚度： 9 - 13密耳
粘接面积：
资料来源：源区的全部金属化表面
门： 181 X 181μm
推荐焊线：
资料来源： 2万
Au线（ 3个或更多的导线优选）
门： 2万
金线
注意：
多个源线可进一步提高性能
S
特点
先进的加工技术
用于超低高密度电池设计
导通电阻
快速开关
高温焊接按照
与CECC802 /回流焊保证
逻辑电平
适用于锂离子电池组的应用
最大额定值和热特性
(T
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
T
J
= 150°C
(1)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
(1)
最大功率耗散
(1)
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
R
θJA
A
= 25 ° C除非另有说明）
极限
20
单位
V
±
10
6.0
4.8
20
1.7
2.0
1.3
-55到150
62.5
A
W
°C
° C / W
工作结存储温度范围
最大结点到环境
(1)
热阻
注意：
最大额定值是基于芯片封装在一个SO- 8封装的双。实际的评分可以增加（或减少） ，
根据所使用的实际的组装方法
6/14/00
GF9926D
N沟道增强型MOSFET模
电气特性
(T
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
(2)
漏源导通电阻
(2)
正向跨导
(2)
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(2)
源漏反向恢复时间
注意事项：
（ 1 ）表面安装在FR4板，T
≤
10秒。
（ 2 ）脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 0V, V
GS
=
±
8V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
V
DS
=20V, V
GS
= 0V ，T
J
=55°C
V
DS
≥
5V, V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5.2A
V
DS
= 10V ，我
D
= 6A
20
0.6
–
–
–
20
–
–
–
–
–
–
–
–
–
22
28
24
–
–
V
V
nA
A
A
m
S
±
100
1
5
–
30
40
–
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 6A
V
DD
= 10V ，R
L
= 10
I
D
≈
1A ，V
根
= 4.5V
R
G
= 6
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
F = 1.0MH
Z
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
13
2.2
3
11
15
43
22
1240
200
120
40
–
–
60
140
140
60
–
–
–
pF
ns
nC
V
SD
t
rr
I
S
= 1.7A ，V
GS
= 0V
I
F
= 1.7A ，的di / dt = 100A / μs的
–
–
0.7
–
1.3
100
V
ns
V
DD
t
D（上）
V
OUT
输出，V
OUT
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
t
f
90 %
V
IN
D
R
L
10%
10%
倒
V
GS
R
根
G
50%
50%
DUT
90%
输入，V
IN
S
10%
脉冲宽度
开关
测试电路
开关
波形
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