【SMD型晶体管NPN硅平面高性能晶体管FZT653SOT-223+0.26.50-0.2单位：mm+】,IC型号FZT653,FZT653 PDF资料,FZT653经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SMD型

晶体管

NPN硅平面高性能晶体管

FZT653

SOT-223

+0.2

6.50

-0.2

单位：mm

+0.2

3.50

-0.2

0

.1max

+0.05

0.90

-0.05

特点

低饱和电压

+0.1

3.00

-0.1

+0.2

0.90

-0.2

+0.3

7.00

-0.3

4

1 BASE

1

2

2.9

4.6

3

0.70

+0.1

-0.1

2个集热器

3发射器

4珍藏

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

等级

120

100

5

6

2

2

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

+0.15

1.65

-0.15

www.kexin.com.cn

1

SMD型

FZT653

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极导通电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

I

C

=100ìA

I

C

=10mA*

I

E

=100ìA

V

CB

=100V

V

CB

=100V,T

AMB

=100

V

EB

=4V

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 2A ，我

B

=200mA*

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=2V*

静态正向电流传输比

h

FE

I

C

= 500毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

=2V*

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

I

C

= 100mA时V

CE

=5V,f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 500毫安，V

CC

=10V

I

B1

=I

B2

=50mA

70

100

55

25

140

Testconditons

民

120

100

5

晶体管

典型值。

最大

单位

V

V

V

0.1

10

0.1

0.13

0.23

0.9

0.8

200

200

110

55

175

30

80

1200

300

0.3

0.5

1.25

1.0

ìA

ìA

ìA

V

V

V

V

兆赫

pF

ns

ns

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300ìs 。占空比2 ％

记号

记号

FZT653

2

www.kexin.com.cn

SOT223 NPN硅平面

高性能晶体管

第3期？ 1995年2月

特点

*低饱和电压

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

FZT753

FZT653

C

E

FZT653

B

C

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基极击穿

电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态正向电流

传输比

跃迁频率

输出电容

开关时间

符号最小值。

120

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

70

100

55

25

140

0.13

0.23

0.9

0.8

200

200

110

55

175

100

5

0.1

10

0.1

0.3

0.5

1.25

1.0

300

兆赫

30

80

1200

pF

ns

ns

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

典型值。

马克斯。

价值

120

100

5

6

2

2

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

A

单位

V

V

V

A

A

W

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

条件。

I

C

=100

A

I

C

=10mA*

I

E

=100

A

V

CB

=100V

V

CB

=100V,

T

AMB

=100°C

V

EB

=4V

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 2A ，我

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I

C

= 1A ，我

B

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CE

=2V*

I

C

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I

C

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I

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= 2A ，V

CE

=2V*

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C

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f=100MHz

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= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 500毫安，V

CC

=10V

I

B1

=I

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=50mA

V

V

V

V

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

辣妹参数数据可应要求提供此设备

3 - 209

FZT653

典型特征

0.6

0.5

225

- （伏）

0.4

I

C

/I

B

=10

0.3

- 增益

175

V

CE

=2V

125

0.2

V

0.1

h

75

0

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

25

0.01

0.1

1

10

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

h

FE

V I

C

1.4

1.2

- （伏）

1.2

1.0

- （伏）

1.0

I

C

/I

B

=10

V

CE

=2V

0.8

V

0.8

V

0.6

0.6

0.4

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

BE （ SAT ）

V I

C

10

V

BE（上）

V I

C

=25°C

td

tr

tf

ns

280

ts

ns

2800

在T单脉冲测试

AMB

I

B1

=I

B2

=I

C

/10

1

240

2400

开关时间

200

2000

ts

0.1

DC

1s

100ms

10ms

1ms

300

s

160

1600

120

1200

tf

80

800

td

40

400

tr

0.01

0

0

0.01

0.1

1

0.1

1

10

100

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

I

C

-

集电极电流（安培）

安全工作区

3 - 210

转换速度

SOT223 NPN硅平面

高性能晶体管

第3期？ 1995年2月

特点

*低饱和电压

互补式 -

PARTMARKING详细信息 -

FZT753

FZT653

C

E

FZT653

B

C

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基极击穿

电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基射

导通电压

静态正向电流

传输比

跃迁频率

输出电容

开关时间

符号最小值。

120

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

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V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

70

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55

25

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0.13

0.23

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55

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100

5

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1.0

300

兆赫

30

80

1200

pF

ns

ns

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

典型值。

马克斯。

价值

120

100

5

6

2

2

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

A

单位

V

V

V

A

A

W

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

条件。

I

C

=100

A

I

C

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I

E

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V

CB

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V

EB

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B

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I

C

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B

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I

C

= 1A ，我

B

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I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

=2V*

I

C

= 500毫安，V

CE

=2V*

I

C

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CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

=2V*

I

C

= 100mA时V

CE

=5V

f=100MHz

V

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= 10V ， F = 1MHz的

I

C

= 500毫安，V

CC

=10V

I

B1

=I

B2

=50mA

V

V

V

V

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

辣妹参数数据可应要求提供此设备

3 - 209

FZT653

典型特征

0.6

0.5

225

- （伏）

0.4

I

C

/I

B

=10

0.3

- 增益

175

V

CE

=2V

125

0.2

V

0.1

h

75

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0.0001

0.001

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1

10

25

0.01

0.1

1

10

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

CE （ SAT ）

V I

C

h

FE

V I

C

1.4

1.2

- （伏）

1.2

1.0

- （伏）

1.0

I

C

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B

=10

V

CE

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0.8

V

0.8

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0.6

0.6

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0.001

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1

10

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

I

C

-

集电极电流（安培）

I

C

-

集电极电流（安培）

V

BE （ SAT ）

V I

C

10

V

BE（上）

V I

C

=25°C

td

tr

tf

ns

280

ts

ns

2800

在T单脉冲测试

AMB

I

B1

=I

B2

=I

C

/10

1

240

2400

开关时间

200

2000

ts

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DC

1s

100ms

10ms

1ms

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160

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0.01

0

0

0.01

0.1

1

0.1

1

10

100

V

CE

- 集电极发射极电压（V ）

I

C

-

集电极电流（安培）

安全工作区

3 - 210

转换速度

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

FZT653

SOT-223

+0.2

6.50

-0.2

单位：mm

+0.2

3.50

-0.2

0

.1max

+0.05

0.90

-0.05

特点

低饱和电压

+0.1

3.00

-0.1

+0.2

0.90

-0.2

+0.3

7.00

-0.3

4

1 BASE

1

2

2.9

4.6

3

0.70

+0.1

-0.1

2个集热器

3发射器

4珍藏

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

在T功耗

AMB

=25

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

P

合计

T

j

:T

英镑

等级

120

100

5

6

2

2

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

+0.15

1.65

-0.15

1 2

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

FZT653

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极导通电压

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

I

C

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I

C

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I

E

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V

CB

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V

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AMB

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V

EB

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I

C

= 1A ，我

B

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B

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C

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B

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C

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CE

=2V*

I

C

= 50mA时V

CE

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静态正向电流传输比

h

FE

I

C

= 500毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 2A ，V

CE

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跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

on

t

关闭

I

C

= 100mA时V

CE

=5V,f=100MHz

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的

I

C

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CC

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I

B1

=I

B2

=50mA

80

1200

70

100

55

25

140

0.13

0.23

0.9

0.8

200

200

110

55

175

30

兆赫

pF

ns

ns

300

Testconditons

民

120

100

5

0.1

10

0.1

0.3

0.5

1.25

1.0

典型值。

最大

单位

V

V

V

ìA

ìA

ìA

V

V

V

V

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300ìs 。占空比2 ％

记号

记号

FZT653

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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联系人：连

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FZT653

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

FZT653

-

-

-

-

终端采购配单精选

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深圳市灿亿佳电子科技有限公司

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电话：13424184668

联系人：肖佳欣

地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界

FZT653

ZETEX

24+

8000000

SMD

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深圳市银芯龙科技有限公司

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电话：13510131896

联系人：欧阳

地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514

FZT653

ZETEX

15+

12000

SOT-223

进口原装现货

深圳市向鸿伟业电子有限公司

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电话：0755-82561519

联系人：李先生

地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室

FZT653

ZETZX

2413+

30000

SOT-223

原装正品假一罚百/门市现货一只起售

深圳市诺洋电子科技有限公司

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

FZT653

ZETEX

24+

27200

SOT-223

全新原装现货，原厂代理。

深圳市华美锐科技有限公司

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电话：0755-83035161

联系人：肖先生

地址：福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司）

FZT653

ZETEX

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