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GHB-3M50-R
特点
!
低功耗。
!
流行T-1直径封装。
!
通用的线索。
!
可靠,坚固耐用。
!
长
描述
超高亮红源彩色设备的。
在GaAs衬底发光二极管制成与卫生署InGaAIP
T-1 (3毫米)固态灯
LIFE - 固态可靠性。
磁带和卷轴。
!
可用的
包装尺寸
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.公差为0.25( 0.01" ),除非另有说明。
3,引线间距测量其中涌现铅包。
4.规格如有变更,恕不另行通知。
REV NO: V.2
日期: MAR / 05 / 2003
页次:1 3
选购指南
P AR T号..
无霸
货号
骰子
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典型镜头
L ENS泰PE
ENS泰
s
IV( MCD )
四( M C D)
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@ 20毫安
铭。
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GHB-3M50-R
HYPER RED ( InGaAIP )
VIEWING
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查看
i
角
TY P ..
典型值
TY P
yp
1300
50
水CLE A R
900
注意:
1. 1/2的距离的光学中心线的角度,其中所述发光强度为1/2的光学中心线值。
在T电气/光学特性
A
=25 C
SY M B 0 1
Sy
YMBO
YMBOL
PEAK
D
1/2
C
V
F
I
R
P A R A M (E T) ER
Pa
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P
EAK波长
D
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S
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C
APACITANCE
F
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e
超红
超红
超红
超红
超红
超红
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TY P
yp
640
630
25
45
1.9
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ax
x
其未
NIT
nm
nm
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TES吨钴N D是IO NS
测试电导率银行足球比赛s
美东时间
s
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
V
F
=0V;f=1MHz
I
F
=20mA
V
R
= 5V
2.5
10
V
uA
在T绝对最大额定值
A
=25 C
P AR时等ER
Pa
ARAMETER
功耗
直流正向电流
峰值正向电流[ 1 ]
反向电压
超红
150
30
200
加利其
NIT
mW
mA
mA
5
-40°C至+ 85°C
260℃持续5秒
V
工作/储藏温度
无铅焊锡温度[ 2 ]
注意事项:
1. 1/10占空比, 0.1ms的脉冲宽度。
2. 2mm封装基座下方。
REV NO: V.2
日期: MAR / 05 / 2003
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