订购数量： ENA0977
FW377
三洋半导体
数据表
N沟道和P沟道MOSFET的硅
FW377
特点
通用开关设备
应用
对于电机驱动器，变频器等。
复合型与N型沟道MOSFET和P沟道MOSFET从4V电源电压驱动
包含在单个封装中。
高密度安装。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ PW≤10s ）
漏电流（ PW≤100ms ）
漏电流（ PW≤10μs ）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
ID
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
占空比= 1 ％
占空比= 1 ％
占空比= 1 ％
安装在陶瓷基板
(1500mm
2
0.8mm)1unit,
PW≤10s
安装在陶瓷基板
(1500mm
2
0.8mm),
PW≤10s
条件
N沟道
35
±20
6
7
10
24
1.8
2.2
150
--55到150
P沟道
--35
±20
--5
--6
--10
--20
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
标记： W377
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
N2107PA TI IM TC- 00001038号A0977-1 / 6
FW377
电气特性
在TA = 25℃
参数
[ N沟道]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
[ P沟道]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
ID = -
-1mA ， VGS = 0V
VDS = -
-35V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = -
-10V ， ID = - 1毫安
VDS = -
-10V ，ID = -
-5A
ID = -
-5A ， VGS = -
-10V
ID = -
-3A ， VGS = -
-4V
VDS = -
-20V ， F = 1MHz的
VDS = -
-20V ， F = 1MHz的
VDS = -
-20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = -
-20V ，V GS = - 10V ，ID = -
-5A
VDS = -
-20V ，V GS = - 10V ，ID = -
-5A
VDS = -
-20V ，V GS = - 10V ，ID = -
-5A
IS = - 5A ， VGS = 0V
--35
--1
±10
--1.2
4.5
7.5
37
62
1200
190
140
13
47
101
69
24
3.7
5.4
-
-0.85
--1.5
49
87
--2.6
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 35V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ， ID = 6A
ID = 6A ， VGS = 10V
ID = 3A ， VGS = 4V
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 6A
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 6A
VDS = 20V ， VGS = 10V ， ID = 6A
IS = 6A ， VGS = 0V
35
1
±10
1.2
4.6
7.8
25
43
1050
150
100
13
43
76
48
20
3.3
4.5
0.84
1.2
33
61
2.6
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
符号
条件
评级
民
典型值
最大
单位
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7005-003
电气连接
8
7
6
5
8
5
0.3
1
4
0.43
0.2
5.0
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain2
7 ： Drain1
8 ： Drain1
三洋： SOP8
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain2
7 ： Drain1
8 ： Drain1
1
2
3
4
4.4
6.0
0.595
1.27
0.1
1.5
1.8最大
顶视图
第A0977-2 / 6
FW377
10
y
fs - ID
VDS = --10V
[ P沟道]
正向转移导纳，
y
fs - S
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
IS - VSD
[ P沟道]
VGS=0V
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7
--0.1
2
3
5 7
--1.0
2
3
漏极电流ID -
5
3
--10
IT13065
5 7
--0.01
--0.2
--0.4
Ta=7
5
1.0
3
2
--0.6
--25
°
C
--0.8
25
°
C
°
C
°
C
25
Ta
C
5
°
--2
=
°
C
75
源出电流，是 - 个
--1.0
--1.2
IT13066
二极管的正向电压， VSD - V
3
SW时间 - ID
[ P沟道]
VDD = --20V
VGS = --10V
2
西塞，科斯，的Crss - VDS
西塞
[ P沟道]
f=1MHz
切换时间， SW时间 - NS
2
TD （关闭）
100
7
5
3
2
西塞，科斯，的Crss - pF的
1000
7
5
3
tf
tr
科斯
2
TD （上）
10
7
5
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
--10
IT13067
7
100
7
5
0
--5
--10
--15
CRSS
--20
--25
--30
--35
IT13068
漏极电流ID -
--10
--9
漏极至源极电压VDS - V
VGS - 的Qg
[ P沟道]
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ASO
IDP = --20A
ID = --5A
10
m
[ P沟道]
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS = --20V
ID = --5A
PW≤10s
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
5
10
15
20
25
IT13069
10
s
漏极电流ID -
10
DC
10s
op
er
ATI
o
0m
0
s
1m
s
s
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
n
--0.01
--0.01 2 3
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板（ 1500毫米
2
0.8mm)
1unit
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7 --10
2 3
5 7
总栅极电荷QG - 数控
2.6
允许功耗， PD - 含
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
安装在陶瓷板（ 1500毫米
2
0.8mm)
PW≤10s
允许功耗PD（ FET1 ） - 含
PD - TA
[ N沟道， P沟道]
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
漏极至源极电压VDS - V
PD （ FET1 ） - PD （ FET 2 ）
[ N沟道， P沟道]
IT13070
安装在陶瓷板（ 1500毫米
2
0.8mm)
PW≤10s
To
t
1u
al
di
ss
ip
NIT
ATI
on
20
40
60
80
100
120
140
160
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
环境温度，钽 -
°C
IT13071
允许功耗PD（ FET 2 ） - 含
IT13072
第A0977-5 / 6
QQ：2880707522 复制
