订购数量： EN4889
FX606
N沟道MOSFET硅
超高速开关应用
特点
·两个低导通电阻组成的复合型
N沟道MOSFET芯片的超高速
开关和低电压驱动。
·便于高密度安装。
·该FX606形成有两个芯片，每个都是
相当于2SK1470 ，放置在一个封装中。
·对匹配的特征。
包装尺寸
单位：mm
2120
[FX606]
1 ： GATE1
2 ：源1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain1
三洋： XP6
（底视图）
开关时间测试电路
电气连接
1 ： GATE1
2 ：源1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain1
（ TOP VIEW ）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1%
TC = 25°C ， 1个单位
安装在陶瓷板上（ 750毫米
2
×0.8mm)
1个单位
安装在陶瓷板上（ 750毫米
2
×0.8mm)
条件
评级
60
±15
2
8
6
1.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
W
C
C
·标记： 606
接下页。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
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FX606
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