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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第73页 > FME6G30US60
FME6G30US60
2000年9月
IGBT
FME6G30US60
的Econo模块类型
概述
飞兆半导体的IGBT功率模块提供低传导和
开关损耗以及短路坚固性。这是
专为应用，如电机控制， UPS
和一般的变频器在短路耐用是
所需。
特点
短路额定10us的@ T
C
= 100℃ ，V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.2 V @ I
C
= 30A
高输入阻抗
快速&软反并联FWD
封装代码： 17 PM -CA
应用
AC &直流电机控制
通用变频器
机器人
伺服控制
UPS
1
5
9
2
U
6
V
10
W
3
7
11
4
8
12
内部电路框图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
T
SC
P
D
T
J
T
英镑
V
ISO
MOUNTING
力矩
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
隔离电压
安装螺丝： M5
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ AC 1分钟
FME6G30US60
600
±
20
30
60
30
60
10
83
-40到+150
-40到+125
2500
2.0
单位
V
V
A
A
A
A
us
W
°C
°C
V
牛米
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
2000仙童半导体国际
FME6G30US60版本A
FME6G30US60
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 30mA时V
CE
= V
GE
I
C
= 30A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
6.0
2.2
8.5
2.8
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
1970
310
74
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
30
65
54
138
0.92
0.81
1.73
34
67
60
281
0.92
1.56
2.48
--
85
17
39
--
--
80
200
--
--
2.43
--
--
90
400
--
--
3.47
--
120
25
55
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
us
nC
nC
nC
V
CC
= 300 V，I
C
= 30A,
R
G
= 7, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 30A,
R
G
= 7, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
@
T
C
=
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
100°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 30A,
V
GE
= 15V
2000仙童半导体国际
FME6G30US60版本A
FME6G30US60
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
T
C
= 25°C
I
F
= 30A
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
F
= 30A
的di / dt = 60A /美
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
2.0
2.0
90
130
2.2
3.4
400
880
马克斯。
2.8
--
180
--
3.4
--
600
--
单位
V
ns
A
nC
热特性
符号
R
θJC
R
θJC
重量
参数
结至外壳（ IGBT部分，每1/6模块）
结至外壳（二极管部分，每1/6模块）
模块的重量
典型值。
--
--
--
马克斯。
1.5
2.4
180
单位
° C / W
° C / W
g
2000仙童半导体国际
FME6G30US60版本A
FME6G30US60
90
80
70
共发射极
T
C
= 25℃
20V
15V
90
80
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
集电极电流，I
C
[A]
8
70
60
50
40
30
20
10
0
集电极电流，I
C
[A]
60
12V
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
V
GE
= 10V
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
5
40
共发射极
V
GE
= 15V
60A
35
30
45A
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
4
负载电流[ A]
3
30A
2
I
C
= 15A
25
20
15
10
1
5
0
-50
0
50
100
150
0
占空比： 50 ％
T
C
= 100℃
功耗= 45W
0.1
1
10
100
1000
外壳温度，T
C
[℃]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
12
8
8
60A
4
I
C
= 15A
0
30A
4
I
C
= 15A
0
4
8
30A
60A
12
16
20
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2000仙童半导体国际
图6.饱和电压与V
GE
FME6G30US60版本A
FME6G30US60
3500
3000
2500
2000
1500
1000
CRES
500
0
1
卓越中心
资本投资者入境计划
1000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
吨
电容[ pF的]
开关时间[ NS ]
Tr
100
10
10
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
花花公子
花花公子
Tf
10000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 30A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
开关损耗[ UJ ]
宙
EOFF
1000
EOFF
Tf
100
100
1
10
100
1
10
100
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 7
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 7
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
吨
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
花花公子
100
Tr
Tf
花花公子
100
Tf
10
15
30
45
60
15
30
45
60
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2000仙童半导体国际
图12.关断特性对比
集电极电流
FME6G30US60版本A
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FAM2D-16G
FAM2D16G
FEPF16FT
FTRJ1522P1BTL
FTLF1321S1MTL
FSTU16211MTD
FKC08-24S15
FX5545G0184V1B1
FEM10CNP-2N6
FBGA-SD
FZT653
FMS6243
FAN1117AS285X
FSPYE234R3
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    FME6G30US60
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    -
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