FD6M045N06 60V / 60A同步整流模块
2008年3月
FD6M045N06
60V / 60A同步整流模块
一般特点
在12V输出非常高整流效率
集成的解决方案节省电路板空间
符合RoHS
电源SPM
tm
TM
概述
该FD6M045N06是在Power -SPM一体机产品
TM
家庭
这飞兆半导体新开发和设计是最
适于更紧凑和更有效的同步recti-
fication的应用，如网络服务器的电源和
电信系统电源。对于更高的效率，它包括
内置非常低R
DS （ ON）
的MOSFET。该电源-SPM器件
所用的脉宽调制变换器的次级侧使用
前进/桥变换器以提供大电流整流
输出电压范围从12伏至5伏。与此
产物，它可以设计功率的次级侧
供电系统减少寄生元件导致
最小电压尖峰和EMI噪声。
MOSFET特点
V
DSS
= 60V
Q
克（总量）
= 66nC （典型值） ，V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 3.6mΩ （典型值） ，V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
低米勒电荷
低Q
rr
体二极管
UIS能力（单脉冲，重复脉冲）
完全隔离包装
应用
大电流隔离式转换器
分布式电源架构
同步整流
DC / DC转换器
电池供电应用
的ORing MOSFET
1
15
EPM15套餐
框图
10
G2
D2
9
15
8
Q2
G1
14
13
S2
6
12
7
Q1
11
D1
S1
1
2
3
4
5
图1. FD6M045N06模块框图
2008飞兆半导体公司
1
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FD6M045N06牧师A1
FD6M045N06 60V / 60A同步整流模块
引脚配置和引脚说明
顶视图
D1
S1
G1
NC
NC
NC
G2
S2
D2
FD6M045N06图2. Pinmap
引脚数
1
2~5
6
7
8
9
10
11 ~ 14
15
引脚名称
D1
S1
G1
NC
NC
NC
G2
S2
D2
引脚说明
Q1的漏极， MOSFET
Q1的源代码， MOSFET
Q1的栅极， MOSFET
无连接
无连接
无连接
Q2的栅极， MOSFET
Q2的源代码， MOSFET
Q2的漏极， MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25°C,
符号
V
DS
V
GS
I
D
E
AS
T
J,
T
英镑
漏源极电压
栅极至源极电压
除非另有说明
等级
(Note1)
参数
单位
V
V
A
mJ
°C
60
±20
漏电流，连续（V
GS
= 10V)
单脉冲雪崩能量
工作和存储温度范围
(Note1)
(Note1,2)
60
794
-40 ~ 150
热阻
符号
R
θJC
注意：
1.每个MOSFET开关
2.起始物为
J
= 25 ° C，V
D
= 40V ，L = 0.25mH ，我
AS
= 46A
参数
结到外壳热阻
(Note1)
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
3.9
单位
° C / W
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FD6M045N06 60V / 60A同步整流模块
电气特性
T
C
= 25℃ ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
同步整流开关部分
（每个开关）
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V
V
GS
=
±20V
V
D
= 20V ，我
DS
= 250μA
I
D
= 40A ，V
GS
= 10V
T
J
= 150°C
60
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
3.55
6.7
-
1
±100
4.0
4.5
-
V
μA
nA
V
mΩ
动态的特点酒色
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷，在10V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至2V
V
DD
= 40V
I
D
= 40A
I
g
= 1.0毫安
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
3890
755
270
66
7
18
11
20
-
-
-
87
10
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
开关特点酒色（V
GS
= 10V)
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
I
D
= 40A
V
GS
= 10V, V
DD
= 40V ，R
G
= 5Ω
-
-
-
-
-
-
-
18
19
35
23
-
60
-
-
-
-
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
漏源二极管的特点酒色
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0V
I
SD
= 40A ，V
GS
= 0V
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 40A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 40A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
33
34
1.25
1.0
-
-
V
ns
nC
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FD6M045N06 60V / 60A同步整流模块
典型性能特性
每个开关，除非另有说明
图3.在区域特征
120
V
GS
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
底部： 5.0 V
上图：
I
D
V
DS
I
D
，漏电流[ A]
80
D
V
GS
G
40
*注意：
1. 250
μ
s脉冲测试
o
2. T
C
= 25 C
V
DS
V
GS ， STEP
FD6M045N06
S
1.5
0
0.0
0.5
1.0
V
DS
，漏源电压[V]
图4.传输特性
160
I
D
V
DS
I
D
，漏电流[ A]
D
V
GS
120
150 C
o
80
G
V
GS
25 C
-40 C
o
o
V
DS
40
FD6M045N06
S
0
3.0
3.5
4.0
4.5
*注意：
1. V
DS
= 15V
2. 250
μ
s脉冲测试
5.0
5.5
6.0
V
GS
，输入电压[V]的
图5.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
100
I
S
，反向漏电流[ A]
图6.输出电容特性
8
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
RSS
= C
gd
6
电容[ nF的]
150 C
o
25 C
o
C
国际空间站
10
4
C
OSS
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. F = 1 MHz的
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s脉冲测试
2
C
RSS
1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
，体二极管正向电压[ V]
0
0.1
1
10
60
V
DS
，漏源电压[V]
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典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.20
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
图8.导通电阻变化
与温度的关系
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
0
50
100
150
T
J
，结温[
°
C]
200
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 40 A
1.10
1.00
0.90
0.85
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温[
°
C]
图9.瞬态热响应曲线
10
热响应[Z
θ
JC
]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
P
DM
t
1
t
2
0.02
0.01
*注意：
0.01
单脉冲
1. Z
θ
JC
（ T） = 3.9 C / W典型。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
-4
o
0.001
-5
10
10
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
矩形脉冲持续时间（秒）
图10.最大安全工作区
200
100
1ms
图11.非钳位感应开关
能力
400
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
如果R = 0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) + 1]
100
μ
s
10ms
10
DC
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
I
AS
，雪崩电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
100
起始物为
J
= 25 C
o
10
起始物为
J
= 125 C
o
1
*注意：
o
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
0.1
0.1
1
10
V
DS
，漏源电压[V]
100
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
AV
，时间在雪崩[毫秒]
FD6M045N06牧师A1
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QQ：2880707522 复制
