GDZ - V系列
威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
硅平面功率齐纳二极管
低齐纳阻抗和低泄漏
e3
当前
风靡亚洲的设计
小型表面贴装器件
适用于自动安装
铅(Pb) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
20145
机械数据
案例:
SOD323塑料外壳
重量:
约。 5.0毫克
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 15 K /盒GS08 / 3
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
功耗
测试条件
符号
P
d
价值
200
单位
mW
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
结温
存储温度范围
测试条件
符号
T
j
T
英镑
价值
150
- 55至+ 150
单位
°C
文档编号85766
修订版1.5 , 17日, 06
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GDZ - V系列
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
0.12
温度系数(%/ K)的
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
- 0.02
- 0.04
- 0.06
- 0.08
0
4
8
12 16
20 24 28
32 36
19964
齐纳
电压V
Z
(V)
图1.齐纳电压温度系数齐纳主场迎战
电压
包装尺寸以毫米(英寸) : SOD323
1.15 (0.045)
0.8 (0.031)
0.1 ( 0.004 )最大
足迹推荐:
0.25 ( 0.010 )分
1.95 (0.077)
1.60 (0.063)
阴极
BAR
0.15 (0.006)
0.10 (0.004)
0.6 (0.024)
0.6 (0.024)
0.40 (0.016)
0.20 (0.008)
2.85 (0.112)
2.50 (0.098)
文件编号: S8 -V - 3910.02-001 ( 4 )
牧师03 - 日期:2004年08.November
17443
文档编号85766
修订版1.5 , 17日, 06
1.5 (0.059)
1.1 (0.043)
1.6 (0.063)
0.6 (0.024)
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GDZ - V系列
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
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文档编号85766
修订版1.5 , 17日, 06
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日前,Vishay
放弃
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从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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